推進存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，不僅是因為其處于集成電路產(chǎn)業(yè)的重要地位，更是基于信息安全的考量，只有在存儲器、CPU等芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保信息安全。當前從外部發(fā)展環(huán)境來看，我國在應用固態(tài)硬盤、磁硬盤、磁帶、半導體等數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域都面臨“卡脖子”問題，亟須構(gòu)筑...

AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級或商業(yè)級應用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標號:24，器件標記:24C04，存儲器電...

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于：嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學研究用的很多字系統(tǒng)，汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲器。電動玩具，數(shù)碼相機、智能手機、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實時信號處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)...

存儲器的基本概念元素----存儲器：存放程序和數(shù)據(jù)的器件。存儲位：存放一個二進制數(shù)位的存儲單元，是存儲器比較小的存儲單位，或稱記憶單元。存儲字：一個數(shù)（n位二進制位）作為一個整體存入或取出時，稱存儲字。存儲單元：存放一個存儲字的若干個記憶單元組成一個存儲單元。...

MicrochipTechnologyInc.（納斯達克股市代號：MCHP）是全球的整合單片機、模擬器件、FPGA、聯(lián)網(wǎng)器件及電源管理半導體器件的供應商。其簡單易用的開發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠打造比較好設(shè)計，在降低風險的同時降低系統(tǒng)總成本，縮短上市時間...

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應環(huán)節(jié)；下游廣泛應用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個領(lǐng)域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SR...

動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導致讀取信息出錯，需要周期性地...

AT24C02是Ateml公司的2KB的電可擦除存儲芯片，采用兩線。是一個在突然掉電的情況下存儲數(shù)據(jù)的芯片，即掉電存儲。1.數(shù)據(jù)線上的看門狗定時器。2.可編程復位門欄電平。3.高數(shù)據(jù)傳送速率為400KHz和IIC總線兼容。4.2.7V至7V的工作電壓。5.低功...

MOSFET（用于CMOS）—低功耗，現(xiàn)在應用廣。根據(jù)功能分類---異步—單獨的時鐘頻率，讀寫受控于地址線與控制使能信號。同步—所有工作是時鐘脈沖邊沿開始，地址線、數(shù)據(jù)線、控制線均與時鐘脈沖配合。根據(jù)特性分類---零總線翻轉(zhuǎn)（Zerobusturnaround...

MicrochipTechnologyInc.（納斯達克股市代號：MCHP）是全球的整合單片機、模擬器件、FPGA、聯(lián)網(wǎng)器件及電源管理半導體器件的供應商。其簡單易用的開發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠打造比較好設(shè)計，在降低風險的同時降低系統(tǒng)總成本，縮短上市時間...

存儲器的分類：按存儲介質(zhì)分1、半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。折疊按存儲方式分1、隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間...

近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大的進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，研究者們建議采用新型NVM技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)，以適應計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為主的多種新型NVM技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受...

AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級或商業(yè)級應用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標號:24，器件標記:24C04，存儲器電...

存儲器的分類：按存儲介質(zhì)分1、半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。2、磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。折疊按存儲方式分1、隨機存儲器：任何存儲單元的內(nèi)容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關(guān)。2、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間...

SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標準功能，但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（Asyn...

存儲器的簡稱和用途特點1、高速緩沖存儲器Cache高速存取指令和數(shù)據(jù)存取速度快，但存儲容量小。2、主存儲器內(nèi)存存放計算機運行期間的大量程序和數(shù)據(jù)存取速度較快，存儲容量不大。3、外存儲器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫存儲容量大，位成本低。4、內(nèi)存又稱為內(nèi)...

折疊按信息的可保存性分1、非長久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。2、長久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。折疊按存儲器用途分1、根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲器、（2）輔助存儲器、（3）高速緩沖存儲器、（4）控制存儲器等...

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cac...

SRAM(靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存取存儲器)主要用于：嵌入式使用。工業(yè)生產(chǎn)與科學研究用的很多字系統(tǒng)，汽車電子產(chǎn)品等都采用了SRAM存儲器。電動玩具，數(shù)碼相機、智能手機、音響合成器等通常用了幾兆字節(jié)的SRAM。實時信號處理電源電路通常使用雙口(dual-ported)...

AT24C02芯片是怎么刪除所存儲的數(shù)據(jù)？這里分享一些工程師的經(jīng)驗：刪除AT24C02的數(shù)據(jù)只要寫255就行了。更具體的方法請詳細查證。AT24C02芯片是以IIC接口的EEPROM器件。所謂EEPROM即電可擦除可編程只讀存儲器，是ROM的一種。它是只讀存儲...

存儲器產(chǎn)業(yè)鏈上游分析1.硅片半導體硅片是生產(chǎn)集成電路、存儲器、傳感器等半導體產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。隨著芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴張，中國硅片產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模呈高速增長趨勢。2019-2021年，中國半導體硅片市場規(guī)模連續(xù)超過10億美元，2021年市場規(guī)模達16.56億美元，同...

AT24C08提供8192位的串行電可擦寫可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織形式為1024字×8位字長。AT24C08適用于許多要求低功耗和低電壓操作的工業(yè)級或商業(yè)級應用。工作溫度范圍:-40°C~+85°C。器件標號:24，器件標記:24C04，存儲器電...

SRAM的類型------非揮發(fā)性SRAM（Non-volatileSRAM，nvSRAM）具有SRAM的標準功能，但在失去電源供電時可以保住其數(shù)據(jù)。非揮發(fā)性SRAM用于網(wǎng)絡(luò)、航天、醫(yī)療等需要關(guān)鍵場合—保住數(shù)據(jù)是關(guān)鍵的而且不可能用上電池。異步SRAM（Asyn...

SRAM主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cac...

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。特點：1....

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。特點：1....

靜態(tài)隨機存取存儲器(sram)多年來被應用于各種場合。凡是需要快速存取數(shù)據(jù)的應用，特別是在要求初始存取等待時間很短的情況下，都會考慮使用sram，這已經(jīng)成為一個常識。隨著網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)對帶寬和速度的持續(xù)推動，sram已成為網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中重要的支持元件。在手機、消費電子、...

數(shù)據(jù)顯示，中國特種氣體市場規(guī)模由2017年的175億元增長至2021年的342億元，復合年均增長率達18.24%。中商產(chǎn)業(yè)研究院預測，2022年我國特種氣體市場規(guī)模將達409億元。4.光刻機。全球半導體設(shè)備行業(yè)復蘇，受益于下游晶圓巨大需求、服務器云計算和5G基...

折疊按信息的可保存性分1、非長久記憶的存儲器：斷電后信息即消失的存儲器。2、長久記憶性存儲器：斷電后仍能保存信息的存儲器。折疊按存儲器用途分1、根據(jù)存儲器在計算機系統(tǒng)中所起的作用，可分為（1）主存儲器、（2）輔助存儲器、（3）高速緩沖存儲器、（4）控制存儲器等...

SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之...