電子產(chǎn)品只有進(jìn)入應(yīng)用不斷迭代才能不斷提高。國產(chǎn)存儲(chǔ)器要壯大自然也離不開市場(chǎng)和生態(tài)。群聯(lián)長(zhǎng)期專注于閃存主控的開發(fā)與存儲(chǔ)方案的整合,透過群聯(lián)自有技術(shù)與IP,整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3DNAND閃存,協(xié)助擴(kuò)大市場(chǎng)的應(yīng)用與普及率。潘健成談到,長(zhǎng)江存儲(chǔ)與群聯(lián)不僅是NAND...

選擇器類型影響這些存儲(chǔ)器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲(chǔ)單元單元面積是目前所有存儲(chǔ)器可以制造的微小單元面積?；诰w管的存儲(chǔ)單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器...

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度。并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲(chǔ)器性能比較flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flas...

當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動(dòng)裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲(chǔ)器技術(shù)：NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲(chǔ)器時(shí),設(shè)計(jì)人員通常會(huì)添加外部存儲(chǔ)器芯片...

鐵電存儲(chǔ)技術(shù)早在1921年提出,直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)出較早個(gè)4K位的鐵電存儲(chǔ)器FRAM產(chǎn)品,所有的FRAM產(chǎn)品均由Ramtron公司制造或授權(quán)。FRAM有新的發(fā)展,采用了um工藝,推出了3V產(chǎn)品,開發(fā)出“單管單容”存儲(chǔ)單元的...

每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。Flash存儲(chǔ)器位交換所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。比特位反轉(zhuǎn)一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)...

長(zhǎng)期被國際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來了中國玩家。在面對(duì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說道：“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難。”而長(zhǎng)江...

而是由存儲(chǔ)單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對(duì)中心原子的位置進(jìn)行檢測(cè)是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過程是：在存儲(chǔ)單元電容上施加一已知電場(chǎng)（即對(duì)電容充電）,如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場(chǎng)方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會(huì)移...

但是寫操作仍要保留一個(gè)"預(yù)充"時(shí)間,所以總的時(shí)間與讀操作相同。FRAM的寫操作與其它非易失性存儲(chǔ)器的寫操作相比,速度要快得多,而且功耗小。在FRAM讀操作后必須有個(gè)"預(yù)充電"過程,來恢復(fù)數(shù)據(jù)位。增加預(yù)充電時(shí)間后FRAM一個(gè)完整的讀操作周期為130ns,...

選擇器類型影響這些存儲(chǔ)器的成本,并且可能是生產(chǎn)這些元件的困難度的原因之一。雙端選擇器單元可以獲得理想的4f2單元面積,4f2存儲(chǔ)單元單元面積是目前所有存儲(chǔ)器可以制造的微小單元面積?；诰w管的存儲(chǔ)單元通常為8f2,但在某些情況下,可縮小至6f2。使用雙端選擇器...

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度。并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。Flash存儲(chǔ)器性能比較flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flas...

大型數(shù)據(jù)中心的能耗不斷攀升,基于電池技術(shù)的物聯(lián)網(wǎng)及移動(dòng)設(shè)備也因功耗問題被人詬病。手機(jī)待機(jī)功耗中,存儲(chǔ)是用電“大戶”。正因?yàn)閿?shù)據(jù)需要分級(jí)存儲(chǔ)、分級(jí)調(diào)取,速度較慢,為讓用戶體驗(yàn)較快的響應(yīng)速度,數(shù)據(jù)一般存儲(chǔ)在靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器上,斷電數(shù)據(jù)就會(huì)丟失,因此需...

存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱和用途特點(diǎn)1、高速緩沖存儲(chǔ)器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲(chǔ)容量小。2、主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大。3、外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲(chǔ)容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)...

但是決定使用FRAM之前,必須確定系統(tǒng)中一旦超出對(duì)FRAM的100萬次訪問之后很不會(huì)有危險(xiǎn)。FRAM與SRAM：從速度、價(jià)格及使用方便來看SRAM優(yōu)于FRAM,但是從整個(gè)設(shè)計(jì)來看,FRAM還有一定的優(yōu)勢(shì)。假設(shè)設(shè)計(jì)中需要大約3K字節(jié)的SRAM,還要幾百個(gè)...

常用的外存儲(chǔ)器設(shè)備以兩種方式之一來存儲(chǔ)信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對(duì)便宜的“離線”存儲(chǔ)選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位置時(shí),可能花費(fèi)幾秒甚至幾分鐘,但購買和維...

這個(gè)問題被稱為閃存的”縮放限制”，無論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)能搭配這些先進(jìn)工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨(dú)一受到工藝演進(jìn)影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問題。隨著工藝縮小到幾十...

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，它用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲(chǔ)器的種類有很多，包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中**常用的存儲(chǔ)器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的關(guān)鍵。硬盤則是計(jì)算機(jī)中的主要存儲(chǔ)設(shè)備，它可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)和程序，并且...

再加上NAND閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)。內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,可靠性較NOR閃存要差。NAND閃存被廣為應(yīng)用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng),NAND閃存一直...

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DynamicRAM），“動(dòng)態(tài)”兩字指的是每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。這是因?yàn)镈RAM的基本單元是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò)，需要周期性地...

當(dāng)今大多數(shù)電池供電的移動(dòng)裝置和其他各種應(yīng)用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲(chǔ)器技術(shù)：NOR閃存和SRAM。雖然這些技術(shù)在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預(yù)期。當(dāng)需要更大的存儲(chǔ)器時(shí),設(shè)計(jì)人員通常會(huì)添加外部存儲(chǔ)器芯片...

ATMEL對(duì)質(zhì)量有哪些承諾？ATMEL在全球擁有40個(gè)設(shè)計(jì)中心,分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應(yīng)用開發(fā)。為了開發(fā)復(fù)雜的SoC產(chǎn)品,ATMEL設(shè)立了先進(jìn)的基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)流程,在投片之前大量使用仿真平臺(tái)進(jìn)行軟硬件驗(yàn)證。這種方法大幅度減少了設(shè)計(jì)周期并消除了很多...

長(zhǎng)期被國際巨頭壟斷的存儲(chǔ)器市場(chǎng)終于迎來了中國玩家。在面對(duì)和長(zhǎng)江存儲(chǔ)一起經(jīng)歷國產(chǎn)NANDFLASH從無到有的八家主要合作伙伴時(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧(Simon)說道：“存儲(chǔ)不是一個(gè)好做的行業(yè),我可以很負(fù)責(zé)任跟大家說,比我在英特爾做CPU還要難?！倍L(zhǎng)江...

存儲(chǔ)器分為內(nèi)存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和外存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)。內(nèi)存儲(chǔ)器：內(nèi)存儲(chǔ)器是一個(gè)廣為的統(tǒng)稱,它包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器以及主存儲(chǔ)器。它用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù),與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)開始運(yùn)行,操作系統(tǒng)就會(huì)把需要運(yùn)算的...

故比STT-MRAM具備更快的讀寫速度和更低的功耗,但目前仍處于研發(fā)階段。所有這些元件都是使用隧道層的“巨磁阻效應(yīng)”來讀取位單元：當(dāng)該層兩側(cè)的磁性方向一致時(shí),該層提供低電阻,因此電流大,但當(dāng)磁性方向相反時(shí),電阻會(huì)變很高,導(dǎo)致電流流量中斷?；締卧枰龑踊蚋?..

硬件工程師的工作內(nèi)容與單片機(jī)是怎樣的關(guān)系？硬件工程師就是電腦軟硬件設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試、解決故障的技術(shù)人員。硬件即計(jì)算機(jī)硬件簡(jiǎn)稱，是對(duì)計(jì)算機(jī)中的電子、機(jī)械、光電元器件裝置的統(tǒng)稱。當(dāng)前對(duì)于硬件工程師的崗位要求，是需要掌握電路的基本分析方法，掌握相關(guān)電路設(shè)計(jì)工具、數(shù)模...

常用的外存儲(chǔ)器設(shè)備以兩種方式之一來存儲(chǔ)信息。磁帶以大的盤式裝置形式。在1970年代作為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的一大支柱,現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶成為一種相對(duì)便宜的“離線”存儲(chǔ)選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位置時(shí),可能花費(fèi)幾秒甚至幾分鐘,但購買和維...

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，它用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行所需的數(shù)據(jù)和程序。存儲(chǔ)器的種類有很多，包括內(nèi)存、硬盤、固態(tài)硬盤等。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中**常用的存儲(chǔ)器，它可以快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)，是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的關(guān)鍵。硬盤則是計(jì)算機(jī)中的主要存儲(chǔ)設(shè)備，它可以長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)和程序，并且...

之前部分研究者采用將NOR閃存作為主存，可以解決計(jì)算機(jī)掉電數(shù)據(jù)丟失問題，但是閃存有擦寫次數(shù)有限，隨機(jī)寫性能較差，寫延遲較大等的缺點(diǎn)，而采用相變存儲(chǔ)器或者基于相變存儲(chǔ)器的異構(gòu)主存方法可以更好地解決上述問題；②相變存儲(chǔ)器的隨機(jī)讀寫性能能夠有效地解決大規(guī)?？茖W(xué)計(jì)算中...

MCU具有什么功能?MCU即微控制器，又稱單片機(jī)，把CPU的頻率與規(guī)格縮減，將內(nèi)存、計(jì)數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等整合在一個(gè)芯片上，形成芯片級(jí)的計(jì)算機(jī)。MCU應(yīng)用廣。很常見的是消費(fèi)類電子、工業(yè)領(lǐng)域、汽車電子。MCU的分類：按...

而是由存儲(chǔ)單元電容中鐵電晶體的中心原子位置進(jìn)行記錄。直接對(duì)中心原子的位置進(jìn)行檢測(cè)是不能實(shí)現(xiàn)的,實(shí)際的讀操作過程是：在存儲(chǔ)單元電容上施加一已知電場(chǎng)（即對(duì)電容充電）,如果原來晶體的中心原子的位置與所施加的電場(chǎng)方向使中心原子要達(dá)到的位置相同,則中心原子不會(huì)移...