反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿,另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結長久性損壞。使用時應注意極性,接法錯誤會導致器件損壞。肇慶阻尼二極管廠家直銷
晶體二極管分類如下:1、臺面型二極管,PN結的制作方法雖然與擴散型相同,但是,只保留PN結及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形,因而得名。初期生產的臺面型,是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此,又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說,似乎大電流整流用的產品型號很少,而小電流開關用的產品型號卻很多。2、合金擴散型二極管,它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地摻配雜質,就能與合金一起過擴散,以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用于制造高靈敏度的變容二極管。惠州穩(wěn)壓二極管制造逆向擊穿時應避免超過較大額定反向電壓,以免損壞器件。
20世紀初,由于無線電接收器探測器的需要,熱離子二極管(真空管)和固態(tài)二極管(半導體二極管)大約在相同的時間分別研發(fā)。直到20世紀50年代之前,真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管(貓須探測器)并不穩(wěn)定,并且那時大多數的收音機放大器都是由真空管制成,二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管(如硒整流器)之上。
早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導性。一般來講,晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層,構成自建電場。當外加電壓等于零時,由于p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘s Whisker” Crystals)”以及真空管(英國稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)?,F今較普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。二極管在逆向電壓下要避免擊穿,以防損壞器件。
二極管的參數是正確使用二極管的依據,一般半導體器件手冊中都給出不同型號管子參數。使用時,應特別注意不要超過較大整流電流和較高反向工作電壓,否則將容易損壞管子。用數字表示同類型器件的不同型號用字母表示器件的類型,P表示普通管用字母表示器件的材料,A表示N型Ge.B表示P型Ge,C表示N型Si,D表示P型Si 2表示二極管,3表示三極管。普通二極管(包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關二極管、續(xù)流二極管)是由一個PN結構成的半導體器件,具有單向導電特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值,可以判別出二極管的電極,還可估測出二極管是否損壞。二極管還具有穩(wěn)壓作用,可以穩(wěn)定電路中的電壓波動?;葜莘€(wěn)壓二極管制造
二極管在電源電路中作為整流器使用,可以將交流電轉換為直流電。肇慶阻尼二極管廠家直銷
二極管串聯的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯,每只管子承受的反向電壓就應等于總電壓的幾分之一。但因為每只二極管的反向電阻不盡相同,會造成電壓分配不均:內阻大的二極管,有可能由于電壓過高而被擊穿,并由此引起連鎖反應,逐個把二極管擊穿。在二極管上并聯的電阻R,可以使電壓分配均勻。均壓電阻要取阻值比二極管反向電阻值小的電阻器,各個電阻器的阻值要相等。ESD二極管和TVS二極管都是電路保護器件,工作原理是一樣的,但功率和封裝是不一樣的,ESD二極管主要是用來防靜電,防靜電就要求電容值低,一般是1-3.5PF之間為較好;而TVS二極管就做不到這一點,TVS二極管的電容值比較高。靜電放電二極管常用的是3個引腳的,ESD二極管的正負接在電源引腳,公共端接在被保護引腳上起到釋放靜電的作用。肇慶阻尼二極管廠家直銷