調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內(nèi)的存儲單元(例如，mram單元)的尺寸，因為該尺寸不再取決于驅(qū)動晶體管的尺寸。圖1示出了具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲器電路100的一些實施例的示意圖，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。存儲器電路100包括具有多個存儲單元104a,1至104b,2的存儲器陣列102。多個存儲單元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存儲器陣列102內(nèi)。例如，行存儲單元包括存儲單元104a,1和104a,2，而列存儲單元包括存儲單元104a,1和104b,1。在一些實施例中，多個存儲單元104a,1至104b,2可以包括多個mram單元。多個存儲單元104a,1至104b,2(例如，mram單元)分別包括連接至調(diào)節(jié)訪問裝置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道結(jié)(mtj)，磁隧道結(jié)(mtj)具有通過介電遂穿阻擋層112a與自由層114a分隔開的固定層110a。固定層110a具有固定的磁向，而自由層114a具有可以在操作期間(通過隧道磁阻(tmr)效應(yīng))改變?yōu)橄鄬τ诠潭▽?10a的磁向平行(即，“p”狀態(tài))或反向平行(即，“ap”狀態(tài))的磁向。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎新老客戶來電！三極管回收市場
可以通過執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12的上述布局和布線來確定集成電路300的布圖。可以通過電力軌311至316向標(biāo)準(zhǔn)單元sc1至sc12提供電力。電力軌311至316可以包括用于提供電源電壓vdd的高電力軌311、313和315，以及用于提供比電源電壓vdd低的第二電源電壓vss的低電力軌312、314和316。例如，電源電壓vdd可以具有正電壓電平，第二電源電壓vss可以具有地電平(例如，0v)或負電壓電平。高電力軌311、313和315以及低電力軌312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成與由布置在第二方向y上的電力軌311至316定義的區(qū)域?qū)?yīng)的多個電路行cr1至cr5的邊界。根據(jù)一些示例實施例，可以通過在第二方向y上延伸的電力網(wǎng)線路321至324將電力分配到電力軌311至316。一些電力網(wǎng)線路322和324可以提供電源電壓vdd，并且其他電力網(wǎng)線路321和323可以提供第二電源電壓vss。電力網(wǎng)線路321至324可以通過豎直接觸件vc(諸如，通孔接觸件)連接到電力軌311至316。通常，電路行cr1至cr5中的每個可以連接到位于其邊界的兩個相鄰的電力軌以便被供電。例如，電路行cr1中的標(biāo)準(zhǔn)單元sc1和sc2可以連接到包括高電力軌311和低電力軌312的相鄰的且相應(yīng)的電力軌對。根據(jù)示例實施例，如圖16中所示。山東呆滯料回收收購電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！
多個mtj器件106、204和206分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以形成為接觸底電極通孔408。在其它實施例中，自由層114可以形成為接觸底電極通孔408。多個mtj器件106、204和206中的一個包括被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)的工作mtj器件106。多個mtj器件106、204和206中的一個或多個包括設(shè)置在調(diào)節(jié)訪問裝置108內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件204和206，調(diào)節(jié)訪問裝置108被配置為控制(即，調(diào)節(jié))提供給相關(guān)的工作mtj器件106的電流。在一些實施例中，可以同時形成多個mtj器件106、204和206。例如，在一些實施例中，可以通過在介電層1002和多個底電極通孔408上方沉積磁固定膜，在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件106、204和206。可以對磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件106、204和206。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件106、204和206。如圖11的截面圖1100所示，在多個mtj器件106、204和206上方形成多個頂電極通孔410。多個頂電極通孔410由第二ild層1102圍繞。在一些實施例中。
圖2是圖1的俯視方向示意圖。附圖標(biāo)記列示如下：1-芯板；2-上覆銅層；3-下覆銅層；4-磁環(huán)；5-第二磁環(huán)；6-第三磁環(huán)；7-環(huán)形槽；8-第二環(huán)形槽；9-第三環(huán)形槽；10-環(huán)初級繞組外過孔；11-環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；12-環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；13-環(huán)次級繞組外過孔；14-第二環(huán)初級繞組外過孔；15-第二環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；16-第二環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；17-第二環(huán)次級繞組外過孔；18-第三環(huán)初級繞組外過孔；19-第三環(huán)初級繞組內(nèi)過孔；20-第三環(huán)次級繞組內(nèi)過孔；21-第三環(huán)次級繞組外過孔。具體實施方式下面結(jié)合附圖(圖1-圖2)對本發(fā)明進行說明。圖1是實施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖1表現(xiàn)的是截面結(jié)構(gòu)。圖2是圖1的俯視方向示意圖。如圖1至圖2所示，一種集成電路基板，包括基板本體，所述基板本體中包括覆銅芯板，所述覆銅芯板包括芯板1和結(jié)合于芯板1表面的上覆銅層2以及結(jié)合于芯板1底面的下覆銅層3，所述芯板1上設(shè)置有開口朝上的環(huán)形槽(例如環(huán)形槽7；第二環(huán)形槽8；第三環(huán)形槽9)，所述開口延伸至所述上覆銅層2之外。所述環(huán)形槽為控深銑槽(即采用銑削工藝并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述開口位于所述上覆銅層的部分為蝕刻開口(例如，蝕刻銅箔。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎您的來電！
例如，使用信號dout的電壓來訓(xùn)練神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32。接下來，在基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)調(diào)整了權(quán)重之后，mlc42使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)32對包括信號dout的電壓的驗證數(shù)據(jù)進行分類。接下來，在預(yù)測階段316中，mlc42基于推理/分類階段314中的分類結(jié)果來執(zhí)行預(yù)測。圖6的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于具有圖3的機器學(xué)習(xí)電路42的電路30的迭代流程。參照圖6，迭代流程類似于圖2的迭代流程，除了例如圖6的迭代流程包括在操作500中的一機器學(xué)習(xí)程序(在圖6中標(biāo)記為進行機器學(xué)習(xí))和在操作504中的獲取規(guī)范之外。在操作500中，mlc42進行學(xué)習(xí)并產(chǎn)生一不成熟分類。使用者向mlc42提供一參考分類。如果不成熟分類不正確，則mlc42調(diào)整一權(quán)重。在本公開中，正確的分類指的是不成熟分類與參考分類相同。重復(fù)執(zhí)行前述過程，直到在操作502中判斷出在操作504的規(guī)范中獲取的一校正率能夠被滿足。校正率指的是正確分類的數(shù)量與總分類數(shù)量的比率。圖7的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的訓(xùn)練階段312和推理/分類階段314。參照圖7，在訓(xùn)練階段312中，不執(zhí)行操作200中的回轉(zhuǎn)率的調(diào)整。在操作500中，例如，收集100筆數(shù)據(jù)，其中80筆數(shù)據(jù)做為訓(xùn)練數(shù)據(jù)，并且20筆數(shù)據(jù)做為驗證數(shù)據(jù)。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！青海電子物料回收公司
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