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通過(guò)在覆銅芯板中設(shè)置容納磁環(huán)的環(huán)形槽，有利于提高或擴(kuò)展集成電路封裝基板的電路功能，例如能夠通過(guò)對(duì)沿磁環(huán)內(nèi)外分布的過(guò)孔進(jìn)行繞制連接以將微變壓器集成在集成電路基板內(nèi)。本發(fā)明具有的特點(diǎn)：通過(guò)實(shí)施本發(fā)明，能夠在集成電路有機(jī)基板本體內(nèi)采用埋磁技術(shù)預(yù)制一只或多只磁環(huán)，通過(guò)激光過(guò)孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)變壓器，并且電感量和耦合系數(shù)都非常高，有利于電源的功率輸出和效率。再采用SIP工藝集成Die和分離器件來(lái)多種表面處理方式以方便引線鍵合,倒裝芯片或混合類型連接，完成整體功能，如隔離電源，隔離信號(hào)傳輸?shù)入娐饭δ?。通過(guò)采用印制線及激光精確打過(guò)孔方式實(shí)現(xiàn)變壓器線圈的繞制，代替了人工繞制的困難，特別是直徑比較小的磁環(huán)變壓器，不支持機(jī)器繞制，只能人工費(fèi)時(shí)繞制。本發(fā)明克服了繞制線圈的非一致性，離散性；方便出引腳，SMT焊接機(jī)械對(duì)位和一致性；人工繞制的變壓器還得有底托，并且引腳必須有寄托，還有就是SMT焊接不能吸取(由于磁環(huán)中空)。本發(fā)明節(jié)約了成本，與純銅漆包線繞制，整體節(jié)約50％成本。本發(fā)明由于將微變壓器內(nèi)置于絕緣體內(nèi)，沒(méi)有空氣爬電距離的路徑，在很小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高耐壓初次級(jí)要達(dá)到。附圖說(shuō)明圖1是實(shí)施本發(fā)明一種集成電路基板的結(jié)構(gòu)示意圖。電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，歡迎客戶來(lái)電！遼寧電子芯片回收收購(gòu)

同樣的附圖標(biāo)記始終表示同樣的元件?？梢允÷灾貜?fù)的描述。在下文中，在三維空間中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根據(jù)示例實(shí)施例的集成電路的結(jié)構(gòu)。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是豎直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。圖1是示出制造集成電路的方法的流程圖。參照?qǐng)D1，在半導(dǎo)體基底上方的柵極層中形成多條柵極線，其中，所述多條柵極線布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在柵極層上方的導(dǎo)電層中形成多條金屬線，其中，所述多條金屬線布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，其中，n是正整數(shù)，并且多個(gè)單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上(s200)。根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)或自對(duì)準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成多條金屬線。sadp和saqp是制造技術(shù)。此外，根據(jù)示例實(shí)施例，可以通過(guò)單圖案化(即，直接圖案化)、sadp或saqp形成多條柵極線。單圖案化也是制造技術(shù)。下面將參照?qǐng)D4a至圖4i描述單圖案化、sadp和saqp。在一些實(shí)施例中，單元線路結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于未被劃分為至少兩個(gè)相等的子線路結(jié)構(gòu)的小單元結(jié)構(gòu)。在一些示例實(shí)施例中。上海電子元器件回收公司電子料回收，請(qǐng)選擇上海海谷電子有限公司，讓您滿意，歡迎您的來(lái)電！

可以在多個(gè)mtj器件106、204和206上方沉積第二ild層1102，并且然后選擇性地圖案化第二ild層1102以限定頂電極通孔開(kāi)口。然后通過(guò)沉積工藝在頂電極通孔開(kāi)口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔410。在各個(gè)實(shí)施例中，第二ild層1102可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔410可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件106、204和206上方的第三ild層1104內(nèi)形成第二互連層406b。在一些實(shí)施例中，第二互連層406b包括限定存儲(chǔ)單元202a,1的位線bl1和一條或多條字線wl1至wl2的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層1104可以包括通過(guò)一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^(guò)選擇性地蝕刻第三ild層1104以在第三ild層1104內(nèi)形成開(kāi)口來(lái)形成第二互連層406b。然后在開(kāi)口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成第二互連層406b。如圖12的截面圖1200所示，可以在存儲(chǔ)單元202a,1上方形成第二存儲(chǔ)單元202b,1。第二存儲(chǔ)單元202b。

固定層110具有固定的磁取向，該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對(duì)自由層114的磁沖擊。在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括附加層。例如，在一些實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括位于底電極通孔408和固定層之間的反鐵磁層。在其它實(shí)施例中，mtj中的一個(gè)或多個(gè)可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如，附加固定層、第二附加固定層等)和/或附加自由層(例如，附加自由層、第二附加自由層等)以改進(jìn)mtj的性能。圖4b示出了對(duì)應(yīng)于圖2的存儲(chǔ)器陣列102的集成芯片414的一些可選實(shí)施例的截面圖。集成芯片414包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲(chǔ)單元202a,1。存儲(chǔ)單元202a,1包括工作mtj器件106和具有調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置108。介電結(jié)構(gòu)404還圍繞多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406f。多個(gè)導(dǎo)電互連層406a至406f包括互連層406a，互連層406a在存儲(chǔ)單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206正下方延伸為連續(xù)結(jié)構(gòu)?；ミB層406a通過(guò)第二互連層406b和多個(gè)通孔412a連接至存儲(chǔ)單元202a,1的工作mtj器件106、調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。第三互連層406c具有離散的互連結(jié)構(gòu)。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦！

contract)，“cb”表示接觸件，“vo”表示通孔接觸件，“m1”表示線路。柵極絕緣層118可以由氧化硅層、高k介電層或它們的組合形成。多條柵極線pc11、12、13、14、15和16可以跨越多個(gè)有源區(qū)ac在柵極絕緣層118上延伸，同時(shí)覆蓋每個(gè)有源區(qū)ac的上表面和兩個(gè)側(cè)壁。掩模122可以形成在柵極線pc11、12、13、14、15和16中的每條柵極線上。柵極絕緣層118的側(cè)壁、柵極線pc的側(cè)壁和掩模122的側(cè)壁可以被間隔件124覆蓋。具體地講，間隔件124可以沿著第三方向z沿著柵極絕緣層118、柵極線pc和掩模122延伸。在圖12c中所示的截面中，柵極絕緣層118可以沿著第三方向z在柵極線pc與間隔件124之間延伸。柵極線pc11、12、13、14、15和16可以具有其中金屬氮化物層、金屬層、導(dǎo)電覆蓋層和間隙填充金屬層按順序堆疊的結(jié)構(gòu)。金屬氮化物層和金屬層可以包括鈦(ti)、鉭(ta)、鎢(w)、釕(ru)、鈮(nb)、鉬(mo)、鉿(hf)等。例如，可以通過(guò)使用原子層沉積(ald)方法、金屬有機(jī)ald方法和/或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(mocvd)方法來(lái)形成金屬層和金屬氮化物層。導(dǎo)電覆蓋層可以用作防止金屬層的表面氧化的保護(hù)層。此外，導(dǎo)電覆蓋層可以用作有助于金屬層上的另一導(dǎo)電層沉積的粘合層(例如，潤(rùn)濕層(wettinglayer))。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司，歡迎您的來(lái)電！浙江電子元器件回收量大從優(yōu)

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將磁芯或者說(shuō)磁環(huán)所處的覆銅芯板靠近電路板內(nèi)側(cè)的銅箔蝕刻掉)。所述環(huán)形槽中固定有磁環(huán)(例如，對(duì)應(yīng)各環(huán)形槽的磁環(huán)4，第二磁環(huán)5，第三磁環(huán)6等)。沿所述環(huán)形槽的外圈外側(cè)設(shè)置有若干外過(guò)孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔21等)，沿所述環(huán)形槽的內(nèi)圈內(nèi)側(cè)設(shè)置有若干內(nèi)過(guò)孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)20等)。所述外過(guò)孔和內(nèi)過(guò)孔均采用激光打孔(例如，激光過(guò)孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)精確打孔)。所述若干外過(guò)孔包括初級(jí)繞組外過(guò)孔和次級(jí)繞組外過(guò)孔(例如，環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)孔10，環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)13，第二環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)14，第二環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔17，第三環(huán)初級(jí)繞組外過(guò)18，第三環(huán)次級(jí)繞組外過(guò)孔21等)，所述若干內(nèi)過(guò)孔包括初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔和次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔(例如，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔11，環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔12，第二環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔15，第二環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)16，第三環(huán)初級(jí)繞組內(nèi)過(guò)孔19，第三環(huán)次級(jí)繞組內(nèi)過(guò)20等)。初級(jí)繞組和次級(jí)繞組均采用印制線連接過(guò)孔的方式形成(也就是說(shuō)。遼寧電子芯片回收收購(gòu)

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