推薦生命周期處于成長(zhǎng)期、成熟期的器件。5)可替代原則：盡量選擇pintopin兼容芯片品牌比較多的元器件。6)向上兼容原則：盡量選擇以前老產(chǎn)品用過的元器件。7)資源節(jié)約原則：盡量用上元器件的全部功能和管腳。8)降額設(shè)計(jì)原則：對(duì)于需要降額設(shè)計(jì)的部件，盡量進(jìn)行降額選型，參考標(biāo)準(zhǔn)參見GJB/Z35《元器件降額準(zhǔn)則》。9)便于生產(chǎn)原則：在滿足產(chǎn)品功能和性能的條件下，元器件封裝盡量選擇表貼型，間距寬的型號(hào)，封裝復(fù)雜度低的型號(hào)，降低生產(chǎn)難度，提高生產(chǎn)效率。其他具體選型原則：除滿足上述基本原則之外,選型時(shí)還因遵循以下具體原則:1)所選器件遵循公司的歸一化原則，在不影響功能、可靠性的前提下，盡可能少選擇物料的...

用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽極A和控制極G，此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時(shí)，萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn)，說明該單向可控硅已擊穿損壞。3、雙向可控硅的檢測(cè)用萬用表電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻，結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí)，該組紅、黑表所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A...

電子設(shè)備中使用著大量各種類型的電子元器件，設(shè)備發(fā)生故障大多是由于電子元器件失效或損壞引起的。因此正確檢測(cè)電子元器件就顯得尤其重要，這也是電子維修人員必須掌握的技能。1．測(cè)整流電橋各腳的極性萬用表置R×1k擋，黑表筆接橋堆的任意引腳，紅表筆先后測(cè)其余三只腳，如果讀數(shù)均為無窮大，則黑表筆所接為橋堆的輸出正極，如果讀數(shù)為4～10k，則黑表筆所接引腳為橋堆的輸出負(fù)極，其余的兩引腳為橋堆的交流輸入端。2．判斷晶振的好壞先用萬用表(R×10k擋)測(cè)晶振兩端的電阻值，若為無窮大，說明晶振無短路或漏電；再將試電筆插人市電插孔內(nèi)，用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆氖泡發(fā)紅，說...

如萬用表的指針不動(dòng)或阻值相差很多，則表明該電位器已損壞。B）檢測(cè)電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測(cè)“1”、“2”（或“2”、“3”）兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針方向旋至接近“關(guān)”的位置，這時(shí)電阻值越小越好。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動(dòng)。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí)，阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如萬用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動(dòng)過程中有跳動(dòng)現(xiàn)象，說明活動(dòng)觸點(diǎn)有接觸不良的故障。5、正溫度系數(shù)熱敏電阻（PTC）的檢測(cè)檢測(cè)時(shí)，用萬用表R×1擋，具體可分兩步操作：A）常溫檢測(cè)（室內(nèi)溫度接近25℃）將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測(cè)出其實(shí)際阻值，并與標(biāo)稱...

只說如何去應(yīng)用▲熱釋電紅外傳感器放大電路的設(shè)計(jì)▲深度學(xué)習(xí)開關(guān)電源▲電壓比較器的常用電路▲第十二屆飛思卡爾|回憶▲C語言|聯(lián)合體、結(jié)構(gòu)體▲一種熱釋探測(cè)電路的設(shè)計(jì)▲關(guān)于開關(guān)電源布局的一些想法▲STM32驅(qū)動(dòng)16位ADC▲華為手機(jī)電源拆解#工藝▲電源芯片的選型▲電流走向分析#MOS電路▲LDO的啟動(dòng)與自動(dòng)關(guān)閉▲大電流分析從電容電感公式說起▲單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管電路應(yīng)用▲三極管和MMOS管在電路設(shè)計(jì)中區(qū)別▲如何使7805輸出電壓達(dá)到10V▲實(shí)現(xiàn)晶振關(guān)閉功能的開關(guān)電路▲如何理解LDO中的輸入輸出電容▲開關(guān)電源中的這兩個(gè)電容電阻▲開關(guān)電源中的全部緩沖吸收電路▲電容10uf和▲PCB工程師常遇到的問題總結(jié)▲無...

高溫存儲(chǔ)狀態(tài)、高低溫循環(huán)、高低溫沖擊等問題是造成電子元器件出現(xiàn)老化現(xiàn)象的主要原因。3電子器件的檢測(cè)技術(shù)檢測(cè)技術(shù)以參數(shù)檢測(cè)信號(hào)與分析等信息獲取技術(shù)為基礎(chǔ)，分析和研究開發(fā)的一種綜合性的電子元器件檢測(cè)技術(shù)。該檢測(cè)技術(shù)不*涉及內(nèi)容非常，而且國家還成立了專門的檢測(cè)機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)電子元器件設(shè)備參數(shù)性能的檢測(cè)。以電子技術(shù)作為基本手段的測(cè)試技術(shù)電子檢測(cè)就是以電子技術(shù)的相關(guān)理論為基礎(chǔ)，使用電子設(shè)備或者相關(guān)電子測(cè)試儀器，完成對(duì)電子元器件電量與費(fèi)電量的測(cè)量。由于電子元器件檢測(cè)過程中，檢測(cè)內(nèi)容的不同終獲得的檢測(cè)數(shù)據(jù)也存在一定的差異，所以檢測(cè)人員在日常工作的過程中，必須對(duì)時(shí)間、頻率、相位、電壓以及阻抗等基本參數(shù)的檢測(cè)予以充...