6n條金屬線和4n條柵極線形成單元線路結(jié)構(gòu)，n是正整數(shù)，并且多個單元線路結(jié)構(gòu)布置在方向上。在集成電路的一些實施例中，n＝1，所述多個單元線路結(jié)構(gòu)包括單元線路結(jié)構(gòu)和第二單元線路結(jié)構(gòu)，第二單元線路結(jié)構(gòu)在方向上與單元線路結(jié)構(gòu)相鄰，第二單元線路結(jié)構(gòu)的形貌與單元線路結(jié)構(gòu)的形貌相同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線之中的在方向上順序地相鄰的每三條金屬線之間的兩個金屬節(jié)距彼此不同。在集成電路的一些實施例中，所述多條金屬線通過自對準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)或自對準(zhǔn)四倍圖案化(saqp)形成。在集成電路的一些實施例中，所述多條柵極線通過單圖案化、sadp或saqp形成。在集成電路的一些實施例中，單元線路結(jié)構(gòu)是未被劃分為至少兩個相等的子線路結(jié)構(gòu)的小單元結(jié)構(gòu)。此外，在一些實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)包括六條金屬線和四條柵極線。此外，在一些實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)的六條金屬線通過自對準(zhǔn)雙倍圖案化(sadp)形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的六條金屬線在方向上布置成交替地具有金屬節(jié)距和第二金屬節(jié)距。此外，在一些實施例中，每個單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線通過單圖案化形成，并且每個單元線路結(jié)構(gòu)的四條柵極線在方向上布置成具有相等的柵極節(jié)距。通常。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司，有需求可以來電咨詢！甘肅批量電子物料回收平臺
圖4a示出了對應(yīng)于圖2的存儲器陣列102的集成芯片400的一些實施例的截面圖。集成芯片400包括布置在襯底402上方的介電結(jié)構(gòu)404。介電結(jié)構(gòu)404圍繞存儲單元202a,1和第二存儲單元202b,1，第二存儲單元202b,1鄰近于存儲單元202a,1橫向定位。介電結(jié)構(gòu)404還圍繞多個導(dǎo)電互連層406a至406c。在一些實施例中，介電結(jié)構(gòu)404可以包括多個堆疊的ild層。在各個實施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實施例中，多個導(dǎo)電互連層406a至406c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲單元202a,1和第二存儲單元202b,1分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置108和工作mtj器件106。調(diào)節(jié)訪問裝置108連接至限定多條字線wl1至wl4的互連層406a。多條字線wl1至wl4中的兩個連接至圖2的存儲器陣列102的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲單元。例如，字線wl1至wl2可以連接至行中的存儲單元202a,1，并且字線wl3至wl4可以連接至第二行中的第二存儲單元202b,1。在一些實施例中，多條字線wl1至wl4可以與襯底402分隔開非零距離d。第二互連層406b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置108和工作mtj器件106之間。工作mtj器件106進一步連接至限定位線bl1的第三互連層406c。遼寧電子料庫存回收收購上海海谷電子有限公司為您提供電子料回收，歡迎您的來電！
圖7a至圖7b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖7a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元702a,1至702c,3的存儲器電路700的一些額外實施例的示意圖。多個存儲單元702a,1至702c,3分別包括配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和配置為選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至工作mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。調(diào)節(jié)mtj器件204連接在多條字線wl1至wl6的條和多條偏置電壓線bvl1至bvl3的條之間。第二調(diào)節(jié)mtj器件206連接在多條位線bl1至bl6的條和多條偏置電壓線bvl1至bvl3的條之間。工作mtj器件106連接在多條偏置電壓線bvl1至bvl3的條和多條位線bl1至bl6的第二條之間。在操作期間，位線解碼器116被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條位線bl1至bl6，并且字線解碼器118被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl1至wl3和一條或多條偏置電壓線bvl1至bvl3。施加的信號使得調(diào)節(jié)mtj器件204內(nèi)的電流基于提供給存儲器陣列102的整個列的電壓而產(chǎn)生。
從而使下文的本公開詳細(xì)描述得以獲得較佳了解。構(gòu)成本公開的權(quán)利要求標(biāo)的的其它技術(shù)特征及優(yōu)點將描述于下文。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)了解，可相當(dāng)容易地利用下文公開的概念與特定實施例作為修改或設(shè)計其它結(jié)構(gòu)或工藝而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員亦應(yīng)了解，這類等效建構(gòu)無法脫離權(quán)利要求所界定的本公開的精神和范圍。附圖說明參閱實施方式與權(quán)利要求合并考量附圖時，可得以更了解本公開的公開內(nèi)容，附圖中相同的元件符號是指相同的元件。圖1的示意圖說明調(diào)整信號的回轉(zhuǎn)率的比較方法。圖2的流程圖說明參考圖1所示的比較方法的迭代流程。圖3是根據(jù)本公開的一些實施例的具有一機器學(xué)習(xí)電路的一電路的示意圖。圖4是根據(jù)本公開的一些實施例的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的網(wǎng)絡(luò)示意圖，其中該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過圖3的機器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行任務(wù)。圖5是根據(jù)本公開的一些實施例的通過圖3的機器學(xué)習(xí)電路執(zhí)行的程序的流程圖。圖6的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于具有圖3的機器學(xué)習(xí)電路的電路的迭代流程。圖7的流程圖說明根據(jù)本公開的一些實施例的基于圖6的迭代流程的圖5的一訓(xùn)練階段和推斷階段。電子料回收，請選擇上海海谷電子有限公司。
夾層ito涂層作為工作面，四個角上引出四個電極，內(nèi)層ito為屏蔽層以保證良好的工作環(huán)境。當(dāng)手指觸摸在金屬層上時，由于人體電場，用戶和觸摸屏表面形成以一個耦合電容，對于高頻電流來說，電容是直接導(dǎo)體，于是手指從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏的四角上的電極中流出，并且流經(jīng)這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比，控制器通過對這四個電流比例的精確計算，得出觸摸點的位置。所述高頻讀卡模塊通過rfid卡刷卡進行數(shù)據(jù)傳輸連接并存儲該數(shù)據(jù)。作為一種實施方式，所述高頻讀卡模塊采用rpd220mdic卡讀卡模塊,其為符合iso15693的高頻()rfid非接觸ic卡讀寫模塊。該模塊體積小，工作電壓寬，使用ttl串口，很容易嵌入到手持設(shè)備中。支持協(xié)議:iso15693尺寸大小:長x寬x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作電壓:～工作頻率：支持標(biāo)簽：讀卡距離：5～10cm通信接口:ttluart，方便與單片機或嵌入式系統(tǒng)連接。本所述所述錄入裝置的使用過程為：將單片pcba放到軟件錄入裝置中，扣合裝置，程序自動識別主板并錄入預(yù)置的軟件，錄入成功顯示pass,錄入失敗則顯示fail，非常的方便。針對工廠需求，治具與電腦結(jié)合來提升產(chǎn)品的質(zhì)量，電腦顯示工作狀態(tài)及數(shù)據(jù)。上海海谷電子有限公司電子料回收電子料回收服務(wù)值得放心。中國臺灣庫存電子料回收公司
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四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qmp3可以布置為在方向x上具有相同的四倍心軸節(jié)距pqm，四倍心軸節(jié)距pqm可以與抗蝕劑圖案的節(jié)距相同。針對單元線路結(jié)構(gòu)uws4、uws5和uws6中每個，可以使用三個四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3在列導(dǎo)電層ccl中形成十二條列金屬線ml1至ml12。每個單元線路結(jié)構(gòu)的十二條列金屬線ml1至ml12可以在方向x上布置成順序地且重復(fù)地具有金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22、金屬節(jié)距pm21和第三金屬節(jié)距pm23。金屬節(jié)距pm21、第二金屬節(jié)距pm22和第三金屬節(jié)距pm23可以由表達(dá)式4表示。表達(dá)式4pm21＝wdm+wmlpm22＝wqm-wmlpm23＝pqm-(wqm+2wdm+wml)在表達(dá)式4中，wdm表示雙倍心軸圖案dpm1至dpm6的寬度，wqm表示四倍心軸圖案qpm1、qpm2和qpm3的寬度，wml表示列金屬線ml1至ml12的寬度。在形成列金屬線ml1至ml12之前，可以在列導(dǎo)電層ccl下方的柵極層gtl中形成針對每個單元線路結(jié)構(gòu)的八條柵極線gl1至gl8。參照圖8，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以通過單圖案化形成。在這種情況下，每個單元線路結(jié)構(gòu)uws4的八條柵極線gl1至gl8可以在方向x上布置成具有相等的柵極節(jié)距pg2。柵極節(jié)距pg2可以等于通過曝光工藝形成的抗蝕劑圖案的節(jié)距。參照圖9。甘肅批量電子物料回收平臺
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