從標準化到定制化:非標鋰電池自動化設(shè)備的發(fā)展路徑
鋰電池自動化設(shè)備生產(chǎn)線的發(fā)展趨勢與技術(shù)創(chuàng)新
鋰電池后段智能制造設(shè)備的環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展
未來鋰電池產(chǎn)業(yè)的趨勢:非標鋰電池自動化設(shè)備的作用與影響
非標鋰電池自動化設(shè)備與標準設(shè)備的比較:哪個更適合您的業(yè)務(wù)
非標鋰電池自動化設(shè)備投資回報分析:特殊定制的成本效益
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的維護與管理:保障長期穩(wěn)定運行
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的市場前景:投資分析與預測
新能源鋰電設(shè)備的安全標準:保障生產(chǎn)安全的新要求
新能源鋰電設(shè)備自動化:提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品一致性
場效應管工作原理用一句話說,就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說,ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場,源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。 場效應管可以用于電子開關(guān)和調(diào)節(jié)器件。寧波金屬氧化半導體場效應管命名
場效應管是只要一種載流子參與導電,用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場效應三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導體三極管MOSFET。MOS場效應管有增強型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,每一類有N溝道和P溝道兩種導電類型。場效應管有三個電極:D(Drain)稱為漏極,相當雙極型三極管的集電極;G(Gate)稱為柵極,相當于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,相當于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造,它是在P型半導體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū),從N型區(qū)引出電極,一個是漏極D,一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導體稱為襯底(substrat),用符號B表示。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當Vgs=0V時,漏源之間相當兩個背靠背的二極管,在D、S之間加上電壓,不會在D、S間構(gòu)成電流。當柵極加有電壓時,若0<Vgs<Vgs(th)時(VGS(th)稱為開啟電壓),經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,將靠近柵極下方的P型半導體中的空穴向下方排擠。 蘇州加強型場效應管特點場效應管的優(yōu)勢包括低噪聲、高輸入阻抗、低功耗、高頻率響應等。
場效應晶體管的優(yōu)點:具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出電源的半導體。場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。
場效應管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,說明均是正向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。 注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。 場效應管的開關(guān)速度較快。
場效應管判定柵極:用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很大,說明均是反向電阻,該管屬于N溝道場效應管,黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場效應管的源極和漏極是對稱的,可以互換使用,并不影響電路的正常工作,所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場效應管的柵極。因為這種管子的輸入電阻極高,柵源間的極間電容又很小,測量時只要有少量的電荷,就可在極間電容上形成很高的電壓,容易將管子損壞。 在開關(guān)控制電路中,場效應管的柵極電壓變化可以控制漏極和源極之間的電流開關(guān)狀態(tài)。臺州金屬氧化半導體場效應管用途
場效應管具有放大和開關(guān)功能。寧波金屬氧化半導體場效應管命名
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 寧波金屬氧化半導體場效應管命名
盟科電子,2010-11-30正式啟動,成立了MOSFETs,場效應管,開關(guān)二極管,三極管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器等幾大市場布局,應對行業(yè)變化,順應市場趨勢發(fā)展,在創(chuàng)新中尋求突破,進而提升盟科,MENGKE的市場競爭力,把握市場機遇,推動電子元器件產(chǎn)業(yè)的進步。是具有一定實力的電子元器件企業(yè)之一,主要提供MOSFETs,場效應管,開關(guān)二極管,三極管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時,企業(yè)針對用戶,在MOSFETs,場效應管,開關(guān)二極管,三極管 ,三端穩(wěn)壓管 LDO,集成電路IC 整流器等幾大領(lǐng)域,提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品,進一步為全國更多單位和企業(yè)提供更具針對性的電子元器件服務(wù)。值得一提的是,盟科電子致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案,在有效降低用戶成本的同時,更能憑借科學的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘盟科,MENGKE的應用潛能。