該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預設電壓改為耦合到一經(jīng)學習電壓。在一些實施例中，該參考電壓反映一參考分類，該參考分類通過人工比較該預設電壓和該實際電壓來獲取。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一分壓器以及一加法器電路。該分壓器經(jīng)配置以接收該減法器電路的該輸出端的該電壓。該加法器電路包括一輸入端耦合到該分壓器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一預設權重。在一些實施例中，該集成電路元件還包括一反相器以及一乘法器電路。該反相器包括一輸入端耦合到該加法器電路的一輸出端。該乘法器電路包括一輸入端耦合到該反相器的該輸出端，以及另一輸入端耦合到該預設電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅動器以及一機器學習電路。該驅動器經(jīng)配置以驅動一信號。該機器學習電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經(jīng)學習電壓，其中該機器學習電路經(jīng)配置以基于該經(jīng)學習電壓來調整該信號的一回轉率。在一些實施例中。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，歡迎您的來電！貴州三極管回收中心
位線解碼器116被配置為基于從控制單元120接收的地址saddr1選擇性地向一條或多條位線bl1至bl2提供信號(例如，電壓)。而字線解碼器118被配置為基于從控制單元120接收的地址saddr2選擇性地向一條或多條字線wl1至wl2提供信號(例如，電壓)。調節(jié)訪問裝置108被配置為調節(jié)電流(提供給相關的工作mtj器件106的信號)，并且由此選擇性地對相關的工作mtj器件106提供訪問。例如，在寫入操作期間，存儲器陣列102內的調節(jié)訪問裝置108可以對選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供大于或等于小切換電流(即，足以使存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)改變的電流)電流，而對未選擇的存儲單元內的工作mtj器件提供小于小切換電流的電流。使用調節(jié)訪問裝置108來選擇性地對工作mtj器件106提供訪問提供了沒有驅動晶體管的存儲單元。沒有驅動晶體管的存儲單元允許存儲器陣列102的尺寸減小，從而改進存儲器電路100的性能并且減小成本。圖2示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路200的一些額外實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)mtj器件。存儲器電路200包括存儲器陣列102，存儲器陣列102具有以行和列布置的多個存儲單元202a,1至202c,3(例如，mram單元)。多個存儲單元202a。福建集成電路回收行情電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有需要可以聯(lián)系我司哦！
減法器604經(jīng)配置以通過從第二電壓v2減去電壓v1來提供實際電壓vout。因此，實際電壓vout與電壓v1和第二電壓v2相關聯(lián)。圖11是根據(jù)本公開的一些實施例的圖9的分類器電路80的電路圖。參考圖11，分類器電路80包括一比較器800、一減法器電路802、一分壓器804、一加法器電路806、一反相器810、一暫存器812、一乘法器814和一暫存器816。在圖11中，符號(i)表示當前的特性；符號(i+1)表示下一次的特性。比較器800具有耦合到實際電壓vout(i)的一輸入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的電壓的另一輸入端，以及耦合到一節(jié)點n0的一輸出端，其中在式子中的w(i)表示神經(jīng)網(wǎng)絡32的權重，以及vt表示預設電壓。權重w(i)初是1，并且被稱為一預設權重。因此，比較器800的另一輸入端初耦合到預設電壓vt。比較器800經(jīng)配置以通過將預設電壓vt與實際電壓vout進行比較來產生關于不成熟分類的信息。減法器電路802具有耦合到比較器800的一輸出端的一輸入端和耦合到一參考電壓vc(i)的另一輸入端，從而從電壓v1(i)中減去參考電壓vc(i)。因此，減法器電路802向分壓器804提供一電壓(v1(i)-vc(i))。因此，分壓器804提供電壓η(v1-vc)，其中η表示學習速率，以及η的范圍從大約0到大約1。
包括：在襯底上方形成互連層；在所述互連層正上方形成多個mtj器件，其中，所述多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調節(jié)mtj器件，所述一個或多個調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地控制流至所述工作mtj器件的電流；以及在所述多個mtj器件上方形成第二互連層，其中，所述互連層和所述第二互連層中的一個或兩個限定位線和一條或多條字線。附圖說明當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可佳理解本發(fā)明的各個方面。應該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。圖1示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對操作磁隧道結(mtj)器件提供訪問。圖2示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節(jié)訪問裝置包括調節(jié)mtj器件，該調節(jié)mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖3a至圖3c示出了圖2的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖4a至圖4b示出了對應于圖2的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖5a至圖5b示出了具有調節(jié)訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，歡迎您的來電！
在介電層220以及心軸圖案231、232和233的上方設置間隔層260。間隔層260包括與介電層220和心軸圖案231、232和233不同的一種或更多種材料，使得間隔層260針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性。可以通過cvd工藝、pvd工藝、原子層沉積(ald)工藝或其他合適的沉積技術形成間隔層260。參照圖4e，針對間隔層260執(zhí)行蝕刻工藝，因此定義側壁間隔件261至266。側壁間隔件261(類似地，262至266)在此可以稱為第二心軸圖案。如圖4e中所示，心軸圖案231在蝕刻之前存在。圖4f中示出蝕刻掉心軸圖案231后的結果(例如，側壁間隔件261和262保留)。在一些實施例中，在261與262之間獲得的節(jié)距(在一些實施例中也稱為距離、間隔、分辨率、特征分辨率或特征分隔距離)比使用提供圖4b的抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的光刻可獲得的節(jié)距小或精確。參照圖4f，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除心軸圖案231、232和233，并且保留側壁間隔件261至266。261形成為側壁，并且在一些實施例中，將在后面的工藝步驟中被蝕刻掉，因此它是間隔件?？偠灾?61可以被稱為側壁間隔件。側壁間隔件261至266在方向x上具有節(jié)距p3和p4以及寬度w3。與一個心軸圖案對應的兩個側壁間隔件(例如。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，用戶的信賴之選，有需要可以聯(lián)系我司哦！福建集成電路回收行情
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側壁間隔件261和262)的節(jié)距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個相對的側壁間隔件(例如，側壁間隔件262和263)的節(jié)距p4。在一些實施例中，側壁間隔件261至266的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距。在一些實施例中，可以以圖4f的結構作為起點來按順序應用施加空間層和重復蝕刻步驟。參照圖4g，可以在介電層220上方、在側壁間隔件261至266上方以及在側壁間隔件261至266的側壁上形成第二間隔層270。換言之，側壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實施例中，已經(jīng)制造261至266以接受材料沉積，然后將蝕刻掉261至266，在原位留下沉積的材料。在介電層220和側壁間隔件261至266上方設置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料，使得第二間隔層270針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術形成第二間隔層270。參照圖4h，針對第二間隔層270執(zhí)行蝕刻工藝，從而定義第二側壁間隔件271至282。參照圖4i，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側壁間隔件261至266，并且保留第二側壁間隔件271至282。貴州三極管回收中心
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