傳感器|氣體傳感器|濕敏傳感器|位移傳感器|視覺、圖像傳感器|其他傳感器⑽電感器|磁珠|電流互感器|電壓互感器|電感線圈|固定電感器|可調(diào)電感器|線饒電感器|非線饒電感器|阻流電感器（阻流圈、扼流圈）|其他電感器⑾電聲器件|揚聲器|傳聲器|拾音器|送話器|受話器|蜂鳴器⑿電聲配件|盆架|電聲喇叭|防塵蓋|音膜、振膜|其他電聲配件|T鐵|磁鋼|彈波|鼓紙|壓邊|電聲網(wǎng)罩⒀頻率元件|分頻器|振蕩器|濾波器|諧振器|調(diào)頻器|鑒頻器|其他頻率元件⒁開關(guān)元件|可控硅|光耦|干簧管|其他開關(guān)元件⒂光電與顯示器件|顯示管|顯象管|指示管|示波管|攝像管|投影管|光電管|發(fā)射器件|其他光電與顯示器件⒃磁性元器件|磁頭|鋁鎳磁鋼永磁元件|金屬軟磁元件（粉芯）|鐵氧體軟磁元件。上海海谷電子有限公司為您提供回收，歡迎您的來電哦！海南廢棄電子料回收廠家
圖8的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的一預測階段。圖9是根據(jù)本公開的一些實施例的圖3的機器學習電路的電路圖。圖10是根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的測量電路的電路圖。圖11是根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的分類器電路的電路圖。圖12的示意圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的分類器電路在圖5的訓練階段的示例性操作。圖13是根據(jù)本公開的一些實施例的信號的回轉(zhuǎn)率的調(diào)整方法的流程圖。符號說明10集成電路元件12使用者應用端30電路32神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)34輸入36經(jīng)加權(quán)值38結(jié)果值40集成電路元件42機器學習電路44使用者界面46互連電路60測量電路70數(shù)據(jù)庫80分類器電路90調(diào)整方法92操作94操作96操作98操作102驅(qū)動器電路104回轉(zhuǎn)率控制電路120示波器122電壓波形124使用者界面200操作202操作204操作206操作208操作310程序312訓練階段314推理/分類階段316預測階段500操作502操作504操作600取樣保持電路602取樣保持電路604減法器800比較器802減法器電路804分壓器806加法器電路810反相器812暫存器814乘法器816暫存器din信號dout信號vout實際電壓clk時鐘信號vl電壓v1電壓n0節(jié)點具體實施方式以下詳細討論本公開的實施方案。然而，應該理解的是。內(nèi)蒙古進口晶振回收處理上海海谷電子有限公司致力于提供回收，有想法可以來我司咨詢。
在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設(shè)置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側(cè)壁間隔件261至266。側(cè)壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結(jié)果(例如，側(cè)壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節(jié)距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節(jié)距小或精確。參照圖4f，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側(cè)壁間隔件261至266。261形成為側(cè)壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件?？偠灾?，261可以被稱為側(cè)壁間隔件。側(cè)壁間隔件261至266在方向x上具有節(jié)距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側(cè)壁間隔件(例如。
所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準雙倍圖案化(sadp)或自對準四倍圖案化(saqp)形成。還在所述方法的一些實施例中，單元線路結(jié)構(gòu)是未被劃分為至少兩個相等的子線路結(jié)構(gòu)的小單元結(jié)構(gòu)。此外，提供一種設(shè)計集成電路的方法，所述方法包括：接收定義集成電路的輸入數(shù)據(jù)；設(shè)置包括多個標準單元的標準單元庫；基于輸入數(shù)據(jù)和標準單元庫執(zhí)行布局和布線；以及基于布局和布線的結(jié)果生成定義集成電路的輸出數(shù)據(jù)，其中，所述集成電路包括：半導體基底，多條柵極線，形成在半導體基底上方的柵極層中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多條金屬線，形成在柵極層上方的導電層中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些實施例中，所述多條金屬線中的6n條金屬線和所述多條柵極線中的4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。根據(jù)示例實施例，一種集成電路包括：半導體基底、多條柵極線和多條金屬線。所述多條柵極線形成在半導體基底上方的柵極層中，其中。上海海谷電子有限公司致力于提供回收，竭誠為您服務(wù)。
接收關(guān)于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預設(shè)電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預設(shè)電壓更新為一經(jīng)學習電壓；以及基于該經(jīng)學習電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設(shè)電壓改為耦合到一經(jīng)學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅(qū)動器以及一機器學習電路。該驅(qū)動器經(jīng)配置以驅(qū)動一信號。該機器學習電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經(jīng)學習電壓，其中該機器學習電路經(jīng)配置以基于該經(jīng)學習電壓來調(diào)整該信號的一回轉(zhuǎn)率。雖然已詳述本公開及其優(yōu)點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離權(quán)利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多工藝，并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者?；厥眨瓦x上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需求可以來電咨詢！中國臺灣集成電路回收
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存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應當理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實施例，并且可以在可選實施例中使用其它實施方式。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件504和第二調(diào)節(jié)mtj器件506。調(diào)節(jié)mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實施例的截面圖508。如截面圖508所示，調(diào)節(jié)mtj器件504具有尺寸(例如。海南廢棄電子料回收廠家
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