技術優(yōu)勢:23年研發(fā)沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,實現(xiàn)了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現(xiàn)技術突破,分辨率達3μm,填補國內(nèi)空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業(yè)需求,開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業(yè)認證,與新材料領域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)。
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納米壓印光刻膠
微納光學器件制造:制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時,納米壓印光刻膠可實現(xiàn)高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術,將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上,再經(jīng)過后續(xù)處理,可制造出具有特定光學性能的微納光學器件,應用于光通信、光學成像等領域。
生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白質(zhì)芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面構建高精度的微納結構,用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現(xiàn)這些精細結構的制作,提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。
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廣東吉田半導體材料有限公司成立于 2023 年,總部位于東莞松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),注冊資本 2000 萬元。作為高新企業(yè)和廣東省專精特新企業(yè),公司專注于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、LCD 光刻膠、納米壓印光刻膠、半導體錫膏、焊片及靶材等領域。其光刻膠產(chǎn)品以高分辨率、耐蝕刻性和環(huán)保特性著稱,廣泛應用于芯片制造、顯示面板及精密電子元件生產(chǎn)。
公司依托 23 年行業(yè)經(jīng)驗積累,構建了完整的技術研發(fā)體系,擁有全自動化生產(chǎn)設備及多項技術。原材料均選用美國、德國、日本進口的材料,并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量管理體系認證,生產(chǎn)流程嚴格執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理標準,確保產(chǎn)品穩(wěn)定性與一致性。目前,吉田半導體已與多家世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立長期合作,產(chǎn)品遠銷全球市場,致力于成為半導體材料領域的企業(yè)。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領域。
LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,能確保 LCD 生產(chǎn)過程中圖形的精確轉移和良好的涂布效果。
半導體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中,比如一些特殊環(huán)境下的半導體加工或電路板制造。
發(fā)展戰(zhàn)略與行業(yè)地位。
廣東吉田半導體材料有限公司,坐落于松山湖經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū),是半導體材料領域的一顆璀璨明珠。公司注冊資本 2000 萬元,專注于半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,是國家高新技術企業(yè)、廣東省專精特新企業(yè)以及廣東省創(chuàng)新型中小企業(yè)。
強大的產(chǎn)品陣容:吉田半導體產(chǎn)品豐富且實力強勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細滿足芯片制造、微納加工等關鍵環(huán)節(jié)需求;半導體錫膏、焊片在電子焊接領域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發(fā)揮關鍵作用。這些產(chǎn)品遠銷全球,與眾多世界 500 強企業(yè)及電子加工企業(yè)建立了長期穩(wěn)固的合作關系。
雄厚的研發(fā)生產(chǎn)實力:作為一家擁有 23 年研發(fā)與生產(chǎn)經(jīng)驗的綜合性企業(yè),吉田半導體具備行業(yè)前列規(guī)模與先進的全自動化生產(chǎn)設備。23 年的深耕細作,使其在技術研發(fā)、工藝優(yōu)化等方面積累了深厚底蘊,能夠快速響應市場需求,不斷推出創(chuàng)新性產(chǎn)品。
嚴格的質(zhì)量管控:公司始終將品質(zhì)視為生命線,嚴格按照 ISO9001:2008 質(zhì)量體系標準監(jiān)控生產(chǎn)制程。生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行 8S 現(xiàn)場管理,從源頭抓起,所有生產(chǎn)材料均選用美國、德國、日本等國家進口的高質(zhì)量原料,確??蛻羰褂玫匠哔|(zhì)量且穩(wěn)定的產(chǎn)品。
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感光膠的工藝和應用。四川油性光刻膠廠家
關鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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