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1至202c,3分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件106和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件106的電流而選擇性地對工作mtj器件106提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置108。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置108包括連接至工作mtj器件106的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206。例如，調(diào)節(jié)mtj器件204和第二調(diào)節(jié)mtj器件206可以都連接至工作mtj器件106的固定層110。在一些實施例中，調(diào)節(jié)mtj器件204連接在工作mtj器件106和字線wlx之間(x＝1,3,5)，并且第二調(diào)節(jié)mtj器件206連接在工作mtj器件106和第二字線wly(y＝2,4,6)之間。例如，在存儲單元202a,1中，調(diào)節(jié)mtj器件204連接在工作mtj器件106和字線wl1之間，而第二調(diào)節(jié)mtj器件206連接在工作mtj器件106和字線wl2之間。調(diào)節(jié)mtj器件204、第二調(diào)節(jié)mtj器件206和工作mtj器件106分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層112與自由層114分隔開的固定層110。在一些實施例中，固定層110可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層112可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(al2o3)等。在一些實施例中，自由層114可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。上海海谷電子有限公司是一家專業(yè)提供電子料回收的公司。湖南收購電子元器件回收收購

由比較器800產(chǎn)生的經(jīng)配置以調(diào)整信號dout的回轉(zhuǎn)率的預(yù)測還可能是正確的。圖13是根據(jù)本公開的一些實施例的信號的回轉(zhuǎn)率的一調(diào)整方法90的流程圖。參考圖13，調(diào)整方法90包括操作92、94、96和98。調(diào)整方法90開始于操作92，其中通過將一預(yù)設(shè)電壓與一實際電壓進行比較來提供一不成熟分類。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作94，其中接收一參考分類，其中通過人工將該預(yù)設(shè)電壓與該實際電壓進行比較來獲取該參考分類。調(diào)整方法90進行到操作96，其中基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學習電壓。調(diào)整方法90繼續(xù)至操作98，其中基于該經(jīng)學習電壓產(chǎn)生一預(yù)測以調(diào)整一回轉(zhuǎn)率。調(diào)整方法90是示例，并且不旨在將本公開限制為超出權(quán)利要求中明確記載的內(nèi)容?？梢栽谡{(diào)整方法90之前、期間和之后提供附加操作，并且為了調(diào)整方法90的額外實施例可以替換、消除或移動所描述的一些操作。在本公開中，mlc42控制src電路104而不涉及人力。因此，使用mlc42來調(diào)整回轉(zhuǎn)率是相對方便的。本公開提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一測量電路以及一分類器電路。該測量電路經(jīng)配置以獲取一實際電壓。該分類器電路經(jīng)配置以：通過比較一預(yù)設(shè)電壓和該實際電壓來產(chǎn)生關(guān)于一不成熟分類的信息。江蘇二極管回收處理上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有想法的可以來電咨詢！

并且也可以包括在部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發(fā)明可在各個實施例中重復(fù)參考標號和/或字符。該重復(fù)是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。而且，為便于描述，在此可以使用諸如“且，為便于描述，在此可以使用諸如個實施例和和布置的具體實例等空間相對術(shù)語，以描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)原件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間相對術(shù)語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位上)，而本文使用的空間相對描述符可以同樣地做出相應(yīng)的解釋。磁阻式隨機存取存儲器(mram)單元包括垂直布置在導(dǎo)電電極之間的磁隧道結(jié)(mtj)。mtj包括通過隧穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。固定層的磁取向是靜態(tài)的(即，固定的)，而自由層的磁取向能夠在相對于固定層的磁取向的平行配置和反平行配置之間切換。平行配置提供低電阻狀態(tài)，低電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為位值(例如，邏輯“1”)。反平行配置提供高電阻狀態(tài)，高電阻狀態(tài)數(shù)字化地將數(shù)據(jù)存儲為第二位值(例如，邏輯“0”)。隨著集成芯片的功能增多。

所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖1是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖3示出了圖2a和圖2b的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。圖4a示出了根據(jù)一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件。圖4b示出了圖4a的兩個印刷電路裝配件，所述兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起。上海海谷電子有限公司致力于提供電子料回收，有想法的不要錯過哦！

接收關(guān)于一參考分類的信息，該參考分類是通過人工比較該預(yù)設(shè)電壓和該實際電壓獲得的；基于該不成熟分類和該參考分類，將該預(yù)設(shè)電壓更新為一經(jīng)學習電壓；以及基于該經(jīng)學習電壓，產(chǎn)生經(jīng)配置以調(diào)整回轉(zhuǎn)率的預(yù)測。本公開還提供一種集成電路元件。該集成電路元件包括一比較器以及一減法器電路。該比較器包括一輸入端耦合到一實際電壓。該減法器電路包括一輸入端耦合到該比較器的一輸出端，以及另一輸入端耦合到一參考電壓，其中因應(yīng)于該參考電壓和該減法器電路的一輸出端的一電壓之間的一差值的存在，該比較器的該另一輸入端從耦合一預(yù)設(shè)電壓改為耦合到一經(jīng)學習電壓。本公開還提供一種電路。該電路包括一驅(qū)動器以及一機器學習電路。該驅(qū)動器經(jīng)配置以驅(qū)動一信號。該機器學習電路包括一比較器。該比較器包括一輸入端，其中該輸入端因應(yīng)于一不成熟分類和一參考分類之間的一差異而耦合到一經(jīng)學習電壓，其中該機器學習電路經(jīng)配置以基于該經(jīng)學習電壓來調(diào)整該信號的一回轉(zhuǎn)率。雖然已詳述本公開及其優(yōu)點，然而應(yīng)理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離權(quán)利要求所定義的本公開的精神與范圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多工藝，并且以其他工藝或其組合替代上述的許多工藝。再者。上海海谷電子有限公司電子料回收值得用戶放心。上海電感元件回收市場

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側(cè)壁間隔件261和262)的節(jié)距p3可以等于或者不同于與該心軸圖案相鄰的心軸圖案的兩個相對的側(cè)壁間隔件(例如，側(cè)壁間隔件262和263)的節(jié)距p4。在一些實施例中，側(cè)壁間隔件261至266的平均節(jié)距被減小到抗蝕劑圖案pr1、pr2和pr3的1/2平均節(jié)距。在一些實施例中，可以以圖4f的結(jié)構(gòu)作為起點來按順序應(yīng)用施加空間層和重復(fù)蝕刻步驟。參照圖4g，可以在介電層220上方、在側(cè)壁間隔件261至266上方以及在側(cè)壁間隔件261至266的側(cè)壁上形成第二間隔層270。換言之，側(cè)壁間隔件261至266可以用作第二心軸圖案。在一些實施例中，已經(jīng)制造261至266以接受材料沉積，然后將蝕刻掉261至266，在原位留下沉積的材料。在介電層220和側(cè)壁間隔件261至266上方設(shè)置第二間隔層270。第二間隔層270包括與介電層220和側(cè)壁間隔件261至266不同的一種或更多種材料，使得第二間隔層270針對蝕刻工藝具有不同的蝕刻選擇性?？梢酝ㄟ^cvd工藝、pvd工藝、ald工藝或其他合適的沉積技術(shù)形成第二間隔層270。參照圖4h，針對第二間隔層270執(zhí)行蝕刻工藝，從而定義第二側(cè)壁間隔件271至282。參照圖4i，執(zhí)行具有合適的蝕刻選擇性的蝕刻工藝以去除側(cè)壁間隔件261至266，并且保留第二側(cè)壁間隔件271至282。湖南收購電子元器件回收收購

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