山西高壓可控硅模塊價(jià)格

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓，只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí)，可控硅才能導(dǎo)通。由門級(jí)施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流，即高于電流IL?？煽毓鑼?dǎo)通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數(shù)值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài)，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司以誠(chéng)信為根本，以質(zhì)量服務(wù)求生存。山西高壓可控硅模塊價(jià)格

滿足可控硅模塊工作的必要條件：

（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）可控硅模塊控制信號(hào)：0～10V或4～20mA控制信號(hào)，用于對(duì)輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號(hào)，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）可控硅模塊供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接可控硅模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接可控硅模塊的輸出端子。 山西高壓可控硅模塊價(jià)格淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。

可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過載才華，溫度越低模塊的輸出電流越大，所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī)，主張選用帶有過熱維護(hù)功用的商品，有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過嚴(yán)肅測(cè)算，斷定了不一樣類型的商品所大概裝備的散熱器類型，推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)，用戶自備時(shí)按以下準(zhǔn)則挑選：

1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ；

2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；

3、模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的大小或選用天然冷卻；

4、選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能結(jié)束對(duì)流并恰當(dāng)增大散熱器面積；

5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊，壓線端子聯(lián)接強(qiáng)健，以削減次生熱量的發(fā)生，模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊，以抵達(dá)良好散熱作用。

只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。 淄博正高電氣有限公司傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！山西高壓可控硅模塊價(jià)格

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可控硅模塊的用途

可控硅模塊具有硅整流器件的特性，相當(dāng)于或類似于可控制的單向（或雙向）二極管，利用其可控功能，實(shí)現(xiàn)了弱電流對(duì)強(qiáng)電的控制。此外，晶閘管具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)、重量輕、效率高、控制靈活等優(yōu)點(diǎn)。晶閘管可用于下列過程：

1、可控整流：將交流電轉(zhuǎn)換成可調(diào)直流電；

2、逆變器：將直流電轉(zhuǎn)換成交流電；

3、變頻：將一個(gè)頻率的交流電轉(zhuǎn)換為另一個(gè)頻率的交流電或可調(diào)頻率的交流電；

4、交流調(diào)壓：將固定交流電壓轉(zhuǎn)換為有效值可調(diào)的交流電壓；

5、斬波：將固定直流電壓轉(zhuǎn)換為平均可調(diào)直流電壓；

6、無觸點(diǎn)通斷：用無觸點(diǎn)開關(guān)代替交流接觸器實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制。 山西高壓可控硅模塊價(jià)格

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