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氮化鋁基板突破散熱瓶頸,國產(chǎn)替代率超 50%

來源: 發(fā)布時間:2025-05-04

2025 年,全球陶瓷基板市場規(guī)模預(yù)計突破 42 億美元,年復(fù)合增長率達(dá) 8.6%,主要受益于 SiC/GaN 功率器件和 5G 基站需求。氮化鋁(AlN)基板憑借高導(dǎo)熱性(170-230 W/m?K)和低熱膨脹系數(shù)(4.5 ppm/℃),成為高功率封裝的優(yōu)先材料。中國企業(yè)潮州三環(huán)開發(fā)的 AlN 基板,導(dǎo)熱率達(dá) 220 W/m?K,已應(yīng)用于比亞迪 SiC 逆變器,成本較日本京瓷低 30%。一、技術(shù)突破與性能優(yōu)化材料創(chuàng)新:清華大學(xué)研發(fā)的納米復(fù)合 AlN 基板(添加 SiC 納米線),導(dǎo)熱率提升至 280 W/m?K,抗彎強(qiáng)度達(dá) 800 MPa,適配特斯拉 4680 電池包的高功率密度需求。工藝升級:京瓷開發(fā)的無壓燒結(jié)技術(shù)(添加 Y?O?-CaO 助燒劑),將燒結(jié)溫度從 1900℃降至 1700℃,生產(chǎn)成本降低 40%。中國廠商河北中瓷采用激光活化金屬化(LAM)工藝,實現(xiàn) 20μm 線寬,良率提升至 92%。應(yīng)用場景:新能源汽車:豐田混合動力系統(tǒng)采用 Si?N?基板,壽命突破 150 萬公里。5G 通信:華為 5G 基站射頻功放模塊采用 AlN 基板,功率密度提升至 300W/cm2。航空航天:中國電科衛(wèi)星電源系統(tǒng)采用氧化鈹(BeO)基板,導(dǎo)熱率達(dá) 330 W/m?K。二、市場需求與供應(yīng)鏈動態(tài)政策支持:中國《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》將陶瓷基板列為重點(diǎn)攻關(guān)方向,中芯國際、長電科技獲專項研發(fā)資金。歐盟將 AlN 基板納入《關(guān)鍵原材料法案》,對本土企業(yè)研發(fā)補(bǔ)貼提升至 30%。區(qū)域布局:日本京瓷在韓國龜尾建設(shè)年產(chǎn) 50 萬片 AlN 基板工廠;中國企業(yè)江豐電子與中科院合作開發(fā)國產(chǎn)玻璃基板,計劃 2026 年量產(chǎn)。行業(yè)數(shù)據(jù):2025 年季度,全球陶瓷基板出貨量同比增長 120%,主要來自 AI 芯片和自動駕駛域控制器需求。三、成本與可靠性挑戰(zhàn)成本對比:AlN 基板成本是 Al?O?的 3-5 倍,但規(guī)?;a(chǎn)后有望降至 2 倍以內(nèi)。Prismark 預(yù)測,2030 年 AlN 基板市場規(guī)模將達(dá) 42 億美元,滲透率超 50%??煽啃詼y試:在 85℃/85% RH 環(huán)境下,AlN 基板絕緣電阻下降率<5%,較傳統(tǒng) FR-4 改善 70%。循環(huán)經(jīng)濟(jì):德國默克開發(fā)的激光剝離技術(shù)可實現(xiàn)陶瓷基板 95% 材料回收,較傳統(tǒng)破碎法效率提升 3 倍。

結(jié)語:陶瓷基板的崛起標(biāo)志著半導(dǎo)體封裝進(jìn)入 “高熱導(dǎo)率” 時代。企業(yè)需在材料研發(fā)、設(shè)備適配及區(qū)域布局上搶占先機(jī),方能在下一代封裝市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。

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