遼寧POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達(dá) 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn)，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。無掩模激光直寫技術(shù)：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時間。遼寧POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。浙江POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸快速自動對焦：閉環(huán)對焦系統(tǒng)1秒完成，多層半自動對準(zhǔn)提升實(shí)驗(yàn)效率。

某生物力學(xué)實(shí)驗(yàn)室通過 Polos 光刻機(jī)，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達(dá) 5pN，位移檢測精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測中，該集成傳感器實(shí)現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達(dá) 0.92，為心臟電機(jī)械耦合機(jī)制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機(jī)輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。

Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。高頻元件驗(yàn)證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

德國 Polos 光刻機(jī)系列以其緊湊的設(shè)計，在有限的空間內(nèi)發(fā)揮著巨大作用。對于研究實(shí)驗(yàn)室，尤其是空間資源緊張的高校和初創(chuàng)科研機(jī)構(gòu)來說，設(shè)備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機(jī)占用空間小的特點(diǎn)，使其能夠輕松融入各類實(shí)驗(yàn)室環(huán)境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術(shù)保障了高精度的圖案制作，低成本的優(yōu)勢降低了科研投入門檻。在小型實(shí)驗(yàn)室中，科研人員使用 Polos 光刻機(jī)，在微流體、電子學(xué)等領(lǐng)域開展研究，成功取得多項(xiàng)成果。從微納結(jié)構(gòu)制造到新型器件研發(fā)，Polos 光刻機(jī)證明了小空間也能蘊(yùn)藏大能量，為科研創(chuàng)新提供有力支持。微型傳感器量產(chǎn)：80 μm開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。河南桌面無掩模光刻機(jī)可以自動聚焦波長

雙光子聚合擴(kuò)展：結(jié)合Nanoscribe技術(shù)實(shí)現(xiàn)3D微納打印，拓展微型機(jī)器人制造。遼寧POLOSBEAM-XL光刻機(jī)

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。遼寧POLOSBEAM-XL光刻機(jī)