作為東莞松山湖的企業(yè),吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年,成功研發(fā)出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程,線寬粗糙度(LWR)≤3nm,良率達 98% 以上,已通過中芯國際等晶圓廠驗證;JT-2000 突破耐高溫極限,在 250℃復雜環(huán)境下仍保持圖形穩(wěn)定性,適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝,產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準,遠銷全球并與跨國企業(yè)建立長期合作,加速國產替代進程。PCB廠商必看!這款G-line光刻膠讓生產成本直降30%。深圳低溫光刻膠價格
定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
? 樹脂(成膜劑):
? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應)、堿溶解度調節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。
? 曝光時:
? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
合肥厚膜光刻膠國產廠家松山湖企業(yè)深耕光刻膠領域二十載,提供全系列半導體材料解決方案。
吉田半導體柯圖泰全系列感光膠:進口品牌品質,本地化服務支持
柯圖泰全系列感光膠依托進口技術,提供高性價比的絲網印刷解決方案。
吉田半導體代理的柯圖泰全系列感光膠(如 PLUS 6000、Autosol 2000),源自美國先進配方,分辨率達 120 線 / 英寸,適用于玻璃、陶瓷等多種基材。產品通過 SGS 認證,符合電子行業(yè)有害物質限制要求,其高感光度與耐摩擦性,確保絲網印刷的清晰度與耐久性。公司提供技術參數匹配、制版工藝指導等本地化服務,幫助客戶優(yōu)化生產流程,降低材料損耗。
客戶認證:從實驗室到產線的漫長“闖關”
驗證周期與試錯成本
半導體光刻膠需經歷PRS(性能測試)、STR(小試)、MSTR(中批量驗證)等階段,周期長達2-3年。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證,直至2025年才通過客戶50nm閃存平臺認證。試錯成本極高,單次晶圓測試費用超百萬元,且客戶為維持產線穩(wěn)定,通常不愿更換供應商。
設備與工藝的協同難題
光刻膠需與光刻機、涂膠顯影機等設備高度匹配。國內企業(yè)因缺乏ASML EUV光刻機測試資源,只能依賴二手設備或與晶圓廠合作驗證,導致研發(fā)效率低下。例如,華中科技大學團隊開發(fā)的EUV光刻膠因無法接入ASML原型機測試,性能參數難以對標國際。
光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發(fā)經驗,全自動化生產保障品質!
厚板光刻膠
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電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩(wěn)定性,比如汽車電子、工業(yè)控制等領域的電路板,能承受復雜環(huán)境和大電流、高電壓等工況。
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功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環(huán)節(jié),保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
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半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
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平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。
吉田半導體產品矩陣。低溫光刻膠
吉田半導體材料的綠色環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展。深圳低溫光刻膠價格
主要原材料“卡脖子”:從樹脂到光酸的依賴
樹脂與光酸的技術斷層
光刻膠成本中50%-60%來自樹脂,而國內KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。例如,日本信越化學的KrF樹脂純度達99.999%,金屬雜質含量低于1ppb,而國內企業(yè)的同類產品仍存在批次穩(wěn)定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”,其合成需要超純試劑和復雜純化工藝,國內企業(yè)在純度控制(如金屬離子含量)上與日本關東化學等國際巨頭存在代差。
原材料供應鏈的脆弱性
光刻膠所需的酚醛樹脂、環(huán)烯烴共聚物(COC)等關鍵原料幾乎全部依賴進口。日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內部分晶圓廠采購量從100kg/期驟降至10-20kg/期。更嚴峻的是,光敏劑原料焦性沒食子酸雖由中國提取,但需出口至日本加工成光刻膠光敏劑后再高價返銷,形成“原料出口-技術溢價-高價進口”的惡性循環(huán)。
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