本實(shí)用新型涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種組合式集成電路芯片。背景技術(shù)：集成電路是一種微型電子器件或部件，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步，而集成電路芯片是包括一硅基板、至少一電路、一固定封環(huán)、一接地環(huán)及至少一防護(hù)環(huán)的電子元件，其電路形成于硅基板上，電路具有至少一輸出/輸入墊，固定封環(huán)形成于硅基板上，并圍繞電路及輸出/輸入墊，接地環(huán)形成于硅基板及輸出/輸入墊之間，并與固定封環(huán)電連接，防護(hù)環(huán)設(shè)置于硅基板之上，并圍繞輸出/輸入墊，用以與固定封環(huán)電連接。目前集成電路芯片在使用的時(shí)候會(huì)散發(fā)大量的熱量，但現(xiàn)有的芯片散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片的使用壽命。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中集成電路芯片的散熱效率較低，導(dǎo)致芯片長時(shí)間處于高溫環(huán)境中，高溫不光影響芯片運(yùn)行的流暢度，還會(huì)損傷芯片，進(jìn)而影響芯片使用壽命的問題，而提出的一種組合式集成電路芯片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：一種組合式集成電路芯片，包括芯片本體。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！黑龍江電子物料回收平臺(tái)
圖4a示出了對(duì)應(yīng)于圖2的存儲(chǔ)器陣列102的集成芯片400的一些實(shí)施例的截面圖。集成芯片400包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲(chǔ)單元202a,1和第二存儲(chǔ)單元202b,1，第二存儲(chǔ)單元202b,1鄰近于存儲(chǔ)單元202a,1橫向定位。介電結(jié)構(gòu)404還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406c。在一些實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)404可以包括多個(gè)堆疊的ild層。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲(chǔ)單元202a,1和第二存儲(chǔ)單元202b,1分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置108和工作mtj器件106。調(diào)節(jié)訪問裝置108連接至限定多條字線wl1至wl4的互連層406a。多條字線wl1至wl4中的兩個(gè)連接至圖2的存儲(chǔ)器陣列102的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元。例如，字線wl1至wl2可以連接至行中的存儲(chǔ)單元202a,1，并且字線wl3至wl4可以連接至第二行中的第二存儲(chǔ)單元202b,1。在一些實(shí)施例中，多條字線wl1至wl4可以與襯底402分隔開非零距離d。第二互連層406b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置108和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進(jìn)一步連接至限定位線bl1的第三互連層406c。黑龍江電子物料回收平臺(tái)上海海谷電子有限公司電子料回收值得用戶放心。
接收關(guān)于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓；以及基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實(shí)際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應(yīng)于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預(yù)設(shè)電壓改為耦合到一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅(qū)動(dòng)器以及一機(jī)器學(xué)習(xí)電路。該驅(qū)動(dòng)器經(jīng)配置以驅(qū)動(dòng)一信號(hào)。該機(jī)器學(xué)習(xí)電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應(yīng)于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓，其中該機(jī)器學(xué)習(xí)電路經(jīng)配置以基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓來調(diào)整該信號(hào)的一回轉(zhuǎn)率。雖然已詳述本公開及其優(yōu)點(diǎn)，然而應(yīng)理解可進(jìn)行各種變化、取代與替代而不脫離權(quán)利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如，可用不同的方法實(shí)施上述的許多工藝，并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者。
四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對(duì)單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個(gè)，可以使用三個(gè)四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對(duì)每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照?qǐng)D8，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照?qǐng)D9。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來電！
由比較器800產(chǎn)生的經(jīng)配置以調(diào)整信號(hào)dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測還可能是正確的。圖13是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的信號(hào)的回轉(zhuǎn)率的一調(diào)整方法90的流程圖。參考圖13，調(diào)整方法90包括操作92、94、96和98。調(diào)整方法90開始于操作92，其中通過將一預(yù)設(shè)電壓與一實(shí)際電壓進(jìn)行比較來提供一不成熟分類。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作94，其中接收一參考分類，其中通過人工將該預(yù)設(shè)電壓與該實(shí)際電壓進(jìn)行比較來獲取該參考分類。調(diào)整方法90進(jìn)行到操作96，其中基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學(xué)習(xí)電壓。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作98，其中基于該經(jīng)學(xué)習(xí)電壓產(chǎn)生一預(yù)測以調(diào)整一回轉(zhuǎn)率。調(diào)整方法90是示例，并且不旨在將本公開限制為超出權(quán)利要求中明確記載的內(nèi)容?？梢栽谡{(diào)整方法90之前、期間和之后提供附加操作，并且為了調(diào)整方法90的額外實(shí)施例可以替換、消除或移動(dòng)所描述的一些操作。在本公開中，mlc42控制src電路104而不涉及人力。因此，使用mlc42來調(diào)整回轉(zhuǎn)率是相對(duì)方便的。本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測量電路以及一分類器電路。該測量電路經(jīng)配置以獲取一實(shí)際電壓。該分類器電路經(jīng)配置以：通過比較一預(yù)設(shè)電壓和該實(shí)際電壓來產(chǎn)生關(guān)于一不成熟分類的信息。電子料回收哪家好，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選！山西電子元件回收聯(lián)系方式
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雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問裝置描述了圖2至圖8b中示出的操作和/或裝置，但是應(yīng)該理解，公開的存儲(chǔ)單元不限于這樣的實(shí)施例。而且，在可選實(shí)施例中，圖2至圖8b的操作和/或裝置可以實(shí)施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如，包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖9至圖12示出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的截面圖900至1200，該存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)單元(例如，mram單元)，各存儲(chǔ)單元具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖9至圖12，但是應(yīng)該理解，圖9至圖12中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。如圖9的截面圖900所示，在襯底402上方形成互連層406a。在一些實(shí)施例中，通過在襯底402上方形成層間介電(ild)層904來形成互連層406a。在一些實(shí)施例中，ild層904可以通過一個(gè)或多個(gè)附加介電層902與襯底402分隔開。圖案化ild層904以限定溝槽906。在一些實(shí)施例中，可以通過在ild層904上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來去除ild層904的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層904。在溝槽906內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如。黑龍江電子物料回收平臺(tái)
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