缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-24

通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù),催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法,構(gòu)建熱圖像識(shí)別模型,可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識(shí)別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動(dòng)比對(duì)正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點(diǎn),有效縮短分析時(shí)間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能,結(jié)合實(shí)驗(yàn)測(cè)得的熱數(shù)據(jù),反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù),從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象,為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計(jì)提供量化指導(dǎo)。電激勵(lì)激發(fā)缺陷熱特征,鎖相熱成像系統(tǒng)識(shí)別。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修,鎖相紅外熱成像系統(tǒng)

電子產(chǎn)業(yè)的存儲(chǔ)器芯片檢測(cè)中,電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用,為保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全提供了有力支持。存儲(chǔ)器芯片如 DRAM、NAND Flash 等,是電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件,其存儲(chǔ)單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。存儲(chǔ)單元若存在缺陷,如氧化層擊穿、接觸不良等,會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫錯(cuò)誤等問題。通過對(duì)存儲(chǔ)器芯片施加電激勵(lì),進(jìn)行讀寫操作,缺陷存儲(chǔ)單元會(huì)因電荷存儲(chǔ)異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置,幫助制造商在生產(chǎn)過程中篩選出合格的存儲(chǔ)器芯片,提高產(chǎn)品的合格率。例如,在檢測(cè)固態(tài)硬盤中的 NAND Flash 芯片時(shí),系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲(chǔ)單元區(qū)域,這些區(qū)域在讀寫操作時(shí)溫度明顯升高。通過標(biāo)記這些壞塊并進(jìn)行屏蔽處理,能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全,推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域的健康發(fā)展。無損鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗(yàn)檢測(cè)速度快,但鎖相熱紅外電激勵(lì)成像所得的位相圖不受物體表面情況影響,對(duì)深層缺陷檢測(cè)效果更好。

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當(dāng)電子設(shè)備中的某個(gè)元件發(fā)生故障或異常時(shí),常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測(cè)器,能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號(hào)。這些探測(cè)器通常采用量子級(jí)聯(lián)激光器等先進(jìn)技術(shù),或其他高性能紅外傳感方案,具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過對(duì)熱輻射信號(hào)的精細(xì)探測(cè)與分析,熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布以高對(duì)比度的熱圖像形式呈現(xiàn),直觀展現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢(shì),從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點(diǎn),實(shí)現(xiàn)高效可靠的故障排查。

在半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展的現(xiàn)在,芯片集成度不斷提升,器件結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,失效分析的難度也隨之大幅增加。傳統(tǒng)檢測(cè)設(shè)備往往難以兼顧微觀觀測(cè)與微弱信號(hào)捕捉,導(dǎo)致許多隱性缺陷成為 “漏網(wǎng)之魚”。蘇州致晟光電科技有限公司憑借自主研發(fā)實(shí)力,將熱紅外顯微鏡與鎖相紅外熱成像系統(tǒng)創(chuàng)造性地集成一體,推出 Thermal EMMI P 熱紅外顯微鏡系列檢測(cè)設(shè)備(搭載自主研發(fā)的 RTTLIT (實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外系統(tǒng)),為半導(dǎo)體的失效分析提供了全新的技術(shù)范式。


鎖相熱成像系統(tǒng)解析電激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場(chǎng)信息。

缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修,鎖相紅外熱成像系統(tǒng)

在電子產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體材料檢測(cè)中,電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)用途,為半導(dǎo)體材料的質(zhì)量提升提供了重要保障。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量直接影響半導(dǎo)體器件的性能,材料中存在的摻雜不均、位錯(cuò)、微裂紋等缺陷,會(huì)導(dǎo)致器件的電學(xué)性能和熱學(xué)性能下降。通過對(duì)半導(dǎo)體材料施加電激勵(lì),使材料內(nèi)部產(chǎn)生電流,缺陷處由于導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能的異常,會(huì)產(chǎn)生局部的溫度差異。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠敏銳地檢測(cè)到這些溫度差異,并通過分析溫度場(chǎng)的分布特征,評(píng)估材料的質(zhì)量狀況。例如,在檢測(cè)硅晶圓時(shí),系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)晶圓表面的摻雜不均區(qū)域,這些區(qū)域會(huì)影響后續(xù)芯片制造的光刻和刻蝕工藝;在檢測(cè)碳化硅材料時(shí),能夠識(shí)別出材料內(nèi)部的微裂紋,這些裂紋會(huì)導(dǎo)致器件在高壓工作時(shí)發(fā)生擊穿。檢測(cè)結(jié)果為半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)提供了詳細(xì)的質(zhì)量反饋,幫助企業(yè)優(yōu)化材料生長工藝,提升電子產(chǎn)業(yè)上游材料的品質(zhì)。電激勵(lì)模式多樣,適配鎖相熱成像系統(tǒng)不同需求。實(shí)時(shí)鎖相鎖相紅外熱成像系統(tǒng)圖像分析

鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測(cè)的圖像處理。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵(lì)結(jié)合,為電子產(chǎn)業(yè)的傳感器芯片檢測(cè)提供了可靠保障,確保傳感器芯片能夠滿足各領(lǐng)域?qū)Ω呔葯z測(cè)的需求。傳感器芯片是獲取外界信息的關(guān)鍵部件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域,其精度和可靠性至關(guān)重要。傳感器芯片內(nèi)部的敏感元件、信號(hào)處理電路等若存在缺陷,如敏感元件的零點(diǎn)漂移、電路的噪聲過大等,會(huì)嚴(yán)重影響傳感器的檢測(cè)精度。通過對(duì)傳感器芯片施加電激勵(lì),使其處于工作狀態(tài),系統(tǒng)能夠檢測(cè)芯片表面的溫度變化,發(fā)現(xiàn)敏感區(qū)域的缺陷。例如,在檢測(cè)紅外溫度傳感器芯片時(shí),系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因敏感元件材料不均導(dǎo)致的溫度檢測(cè)偏差;在檢測(cè)壓力傳感器芯片時(shí),能夠識(shí)別出因應(yīng)變片粘貼不良導(dǎo)致的信號(hào)失真。通過篩選出無缺陷的傳感器芯片,提升了電子產(chǎn)業(yè)傳感器產(chǎn)品的質(zhì)量,滿足了各領(lǐng)域?qū)鞲衅鞯母呔刃枨?。缺陷定位鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修