每個單元線路結(jié)構(gòu)的六條列金屬線ml1至ml6可以在方向x上布置成交替地具有金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12。金屬節(jié)距pm11和第二金屬節(jié)距pm12可以由表達(dá)式1表示。表達(dá)式1pm11＝wdm+wmlpm12＝pdm-(wdm+wml)在表達(dá)式1中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1、dpm2和dpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml6的寬度。在形成列金屬線ml1至ml6之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線gl1至gl4。參照圖5，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws1的四條柵極線gl1至gl4可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg1。柵極節(jié)距pg1可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。圖5示出了均具有相同的布圖或相同的形貌(topography)的兩個單元線路結(jié)構(gòu)：左側(cè)的一個被標(biāo)識為uws1，在x軸上向右側(cè)移位的一個也被標(biāo)識為uws1。圖5的左側(cè)的uws1內(nèi)的空間關(guān)系與右側(cè)的uws1內(nèi)的空間關(guān)系相同?？臻g關(guān)系包括gtl中的gl1、gl2、gl3、gl4之間的節(jié)距以及ccl中的ml1、ml2、ml3、ml4、ml5、ml6之間的節(jié)距還有ccl和gtl中的特征之間的相對節(jié)距。圖5表示其中存在6n條金屬線和4n條柵極線的通常示例。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，期待您的光臨！湖北電子元件回收公司
調(diào)節(jié)mtj器件、第二調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如，在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括與工作mtj器件106并聯(lián)連接的薄膜電阻器和第二薄膜電阻器。在各個實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108可以包括具有基本類似的尺寸或具有不同的尺寸的電阻器。存儲器陣列102通過多條位線bl1至bl2和多條字線wl1至wl2連接至控制電路115。在一些實(shí)施例中，控制電路115包括連接至多條位線bl1至bl2的位線解碼器116和連接至多條字線wl1至wl2的字線解碼器118。調(diào)節(jié)訪問裝置108連接在字線wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之間，而工作mtj器件106連接在調(diào)節(jié)訪問裝置108和位線bly(y＝1或2)之間。為了訪問工作mtj器件106。湖南進(jìn)口晶振回收平臺電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有想法的可以來電咨詢！
存儲器陣列內(nèi)的存儲單元可以在相同的互連層上彼此橫向鄰近布置。應(yīng)當(dāng)理解，圖4a至圖4b所示的集成芯片400和414可以實(shí)現(xiàn)圖2的存儲器陣列102的集成芯片的兩個非限制性實(shí)施例，并且可以在可選實(shí)施例中使用其它實(shí)施方式。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或與工作mtj器件不同的尺寸。例如，圖5a示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路500的一些額外實(shí)施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置包括具有不同尺寸的調(diào)節(jié)器件。存儲器電路500包括多個存儲單元502a,1至502c,3，每個存儲單元分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和被配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件504和第二調(diào)節(jié)mtj器件506。調(diào)節(jié)mtj器件504連接在字線(例如，wl1)和工作mtj器件106之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件506連接在第二字線(例如，wl2)和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進(jìn)一步連接至位線(例如，bl1)。圖5b示出了對應(yīng)于圖5a的存儲器電路500的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖508。如截面圖508所示，調(diào)節(jié)mtj器件504具有尺寸(例如。
該比較器經(jīng)配置以通過將一預(yù)設(shè)電壓與一實(shí)際電壓進(jìn)行比較來產(chǎn)生關(guān)于該不成熟分類的信息。在一些實(shí)施例中，該預(yù)設(shè)電壓的微分決定該信號的預(yù)設(shè)回轉(zhuǎn)率。在一些實(shí)施例中，該機(jī)器學(xué)習(xí)電路還包括一測量電路。該測量電路經(jīng)配置以通過實(shí)際測量該信號來提供該實(shí)際電壓。在一些實(shí)施例中，該測量電路包括一取樣保持電路、一第二取樣保持電路以及一減法器電路。該取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號的一電壓。該第二取樣保持電路經(jīng)配置以取樣該信號的一第二電壓。該減法器電路經(jīng)配置以通過從該第二電壓中減去該電壓來提供該實(shí)際電壓。在一些實(shí)施例中，該實(shí)際電壓的微分決定該信號的實(shí)際回轉(zhuǎn)率。在一些實(shí)施例中，該機(jī)器學(xué)習(xí)電路還包括一加法器電路。該加法器電路經(jīng)配置以通過將反映該差異的變化加到一預(yù)設(shè)權(quán)重來提供一經(jīng)更新權(quán)重。在一些實(shí)施例中，該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓是該經(jīng)更新權(quán)重的函數(shù)。在本公開中，一旦進(jìn)入預(yù)測階段并且在完成該機(jī)器學(xué)習(xí)電路的訓(xùn)練之后，就不再需要人力。使用該機(jī)器學(xué)習(xí)電路來調(diào)整回轉(zhuǎn)率是相對方便的。在比較方法中，經(jīng)配置以測量信號的電壓的示波器的尺寸相對較大。此外，需要手動調(diào)整回轉(zhuǎn)率。結(jié)果，比較方法相對不方便。上文已相當(dāng)?shù)馗攀霰竟_的技術(shù)特征及優(yōu)點(diǎn)。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎您的來電哦！
sr)調(diào)整程序以進(jìn)行另一次迭代的調(diào)整程序以前，使用者采取的步驟。在調(diào)整流程中，在操作200中調(diào)整信號dout的回轉(zhuǎn)率，直到操作202中產(chǎn)生的信號dout在操作204中的測量滿足在操作208中獲取的規(guī)范，其中使用者于操作206中評估該測量。應(yīng)當(dāng)注意，該規(guī)范對于操作206中的評估可能是關(guān)鍵的。此外，應(yīng)該注意，該規(guī)范通常是非正式的，并且可以不由圖1的使用者應(yīng)用端12輸入?？傊?，前述操作被迭代地執(zhí)行，直到經(jīng)調(diào)整回轉(zhuǎn)率滿足規(guī)范的要求。經(jīng)配置以測量信號dout的電壓的示波器120的尺寸相對較大。此外，需要手動調(diào)整回轉(zhuǎn)率。結(jié)果，比較方法相對不方便。圖3是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的具有一機(jī)器學(xué)習(xí)電路(machinelearningcircuit，mlc)42的一電路30的示意圖。參考圖3，電路30包括一ic元件10和包括mlc42的一集成電路元件40。在一些實(shí)施例中，ic元件10和ic元件40集成在單個芯片中。在一些實(shí)施例中，ic元件10和ic元件40分別集成在不同的芯片中，并且包括ic元件10的芯片及包括ic元件40的芯片被設(shè)置在母板上。ic元件10和ic元件40通過母板彼此通信。mlc42經(jīng)配置以通過機(jī)器學(xué)習(xí)執(zhí)行一個或多個任務(wù)。mlc42經(jīng)由一互連電路46(例如通信總線)通信地耦合到ic元件10。初，mlc42進(jìn)入訓(xùn)練階段。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！上海收購電子元器件回收收購
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本發(fā)明可以采用印制線及激光精確打過孔方式實(shí)現(xiàn)變壓器線圈的繞制)。所述上覆銅層上壓合有半固化片。所述半固化片的壓合面朝向所述環(huán)形槽的對應(yīng)處設(shè)置有開窗(半固化片開窗，將磁芯所處于的覆銅芯板層之間的半固化片對應(yīng)所述磁芯槽開窗，這樣可以采用厚度更厚的磁環(huán)；壓合，疊板時在磁芯槽和所述開窗中放入磁環(huán)，然后將覆銅芯板與半固化片壓合)。由印制線連接過孔繞制的磁環(huán)變壓器內(nèi)置于所述基板本體的絕緣體內(nèi)，沒有空氣爬電距離的路徑，能達(dá)到。本發(fā)明能夠帶來以下優(yōu)點(diǎn)：實(shí)現(xiàn)了更大功率，更高效率的IC集成電源；以少的通道實(shí)現(xiàn)了雙向信號的傳輸；基板集成封裝工藝一次成型，成本更低。在此指明，以上敘述有助于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明創(chuàng)造，但并非限制本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍。任何沒有脫離本發(fā)明創(chuàng)造實(shí)質(zhì)內(nèi)容的對以上敘述的等同替換、修飾改進(jìn)和/或刪繁從簡而進(jìn)行的實(shí)施，均落入本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍。湖北電子元件回收公司
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