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所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個(gè)印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200由另一個(gè)印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件400的圖。參考回圖5，每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至輸入分流管606a，并且每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過(guò)輸入分流管606a進(jìn)入各冷卻管，并且被加熱的液體通過(guò)輸出分流管606b離開各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以704示出)。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選。甘肅電容電阻回收價(jià)格

達(dá)到固定散熱機(jī)構(gòu)3的目的，之后打開管蓋6，并通過(guò)導(dǎo)管5向空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)加注部分純凈水，接著蓋上管蓋6，在芯片本體1工作散發(fā)熱量的時(shí)候，熱量被空心導(dǎo)熱塊31吸收，同時(shí)空心導(dǎo)熱塊31內(nèi)部的純凈水受熱蒸發(fā)，并通過(guò)連通管32和第二連接管34進(jìn)入到空心散熱塊33和第二散熱塊35中，利用空心散熱塊33和第二空心散熱塊35較大的散熱面積快速的把熱量導(dǎo)出，然后水蒸汽凝結(jié)成水珠，水珠回到空心導(dǎo)熱塊31中繼續(xù)吸收熱量，該結(jié)構(gòu)能夠有效提高芯片的散熱效率，同時(shí)提高了芯片運(yùn)行的流暢性，以及避免芯片因高溫而損傷，提高了芯片的使用壽命。以上所述，為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。山西電感元件回收量大從優(yōu)上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎新老客戶來(lái)電！

每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒(méi)有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120，所述計(jì)算部件包括處理器104和存儲(chǔ)器106。存儲(chǔ)器106包括多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。由雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲(chǔ)液器114適應(yīng)液體體積的改變。

在半導(dǎo)體基底200上方形成中間層210、220和230。半導(dǎo)體基底200包括作為半導(dǎo)體晶圓的硅。在各種實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200可以包括另一元素半導(dǎo)體(諸如，鍺)、化合物半導(dǎo)體(諸如，碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦)、合金半導(dǎo)體(諸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它們的組合。半導(dǎo)體基底200可以包括有源區(qū)、外延特征、隔離結(jié)構(gòu)、鰭狀半導(dǎo)體區(qū)域和/或其他合適的特征。在一些示例實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200包括多晶硅層，該多晶硅層可被用于形成多晶硅柵電極或者用于在柵極替換工藝中形成虛設(shè)柵電極。中間層210、220和230可以是介電層，可以通過(guò)諸如熱氧化、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物相沉積(pvd)、等離子體增強(qiáng)cvd(pecvd)和原子層沉積(ald)的一種或更多種沉積技術(shù)形成所述介電層。參照?qǐng)D4b，在設(shè)置在介電層230上方的層240和層250上方對(duì)光致抗蝕劑(或抗蝕劑圖案)pr1、pr2和pr3進(jìn)行圖案化。例如，層250可以是含硅硬掩模層，層240可以是抗反射涂層?？梢允褂胏vd、pvd或其他合適的方法形成層240和層250。在一些示例實(shí)施例中，可以在介電層230上方直接形成抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3而沒(méi)有層240和層250。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司。

側(cè)壁間隔件261和262)的節(jié)距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁間隔件(例如，側(cè)壁間隔件262和263)的節(jié)距p4。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁間隔件261至266的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距。在一些實(shí)施例中，可以以圖4f的結(jié)構(gòu)作為起點(diǎn)來(lái)按順序應(yīng)用施加空間層和重復(fù)蝕刻步驟。參照?qǐng)D4g，可以在介電層220上方、在側(cè)壁間隔件261至266上方以及在側(cè)壁間隔件261至266的側(cè)壁上形成第二間隔層270。換言之，側(cè)壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實(shí)施例中，已經(jīng)制造261至266以接受材料沉積，然后將蝕刻掉261至266，在原位留下沉積的材料。在介電層220和側(cè)壁間隔件261至266上方設(shè)置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側(cè)壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料，使得第二間隔層270針對(duì)蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^(guò)cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成第二間隔層270。參照?qǐng)D4h，針對(duì)第二間隔層270執(zhí)行蝕刻工藝，從而定義第二側(cè)壁間隔件271至282。參照?qǐng)D4i，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側(cè)壁間隔件261至266，并且保留第二側(cè)壁間隔件271至282。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司。云南電子物料回收量大從優(yōu)

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調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來(lái)選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。通過(guò)使用調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置來(lái)選擇性地對(duì)存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問(wèn)，可以減小存儲(chǔ)器陣列內(nèi)的存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)的尺寸，因?yàn)樵摮叽绮辉偃Q于驅(qū)動(dòng)晶體管的尺寸。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路100的一些實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)。存儲(chǔ)器電路100包括具有多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2的存儲(chǔ)器陣列102。多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲(chǔ)器陣列102內(nèi)。例如，行存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元104a,1和104a,2，而列存儲(chǔ)單元包括存儲(chǔ)單元104a,1和104b,1。在一些實(shí)施例中，多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2可以包括多個(gè)mram單元。多個(gè)存儲(chǔ)單元104a,1至104b,2(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過(guò)介電遂穿阻擋層112a與自由層114a分隔開的固定層110a。固定層110a具有固定的磁向，而自由層114a具有可以在操作期間(通過(guò)隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬?duì)于固定層110a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。甘肅電容電阻回收價(jià)格

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