b、主電路用螺絲擰緊,控制極g要用插件,盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時,將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...
晶閘管整流器是一種整流器,拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電,所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電,因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調(diào)節(jié),電...
1、“給定”電位器旋鈕逆時針到底置**小位置,2SA 按鈕置“停機”位置,此時無輸出電 壓。再斷開交流接觸器,運行指示燈暗,然后切斷電源。2、整流柜面板上調(diào)節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉(zhuǎn)換。4、調(diào)節(jié)電流作為調(diào)節(jié)板上的偏置電壓,...
TCR在正常運行時會產(chǎn)生大量的特征諧波注入電網(wǎng),因此必須采取措施將這些諧波消除或減弱。通常的辦法是并聯(lián)濾波器,并聯(lián)濾波器要么是串聯(lián)Lc結(jié)構(gòu),要么是串聯(lián)LCR結(jié)構(gòu)。這些濾波器被調(diào)諧到5次和7次的主導諧波頻率,有時,也使用11次和13次濾波器或者只使用一個高通濾波...
而對于5次和7次諧波電流,以及更高次16(2n+1)±1,n=0,1,2,…的諧波電流來說,兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等,但相位剛好相反,二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波,也使得對諧波濾波器的要...
“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個字母)交流半導體開...
2. urrm:反向重復峰值電壓 控制極斷路時,可以重復作用在晶閘管上的反向重復電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v3. itav:通態(tài)平均電流 環(huán)境溫度為40℃時,在電阻性負載、單相工頻正弦半波、導電角不小于170°的電路中,晶閘管允許...
門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示,它是計算IGBT 驅(qū)動器電路所需輸出功率的關鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 的值,在實際電路應用中不是一個特別有用...
通常,小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅(qū)動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部,驅(qū)動器和保護電路在上部。本領域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...
TCR的作用就像一個可變電納,改變觸發(fā)角就可以改變電納值,因為所加的交流電壓是恒定的,改變電納值就可以改變基波電流,從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是,當觸發(fā)角超過90°以后,電流變?yōu)榉钦业?,隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā),就只會...
觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V,峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...
建筑與家用電器:在建筑照明系統(tǒng)中,晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度,可以實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時,在空調(diào)、洗衣機、微波爐等家電中,晶閘管模塊用于實現(xiàn)準確的溫控和能耗管理,提高了設備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設備:晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...
一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu):晶閘管是由四層半導體材料(P-N-P-N)組成的三端器件,具有三個電極:陽極(A)、陰極(K)和控制極或稱為門極(G)。工作原理:當陽極接正向電壓,而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導通時,晶閘管處于阻斷狀態(tài),電流不能流過...
fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下,數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)...
實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓,柵極電壓可由不同的驅(qū)動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅(qū)動電路時,必須基于以下的...
功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體,功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能,功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊,配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...
表1 IGBT門極驅(qū)動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動電路的變化而變化,因而驅(qū)動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅(qū)動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍?。并且?..
晶閘管整流器是一種整流器,拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電,所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電,因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調(diào)節(jié),電...
TCR的響應迅速,典型的響應時間為1.5~3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強度的函數(shù)。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補償器的硬電壓控制特性,它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設定值%上。...
普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件,出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導體結(jié)構(gòu),有三個極:陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中,它的陽極a和陰極k與...
在變壓器的設計中,銅和鐵的用量可以均衡考慮。因為一旦變壓器的容量確定了,電流就確定了,導線的粗細也就確定了,增大匝數(shù)W,磁通Φ就可以小一些,鐵芯的截面積就可以小一些,但是要把這些匝數(shù)繞進去,鐵芯的窗口要大一些;相反,減小匝數(shù)W,磁通Φ就要大一些,鐵芯的截面積要...
1、智能功率模塊(ipms) 智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外,還有驅(qū)動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能,如過電流和短路保護,驅(qū)動器電源電壓控制和直流母線電壓測...
電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...
TCR觸發(fā)角α的可控范圍是90°~180°。當觸發(fā)角為90°時,晶閘管全導通,此時TCR中的電流為連續(xù)的正弦波形。當觸發(fā)角從90°變到接近180°時,TCR中的電流呈非連續(xù)脈沖形,對稱分布于正半波和負半波。當觸發(fā)角為180°時,電流減小到0,當觸發(fā)角低于90°...
(3)器身:器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐,使繞組的端部的支撐面積達到95%以上,進一步提高了產(chǎn)品抗短路能力,提高產(chǎn)品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu),克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞,...
晶閘管整流器是一種整流器,拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電,所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電,因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調(diào)節(jié),電...
IGBT電源模塊是一種復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,其**由MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)和GTR(巨型晶體管)復合結(jié)構(gòu)組成,兼具高輸入阻抗與低導通壓降的優(yōu)勢。該模塊廣泛應用于高壓變流系統(tǒng),包括工業(yè)變頻器、電力牽引傳動裝置及智能電網(wǎng)設備等...
2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發(fā),且觸發(fā)電壓低(或觸發(fā)電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅...
目前只能通過IGBT高壓串聯(lián)等技術來實現(xiàn)高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件,德國的EUPEC生產(chǎn)的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經(jīng)獲得實際應用,日本東芝也已涉足該領域。與此同時,各大半導體生產(chǎn)廠商不...
控制方式:通過控制觸發(fā)信號的時機,可以調(diào)節(jié)輸出電壓和電流。應用領域:整流電路:用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。調(diào)速控制:在電動機控制中,調(diào)節(jié)電機的速度。功率控制:用于燈光調(diào)光、加熱器控制等。逆變器:在太陽能和風能系統(tǒng)中,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。工作原理:晶閘管的工作原...