浙江紫外光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時間：2025-05-29

廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領(lǐng)域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導(dǎo)體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質(zhì)保障、性能穩(wěn)定的特點，重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢，應(yīng)用場景。


光刻膠是有什么東西？浙江紫外光刻膠感光膠

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廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品，各有特性與優(yōu)勢，適用于不同領(lǐng)域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200：具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點，重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝，能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉(zhuǎn)移和良好的涂布效果。

半導(dǎo)體正性光刻膠 YK - 300：具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝，滿足半導(dǎo)體器件對光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100：重量 1L，具有耐腐蝕的特性，適用于在有腐蝕風(fēng)險的光刻工藝中，比如一些特殊環(huán)境下的半導(dǎo)體加工或電路板制造。 常州油墨光刻膠廠家吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟發(fā)展，推動產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。

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? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域，無殘留）。

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

 涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

 前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負性膠可至100℃以上）；

? 時間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長時間）。

 曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機精度達22nm）。

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 先進制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進程。例如，恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線，覆蓋7nm工藝，其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠（如中芯國際）在DUV多重曝光技術(shù)下，能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果，緩解了EUV光刻機禁運的壓力。此外，武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證，為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。

 EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進口，但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實現(xiàn)噸級訂單，科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)”技術(shù)，將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2，較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。

 新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團隊開發(fā)的功能型光刻膠，在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機晶體管，實現(xiàn)特大規(guī)模集成（ULSI）水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用，還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。

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國際廠商策略調(diào)整
應(yīng)用材料公司獲曝光后處理，可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調(diào)查在中國市場面臨壓力，但其新一代乾膜式感光型介電質(zhì)材料（CYCLOTENE DF6000 PID）仍在推進，試圖通過差異化技術(shù)維持優(yōu)勢。日本企業(yè)則通過技術(shù)授權(quán)（如東京應(yīng)化填補信越產(chǎn)能缺口）維持市場地位。

 國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同升級
TSMC通過租賃曝光設(shè)備幫助供應(yīng)商降低成本，推動光刻膠供應(yīng)鏈本地化，其中國臺灣EUV光刻膠工廠年產(chǎn)能達1000瓶，產(chǎn)值超10億新臺幣。國內(nèi)企業(yè)借鑒此模式，如恒坤新材通過科創(chuàng)板IPO募資15億元，建設(shè)集成電路前驅(qū)體項目，形成“光刻膠-前驅(qū)體-設(shè)備”協(xié)同生態(tài)。

 技術(shù)標準與壁壘
美國實體清單限制日本廠商對華供應(yīng)光刻膠，中國企業(yè)需突破。例如，日本在EUV光刻膠領(lǐng)域持有全球65%的，而中國只占12%。國內(nèi)企業(yè)正通過產(chǎn)學(xué)研合作（如華中科技大學(xué)與長江存儲聯(lián)合攻關(guān)）構(gòu)建自主知識產(chǎn)權(quán)體系。

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標簽： 錫片 光刻膠