自銷(xiāo)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問(wèn)題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號(hào)，為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識(shí)別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域，幫助工程師迅速定位問(wèn)題根源，從而及時(shí)采取有效的維修或優(yōu)化措施。電激勵(lì)為鎖相熱成像系統(tǒng)提供穩(wěn)定熱信號(hào)源。自銷(xiāo)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制

電子產(chǎn)業(yè)的存儲(chǔ)器芯片檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全提供了有力支持。存儲(chǔ)器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲(chǔ)單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。存儲(chǔ)單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫(xiě)錯(cuò)誤等問(wèn)題。通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)器芯片施加電激勵(lì)，進(jìn)行讀寫(xiě)操作，缺陷存儲(chǔ)單元會(huì)因電荷存儲(chǔ)異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產(chǎn)過(guò)程中篩選出合格的存儲(chǔ)器芯片，提高產(chǎn)品的合格率。例如，在檢測(cè)固態(tài)硬盤(pán)中的 NAND Flash 芯片時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲(chǔ)單元區(qū)域，這些區(qū)域在讀寫(xiě)操作時(shí)溫度明顯升高。通過(guò)標(biāo)記這些壞塊并進(jìn)行屏蔽處理，能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全，推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域的健康發(fā)展。制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)探測(cè)器電激勵(lì)模式多樣，適配鎖相熱成像系統(tǒng)不同需求。

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測(cè)帶來(lái)了前所未有的高效解決方案。電激勵(lì)的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過(guò)導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時(shí)，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特性會(huì)與正常區(qū)域產(chǎn)生明顯差異，進(jìn)而導(dǎo)致溫度分布出現(xiàn)異常。鎖相熱成像系統(tǒng)憑借其高靈敏度的紅外探測(cè)能力和先進(jìn)的鎖相處理技術(shù)，能夠捕捉這些細(xì)微的溫度變化，即使是微米級(jí)的缺陷也能被清晰識(shí)別。與傳統(tǒng)的探針檢測(cè)或破壞性檢測(cè)方法相比，這種非接觸式的檢測(cè)方式無(wú)需拆解元件，從根本上避免了對(duì)元件的損傷，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)大批量元件的快速檢測(cè)。例如，在手機(jī)芯片的批量質(zhì)檢中，該系統(tǒng)可在幾分鐘內(nèi)完成數(shù)百片芯片的檢測(cè)，提升了電子產(chǎn)業(yè)質(zhì)檢環(huán)節(jié)的效率和產(chǎn)品的可靠性。

致晟光電的一體化檢測(cè)設(shè)備，不僅是技術(shù)的集成，更是對(duì)半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測(cè)” 與 “微弱信號(hào)檢測(cè)” 不再是選擇題，而是能同時(shí)實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)配置。在國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，這類(lèi)自主研發(fā)的失效分析檢測(cè)設(shè)備，正逐步打破國(guó)外品牌在半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐。未來(lái)隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起，對(duì)失效分析的要求將進(jìn)一步提升，而致晟光電的技術(shù)探索，無(wú)疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑。電激勵(lì)頻率可調(diào)，適配鎖相熱成像系統(tǒng)多場(chǎng)景檢測(cè)。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過(guò)光子檢測(cè)手段來(lái)精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來(lái)識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類(lèi)缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開(kāi)封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問(wèn)題。檢測(cè)速度快，但鎖相熱紅外電激勵(lì)成像所得的位相圖不受物體表面情況影響，對(duì)深層缺陷檢測(cè)效果更好。非制冷鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測(cè)黃金組合。自銷(xiāo)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制

電子產(chǎn)業(yè)的功率器件檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為功率器件的安全可靠運(yùn)行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過(guò)程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內(nèi)部缺陷而產(chǎn)生過(guò)熱現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致器件損壞，甚至引發(fā)整個(gè)電子系統(tǒng)的故障。通過(guò)施加接近實(shí)際工況的電激勵(lì)，鎖相熱成像系統(tǒng)能夠模擬功率器件的真實(shí)工作狀態(tài)，實(shí)時(shí)檢測(cè)器件表面的溫度分布。系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部的熱斑、柵極缺陷、導(dǎo)通電阻異常等問(wèn)題，這些問(wèn)題往往是功率器件失效的前兆。檢測(cè)獲得的溫度分布數(shù)據(jù)還能為功率器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)提供重要參考，幫助工程師優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝，提高產(chǎn)品的可靠性。例如，在新能源汽車(chē)的電機(jī)控制器功率器件檢測(cè)中，該系統(tǒng)能夠檢測(cè)出器件內(nèi)部的微小熱斑，提前預(yù)警潛在故障，保障新能源汽車(chē)的行駛安全。自銷(xiāo)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制