IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器(逆變器)、照相機(jī)的頻閃觀測器、感應(yīng)加熱(InductionHeating)電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同,IGBT大致分為兩種類型,...
2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗小;反之則慢,同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和...
(2) 在風(fēng)機(jī)吊裝完后,吊裝變壓器直接就位于基礎(chǔ)上,利用千斤頂進(jìn)行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式(螺接或焊接)進(jìn)行變壓器與基礎(chǔ)之間的連接。(4) 若為分體到貨,在變壓器安裝找正后,進(jìn)行外殼的安裝。(5) 懸掛標(biāo)志牌,清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...
保護(hù)電路設(shè)計:設(shè)計過流和過壓保護(hù)電路,以防止晶閘管因過流或過壓而損壞。環(huán)境影響:工作環(huán)境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命,需要采取相應(yīng)的防護(hù)措施。電磁兼容性(EMC):設(shè)計相應(yīng)的電磁屏蔽和濾波電路來減小電磁干擾,并增強(qiáng)晶閘管的電磁抗性。...
隨著科技的不斷發(fā)展,晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域還在不斷拓展。在建筑照明系統(tǒng)和家用電器中,晶閘管模塊也發(fā)揮著重要作用。通過智能模塊精確控制燈光亮度,可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時,在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中,晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理,提高了設(shè)備的使用壽...
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且?..
右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖,變壓器一次側(cè)繞組為三角形連接,二次側(cè)繞組為星形連接。六個整流二極管按其導(dǎo)通順序排列,VD1、VD3、VD5三個二極管構(gòu)成共陰極三相半波整流,VD2、VD4、VD6三個二極管構(gòu)成共陽極三相半波整流,電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負(fù)載...
二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊,涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè),晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)和柔**流輸電系統(tǒng)(FACTS)中。作為換流閥的關(guān)鍵部件,晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸,同時...
變壓器生產(chǎn)的ZSS、ZS系列整流變壓器用作整流裝置的電源變壓器,其作用是向整流器提供交流電源,整流器再將交流電變換為直流電,從而進(jìn)行直流供電。主要應(yīng)用于冶金、化工、機(jī)車牽引與傳動等行業(yè)。產(chǎn)品節(jié)能、低損耗、低噪聲、抗沖擊和抗短路能力強(qiáng)。過載能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)緊湊、體積...
由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波,為了減小對電網(wǎng)的諧波污染,為了提高功率因數(shù),必須提高整流設(shè)備的脈波數(shù),這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業(yè)之中,主要分為照明、機(jī)床...
一、電化學(xué)工業(yè)這是應(yīng)用整流變**多的行業(yè),電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬;電解食鹽以制取氯堿;電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機(jī)車的直流電網(wǎng)。由于閥側(cè)接架空線,短路故障較多,直流負(fù)載變化輻度大,電機(jī)車經(jīng)常起動,造成不同程度...
門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個特別有用...
BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,...
常用的不控整流電路有四種。三相半波電路(圖2a)指在電源一個周期內(nèi)有三個二極管輪流導(dǎo)電,就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線簡單,但變壓器次級繞組的導(dǎo)電角*120°,因此繞組的利用率較低,而且電流是單方向的,它的直流分量形成直流安匝的磁通勢并產(chǎn)生較大的漏磁...
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導(dǎo)體開...
2.變壓器設(shè)計的基本問題是什么?變壓器設(shè)計的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比,電流密度的大?。磳?dǎo)線的粗細(xì))按照導(dǎo)體的發(fā)熱量來考慮。對于磁通,電磁學(xué)的基本關(guān)系式為u=4.44fwΦ,其中u為電壓;f為頻率,在這里為50Hz,定值;w為線圈的匝...
用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極和陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無...
四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,無論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對***電極Tl所加的也是...
2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通,指針應(yīng)退回∞位置,則表明可控硅...
可控整流:與整流器件構(gòu)成調(diào)壓電路,使整流電路輸出電壓具有可調(diào)**流調(diào)壓:通過控制晶閘管的導(dǎo)通角來調(diào)節(jié)交流電壓的大小。無觸點(diǎn)電子開關(guān):在電路中起到可控電子開關(guān)的作用,控制電路的接通和斷開。逆變及變頻:在逆變和變頻電路中作為關(guān)鍵器件使用。五、設(shè)計注意事項在晶閘管的...
有些驅(qū)動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個方向的驅(qū)動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅(qū)動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn):1. 在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子...
圖1(a)所示為一個N 溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu), N+ 區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)(包括P+ 和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝...
2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應(yīng)退回∞位置,則表明可控硅...
1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,普通晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。 2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時,*在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導(dǎo)通。 3. 普通晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,普通晶閘管保...
保護(hù)裝置整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機(jī)、高精度電流電壓互感器、高絕緣強(qiáng)度出口中間繼電器、高可靠開關(guān)電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護(hù)、通訊為一體化的一種經(jīng)濟(jì)型保護(hù)。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置的優(yōu)點(diǎn)1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護(hù),...
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加...
4、故障解除:當(dāng)整流器故障時,發(fā)出燈光報警信號并停機(jī),操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘,否則將擴(kuò)大故障范圍,造成更大損失,故障排除后,可將 K 主令開關(guān)置一下,除去電 笛聲,排除故障后,然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動后,直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...
晶閘管(Thyristor)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它的主要功能是控制電流的開關(guān),能夠在高電壓和大電流的條件下穩(wěn)定工作。晶閘管的基本結(jié)構(gòu)由四層半導(dǎo)體材料(P-N-P-N結(jié)構(gòu))組成,具有三個PN結(jié)。晶閘管的工作原理是,當(dāng)施加一個觸發(fā)信號到其門極...
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且?..