光伏電池(半導(dǎo)體級(jí)延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機(jī)溶劑(適應(yīng)溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(shù)(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過(guò)模具壓印實(shí)現(xiàn)10nm級(jí)分辨率,用于3D NAND存儲(chǔ)孔陣列(直徑≤20nm)、量子點(diǎn)顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
? 微流控芯片:制造微米級(jí)流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。
? 生物檢測(cè)芯片:通過(guò)光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點(diǎn),精度≤5μm。
吉田半導(dǎo)體:以技術(shù)革新驅(qū)動(dòng)光刻膠產(chǎn)業(yè)升級(jí)。深圳網(wǎng)版光刻膠價(jià)格
主要優(yōu)勢(shì):細(xì)分領(lǐng)域技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
技術(shù)積累與自主化能力
公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗(yàn),實(shí)現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過(guò)自主開發(fā)的樹脂體系,分辨率達(dá)3μm,適用于MEMS傳感器、光學(xué)器件等領(lǐng)域,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。
技術(shù)壁壘:掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術(shù),部分原材料純度達(dá)PPT級(jí),金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
產(chǎn)品多元化與技術(shù)化布局
產(chǎn)品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如:
? LCD光刻膠:適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術(shù),與京東方、TCL華星合作開發(fā)高分辨率產(chǎn)品,良率提升至98%。
? 半導(dǎo)體錫膏:供應(yīng)華為、OPPO等企業(yè),年采購(gòu)量超200噸,用于5G手機(jī)主板封裝。
技術(shù)化延伸:計(jì)劃2025年啟動(dòng)半導(dǎo)體用KrF光刻膠研發(fā),目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)供應(yīng)鏈。
質(zhì)量控制與生產(chǎn)能力
通過(guò)ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證,生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理,原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料。擁有全自動(dòng)化生產(chǎn)線,年產(chǎn)能達(dá)2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規(guī)模訂單交付。
河北激光光刻膠廠家吉田市場(chǎng)定位與未來(lái)布局。
納米制造與表面工程
? 納米結(jié)構(gòu)模板:作為納米壓印光刻(NIL)的母版制備材料,通過(guò)電子束光刻膠寫出高精度納米圖案(如50nm以下的柱陣列、孔陣列),用于批量復(fù)制微流控芯片或柔性顯示基板。
? 表面功能化:在基底表面構(gòu)建納米級(jí)粗糙度(如仿生荷葉超疏水表面)或化學(xué)圖案(引導(dǎo)細(xì)胞定向生長(zhǎng)的納米溝槽),用于生物醫(yī)學(xué)或能源材料(如電池電極的納米陣列結(jié)構(gòu))。
量子技術(shù)與精密測(cè)量
? 超導(dǎo)量子比特:在鈮酸鋰或硅基底上,通過(guò)光刻膠定義納米級(jí)約瑟夫森結(jié)陣列,構(gòu)建量子電路。
? 納米傳感器:制備納米級(jí)懸臂梁(表面鍍光刻膠圖案化的金屬電極),用于探測(cè)單個(gè)分子的質(zhì)量或電荷變化(分辨率達(dá)亞納米級(jí))。
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,主要涵蓋厚板、負(fù)性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領(lǐng)域的需求。
厚板光刻膠:JT-3001 型號(hào),具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年。適用于對(duì)精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。
負(fù)性光刻膠
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SU-3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對(duì)比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng),重量 100g。常用于對(duì)曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
正性光刻膠
耐高溫光刻膠 JT-2000,250℃環(huán)境穩(wěn)定運(yùn)行,圖形保真度超 95%,用于納米結(jié)構(gòu)制造!
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LCD 正性光刻膠 YK-200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力,重量 100g。適用于液晶顯示領(lǐng)域的光刻工藝,確保 LCD 生產(chǎn)中圖形精確轉(zhuǎn)移和良好涂布效果。
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半導(dǎo)體正性光刻膠 YK-300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導(dǎo)體制造工藝,滿足半導(dǎo)體器件對(duì)光刻膠在化學(xué)穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
對(duì)比國(guó)際巨頭的差異化競(jìng)爭(zhēng)力
維度 吉田光刻膠 國(guó)際巨頭(如JSR、東京應(yīng)化)
技術(shù)定位 聚焦細(xì)分市場(chǎng)(如納米壓印、LCD) 主導(dǎo)高級(jí)半導(dǎo)體光刻膠(ArF、EUV)
成本優(yōu)勢(shì) 原材料自主化率超80%,成本低20% 依賴進(jìn)口原材料,成本高
客戶響應(yīng) 48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案 認(rèn)證周期長(zhǎng)(2-3年)
區(qū)域市場(chǎng) 東南亞、北美市占率超15% 全球市占率超60%
風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)
前段技術(shù)瓶頸:ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口,研發(fā)投入不足國(guó)際巨頭的1/10。
客戶認(rèn)證周期:半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證,吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。
供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn):部分樹脂(如ArF用含氟樹脂)依賴日本住友電木。
吉田公司以無(wú)鹵無(wú)鉛配方與低 VOC 工藝打造環(huán)保光刻膠。武漢低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家
正性光刻膠生產(chǎn)廠家。深圳網(wǎng)版光刻膠價(jià)格
“設(shè)備-材料-工藝”閉環(huán)驗(yàn)證
吉田半導(dǎo)體與中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機(jī)制,針對(duì)28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠,例如其KrF光刻膠已通過(guò)中芯國(guó)際北京廠的產(chǎn)線驗(yàn)證,良率達(dá)95%以上。此外,公司參與國(guó)家重大專項(xiàng)(如02專項(xiàng)),與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎(chǔ)材料,雖未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但在酸擴(kuò)散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。
政策支持與成本優(yōu)勢(shì)
作為廣東省專精特新企業(yè),吉田半導(dǎo)體享受稅收優(yōu)惠(如15%企業(yè)所得稅)和研發(fā)補(bǔ)貼(2023年獲得國(guó)家補(bǔ)助超2000萬(wàn)元),比較明顯降低產(chǎn)品研發(fā)成本。同時(shí),其本地化生產(chǎn)(東莞松山湖基地)可將物流成本壓縮至進(jìn)口產(chǎn)品的1/3,并實(shí)現(xiàn)48小時(shí)緊急訂單響應(yīng),這對(duì)中小客戶具有吸引力。
深圳網(wǎng)版光刻膠價(jià)格