西安正性光刻膠感光膠

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2025-06-16

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；

? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通過(guò)物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。

光刻膠是有什么東西？西安正性光刻膠感光膠

西安正性光刻膠感光膠,光刻膠

 光伏電池（半導(dǎo)體級(jí)延伸）
? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。

? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機(jī)溶劑（適應(yīng)溶液涂布工藝）。

 納米壓印技術(shù)（下一代光刻）

? 納米壓印光刻膠：通過(guò)模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率，用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列（直徑≤20nm）、量子點(diǎn)顯示陣列等。

 微流控與生物醫(yī)療

? 微流控芯片：制造微米級(jí)流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS基材適配）。

? 生物檢測(cè)芯片：通過(guò)光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn)，精度≤5μm。
湖南激光光刻膠納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)？吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%！

西安正性光刻膠感光膠,光刻膠

對(duì)比國(guó)際巨頭的差異化競(jìng)爭(zhēng)力
維度 吉田光刻膠 國(guó)際巨頭（如JSR、東京應(yīng)化） 
技術(shù)定位 聚焦細(xì)分市場(chǎng)（如納米壓印、LCD） 主導(dǎo)高級(jí)半導(dǎo)體光刻膠（ArF、EUV） 
成本優(yōu)勢(shì) 原材料自主化率超80%，成本低20% 依賴(lài)進(jìn)口原材料，成本高 
客戶響應(yīng) 48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案 認(rèn)證周期長(zhǎng)（2-3年） 
區(qū)域市場(chǎng) 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60% 

風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)

 前段技術(shù)瓶頸：ArF、EUV光刻膠仍依賴(lài)進(jìn)口，研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。

 客戶認(rèn)證周期：半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證，吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。

 供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分樹(shù)脂（如ArF用含氟樹(shù)脂）依賴(lài)日本住友電木。

研發(fā)投入的“高門(mén)檻”
一款KrF光刻膠的研發(fā)費(fèi)用約2億元，而國(guó)際巨頭年研發(fā)投入超10億美元。國(guó)內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營(yíng)收只5.4億元，研發(fā)投入占比不足15%，難以支撐長(zhǎng)期技術(shù)攻關(guān)。

2. 價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)的“雙重?cái)D壓”
國(guó)內(nèi)PCB光刻膠價(jià)格較國(guó)際低30%，但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距，價(jià)格為進(jìn)口產(chǎn)品的70%，而成本卻高出20%。例如，國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠售價(jià)約150萬(wàn)元/噸，而日本同類(lèi)產(chǎn)品為120萬(wàn)元/噸，且性能更優(yōu)。

突破路徑與未來(lái)展望

 原材料國(guó)產(chǎn)化攻堅(jiān)：聚焦樹(shù)脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，推動(dòng)八億時(shí)空、怡達(dá)股份等企業(yè)實(shí)現(xiàn)百?lài)嵓?jí)量產(chǎn)。

 技術(shù)路線創(chuàng)新：探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向，華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬原型驗(yàn)證。

 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新：借鑒“TSMC-供應(yīng)商”模式，推動(dòng)晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，縮短認(rèn)證周期。

 政策與資本雙輪驅(qū)動(dòng)：依托國(guó)家大基金三期，對(duì)通過(guò)驗(yàn)證的企業(yè)給予設(shè)備采購(gòu)補(bǔ)貼（30%），并設(shè)立專(zhuān)項(xiàng)基金支持EUV光刻膠研發(fā)。
感光膠的工藝和應(yīng)用。

西安正性光刻膠感光膠,光刻膠

技術(shù)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)

 半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)），開(kāi)發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問(wèn)題：膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡(jiǎn)化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開(kāi)發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國(guó)陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個(gè)/cm2）。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國(guó)容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國(guó)產(chǎn)化率超60%；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車(chē)板。

? MEMS厚膠：

? 美國(guó)陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國(guó)Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級(jí)MEMS制造。

負(fù)性光刻膠生產(chǎn)廠家。武漢高溫光刻膠

納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)?吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%!西安正性光刻膠感光膠

技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng)
半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。

 原材料依賴(lài)仍存
樹(shù)脂和光酸仍依賴(lài)進(jìn)口，如KrF光刻膠樹(shù)脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附—重結(jié)晶—過(guò)濾—干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。

 未來(lái)技術(shù)路線

? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證。

? 電子束光刻膠：中科院微電子所開(kāi)發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達(dá)1nm，適用于量子芯片制造。

? AI驅(qū)動(dòng)材料設(shè)計(jì)：華為與中科院合作，利用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方，研發(fā)周期縮短50%。

西安正性光刻膠感光膠

標(biāo)簽： 光刻膠 錫片 錫膏