所述第二熱接口材料層與所述集成電路熱耦聯(lián)，和能夠移除的散熱器，所述散熱器與所述第二熱接口材料層熱耦聯(lián)，所述散熱器具有越過(guò)印刷電路板的與所述連接側(cè)相對(duì)的側(cè)延伸的頂表面；其中，所述兩個(gè)印刷電路裝配件被相對(duì)地放置在一起，使得在所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件的所述熱接口材料層接觸，并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在另一個(gè)方面中，本公開的實(shí)施方式提供一種用于冷卻集成電路的裝置，所述裝置包括：兩個(gè)印刷電路裝配件，每個(gè)所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，所述系統(tǒng)板上的多個(gè)印刷電路板插座，多個(gè)液體冷卻管，每個(gè)所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個(gè)集成電路模塊，和多個(gè)散熱器，每個(gè)所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個(gè)集成電路模塊熱耦聯(lián)；其中，所述印刷電路裝配件彼此相對(duì)地布置，使得所述兩個(gè)印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯(cuò)，并且所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個(gè)印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。在又一個(gè)方面中，本公開的實(shí)施方式提供一種用于冷卻集成電路的方法。上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，有需求可以來(lái)電咨詢！云南電子元件物料回收收購(gòu)
同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜?fù)的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的結(jié)構(gòu)。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照?qǐng)D1，在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上(s200)。根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)或自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成多條金屬線。sadp和saqp是制造技術(shù)。此外，根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)單圖案化(即，直接圖案化)、sadp或saqp形成多條柵極線。單圖案化也是制造技術(shù)。下面將參照?qǐng)D4a至圖4i描述單圖案化、sadp和saqp。在一些實(shí)施例中，單元線路結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于未被劃分為至少兩個(gè)相等的子線路結(jié)構(gòu)的小單元結(jié)構(gòu)。在一些示例實(shí)施例中。湖南二極管回收廠家電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！
將磁芯或者說(shuō)磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對(duì)應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)20等)。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)孔均采用激光打孔(例如，激光過(guò)孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確打孔)。所述若干外過(guò)孔包括初級(jí)繞組外過(guò)孔和次級(jí)繞組外過(guò)孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔21等)，所述若干內(nèi)過(guò)孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔和次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)20等)。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過(guò)孔的方式形成(也就是說(shuō)。
分類器電路80接收反映關(guān)于參考分類的信息的一參考電壓vc。通過(guò)人工比較一預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)獲取參考分類。預(yù)設(shè)電壓vt的微分決定信號(hào)dout于規(guī)范中規(guī)定的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。隨后，分類器電路80通過(guò)比較預(yù)設(shè)電壓vt和實(shí)際電壓vout來(lái)產(chǎn)生反映關(guān)于不成熟分類的信息的電壓vl。在訓(xùn)練階段312中，分類器電路80基于不成熟分類和參考分類將預(yù)設(shè)電壓vt更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。經(jīng)學(xué)習(xí)電壓包括神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32的經(jīng)加權(quán)值。mlc42基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率。在推理/分類階段314中，分類器電路80基于經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測(cè)。圖10是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的圖9的測(cè)量電路60的電路圖。參照?qǐng)D10，測(cè)量電路60包括取樣保持(s/h)電路600和602，以及一減法器604。s/h電路600經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一電壓v1進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路600包括任何已知的s/h電路。s/h電路602經(jīng)配置以對(duì)信號(hào)dout的一第二電壓v2進(jìn)行取樣。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括一開關(guān)、一電容器和一以操作放大器為基底所組成的放大器。在一些實(shí)施例中，s/h電路602包括任何已知的s/h電路。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！
可以在多個(gè)mtj器件106、204和206上方沉積第二ild層1102，并且然后選擇性地圖案化第二ild層1102以限定頂電極通孔開口。然后通過(guò)沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔410。在各個(gè)實(shí)施例中，第二ild層1102可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔410可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件106、204和206上方的第三ild層1104內(nèi)形成第二互連層406b。在一些實(shí)施例中，第二互連層406b包括限定存儲(chǔ)單元202a,1的位線bl1和一條或多條字線wl1至wl2的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層1104可以包括通過(guò)一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^(guò)選擇性地蝕刻第三ild層1104以在第三ild層1104內(nèi)形成開口來(lái)形成第二互連層406b。然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成第二互連層406b。如圖12的截面圖1200所示，可以在存儲(chǔ)單元202a,1上方形成第二存儲(chǔ)單元202b,1。第二存儲(chǔ)單元202b。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有需求可以來(lái)電咨詢！河北IC電子料回收量大從優(yōu)
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本實(shí)用新型屬于數(shù)據(jù)錄入裝置技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路軟件快速錄入裝置。背景技術(shù)：傳統(tǒng)依靠計(jì)算機(jī)鍵盤進(jìn)行信息錄入模式，已經(jīng)不能滿足復(fù)雜生產(chǎn)環(huán)境下數(shù)據(jù)錄入的需要。而正以追求安全化、智能化、數(shù)字化的數(shù)據(jù)錄入方法成為新形勢(shì)下的目標(biāo)。如中國(guó)發(fā)明專利公開號(hào)“cn”名稱為“一種手持式采油工數(shù)據(jù)錄入儀”的**公開了一種油田采油生產(chǎn)中技術(shù)參數(shù)和資料的錄入裝置。其特征在于：該裝置主要包括一個(gè)4×4的鍵盤，一個(gè)**處理器cpu，兩個(gè)鐵電存儲(chǔ)器32k×2和一個(gè)多路選擇器。該種數(shù)據(jù)錄入裝置結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，只能根據(jù)預(yù)設(shè)置流程和界面進(jìn)行操作，操作界面死板，動(dòng)態(tài)輸入性較差，從而根據(jù)數(shù)據(jù)解析的設(shè)置簡(jiǎn)單。如中國(guó)發(fā)明專利公開號(hào)“cn”名稱為“一種多媒體指紋考勤機(jī)”的**公開了一種多媒體指紋考勤機(jī)，包括了微處理器、指紋采集器、存儲(chǔ)器、揚(yáng)聲器、tft-lcd顯示屏和用于輸入指令或數(shù)據(jù)的觸摸屏。該種輸入設(shè)備功能較為單一，輸入設(shè)備操作不方便，主要為通過(guò)指紋觸摸對(duì)固定指令進(jìn)行操作，動(dòng)態(tài)輸入性較差。針對(duì)于目前工廠對(duì)產(chǎn)品制造良率的要求越來(lái)越高；工人人工操作機(jī)器容易疲勞且容易出錯(cuò)誤判的問(wèn)題，如何解決成為了該領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。云南電子元件物料回收收購(gòu)
上海海谷電子有限公司屬于電子元器件的高新企業(yè)，技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù)，是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)。公司擁有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具有電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收等多項(xiàng)業(yè)務(wù)。上海海谷電子順應(yīng)時(shí)代發(fā)展和市場(chǎng)需求，通過(guò)**技術(shù)，力圖保證高規(guī)格高質(zhì)量的電子元件回收，電子料回收，呆滯料回收，電子物料回收。