1、激光測(cè)厚儀是利用激光的反射原理，根據(jù)光切法測(cè)量和觀察機(jī)械制造中零件加工表面的微觀幾何形狀來測(cè)量產(chǎn)品的厚度，是一種非接觸式的動(dòng)態(tài)測(cè)量?jī)x器。它可直接輸出數(shù)字信號(hào)與工業(yè)計(jì)算機(jī)相連接，并迅速處理數(shù)據(jù)并輸出偏差值到各種工業(yè)設(shè)備。2、X射線測(cè)厚儀利用X射線穿透被測(cè)材料...

納米壓印光刻（NIL）-SmartNIL?用于大批量生產(chǎn)的大面積軟UV納米壓印光刻工藝介紹：EVG是納米壓印光刻（NIL）的市場(chǎng)領(lǐng)仙設(shè)備供應(yīng)商。EVG開拓這種非常規(guī)光刻技術(shù)多年，掌握了NIL并已在不斷增長(zhǎng)的基板尺寸上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)。EVG的專有SmartNIL...

FSM8018VITE測(cè)試系列設(shè)備VITE技術(shù)介紹：VITE是傅里葉頻域技術(shù)，利用近紅外光源的相位剪切技術(shù)（Phasesheartechnology）設(shè)備介紹適用于所有可讓近紅外線通過的材料：硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………應(yīng)用:...

生物醫(yī)療設(shè)備涂層應(yīng)用生物醫(yī)療器械應(yīng)用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準(zhǔn)備方面會(huì)用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護(hù)設(shè)備免受腐蝕，而其他的則是為了預(yù)防組織損傷、敢染或者是排異反應(yīng)。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學(xué)器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具...

1、激光測(cè)厚儀是利用激光的反射原理，根據(jù)光切法測(cè)量和觀察機(jī)械制造中零件加工表面的微觀幾何形狀來測(cè)量產(chǎn)品的厚度，是一種非接觸式的動(dòng)態(tài)測(cè)量?jī)x器。它可直接輸出數(shù)字信號(hào)與工業(yè)計(jì)算機(jī)相連接，并迅速處理數(shù)據(jù)并輸出偏差值到各種工業(yè)設(shè)備。2、X射線測(cè)厚儀利用X射線穿透被測(cè)材料...

F20系列是世界上蕞**的臺(tái)式薄膜厚度測(cè)量系統(tǒng)，只需按下一個(gè)按鈕，不到一秒鐘即可同時(shí)測(cè)量厚度和折射率。設(shè)置也非常簡(jiǎn)單,只需把設(shè)備連接到您運(yùn)行Windows?系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)USB端口,并連接樣品平臺(tái)就可以了。F20系列不同型號(hào)的選擇，主要取決于您需要測(cè)量的薄膜厚度...

高精度電容位移傳感器有哪些性能特點(diǎn)？1、高精度電容位移傳感器屬于完全非接觸式位移傳感器，被測(cè)物無需任何附加和其他特別的要求，被測(cè)物沒有任何損傷。2、高精度電容位移傳感器測(cè)量任何導(dǎo)電和接地的部件，無需校驗(yàn)。3、實(shí)時(shí)測(cè)量靜態(tài)和移動(dòng)部件，測(cè)量的精度不會(huì)因?yàn)楸砻娴膾伖?..

高精度電容位移傳感器的參數(shù)特點(diǎn)：測(cè)量范圍：±10微米至±1毫米(在某些情況下，可能高達(dá)25毫米)；測(cè)量分辨率：<1納米至50納米；線性度：滿刻度范圍低至0.02%；穩(wěn)定性：系統(tǒng)可用于需要數(shù)周或數(shù)月穩(wěn)定性的應(yīng)用，每天1納米的范圍是可能的；測(cè)量帶寬：標(biāo)準(zhǔn)范圍為10...

位移傳感器使用注意事項(xiàng)：1. 避免過度拉伸或壓縮：不能讓傳感器超負(fù)荷拉伸或壓縮，尤其是當(dāng)傳感器的測(cè)量范圍和安裝位置不匹配時(shí)。2. 避免變形：傳感器的構(gòu)造和工作原理需要保證其結(jié)構(gòu)不變形，在安裝和使用時(shí)應(yīng)注意不要用力錘或者鉗子夾緊傳感器。3. 避免強(qiáng)電場(chǎng)干擾：當(dāng)傳...

位移傳感器使用注意事項(xiàng)：1. 避免過度拉伸或壓縮：不能讓傳感器超負(fù)荷拉伸或壓縮，尤其是當(dāng)傳感器的測(cè)量范圍和安裝位置不匹配時(shí)。2. 避免變形：傳感器的構(gòu)造和工作原理需要保證其結(jié)構(gòu)不變形，在安裝和使用時(shí)應(yīng)注意不要用力錘或者鉗子夾緊傳感器。3. 避免強(qiáng)電場(chǎng)干擾：當(dāng)傳...

輪廓儀白光干涉的創(chuàng)始人：邁爾爾遜1852-1931美國(guó)物理學(xué)家曾從事光速的精密測(cè)量工作邁克爾遜首倡用光波波長(zhǎng)作為長(zhǎng)度基準(zhǔn)。1881年，他發(fā)明了一種用以測(cè)量微小長(zhǎng)度，折射率和光波波長(zhǎng)的干涉儀，邁克爾遜干涉儀。他和美國(guó)物理學(xué)家莫雷合作，進(jìn)行了注明的邁克爾遜-莫雷實(shí)...

高精度電容位移傳感器優(yōu)點(diǎn)：可調(diào)性高：由于電容式傳感器可以定制不同范圍和靈敏度的傳感器，因此其可調(diào)性高，可以適應(yīng)不同需求的測(cè)量任務(wù)。尺寸小：電容式傳感器尺寸相對(duì)較小，重量輕，體積小，易于安裝。靈敏度高：電容式傳感器測(cè)量位移的原理是根據(jù)電容的變化，所以其靈敏度高于...

高精度電容位移傳感器的優(yōu)點(diǎn)：1. 高精度：電容位移傳感器可以實(shí)現(xiàn)非常高的測(cè)量精度，一般可以達(dá)到0.01%~0.001%的級(jí)別，具有極高的測(cè)量分辨率和準(zhǔn)確度。2. 高靈敏度：電容位移傳感器對(duì)位移的響應(yīng)非常靈敏，可以感受微小的位移變化，能夠?qū)崿F(xiàn)高速和高頻的測(cè)量。3...

高精度電容位移傳感器是一種測(cè)量長(zhǎng)度、位移、壓力、力、撓度等物理量的傳感器。它基于電容變化的原理，通過測(cè)量電容的變化來計(jì)算物理量的變化。具有測(cè)量精度高、靈敏度高、響應(yīng)速度快、輸出信號(hào)穩(wěn)定等特點(diǎn)。高精度電容位移傳感器基本結(jié)構(gòu)包括固定殼體和可動(dòng)傳感器元件，可動(dòng)傳感器...

什么是高精度電容位移傳感器？高精度電容位移傳感器是一種通過測(cè)量物體相對(duì)位置變化的電容傳感器。它可以通過在物體周圍放置電極來測(cè)量物體的位置變化，并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出。該傳感器能夠測(cè)量電極之間的電容值的變化，這個(gè)電容值的變化和物體的位置變化成正比。通過對(duì)這些變化...

電容式位移傳感器應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：1. 極限測(cè)量范圍較大：電容式位移傳感器可以適應(yīng)不同精度和測(cè)量范圍的需求，適用于不同領(lǐng)域和尺寸的測(cè)量。2. 抗干擾性能好：電容式位移傳感器可以有效抑制干擾信號(hào)，并通過電路設(shè)計(jì)消除干擾信號(hào)的影響，從而保證測(cè)量精度。3. 體積小、重量輕：...

位移傳感器的作用體現(xiàn)在哪些方面？1. 監(jiān)控和控制：位移傳感器可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)物體的位移變化，并且通過轉(zhuǎn)換電信號(hào)輸出給控制器，以便控制器進(jìn)行實(shí)時(shí)調(diào)整和控制。2. 聯(lián)動(dòng)控制：位移傳感器可以通過和其他傳感器或者執(zhí)行機(jī)構(gòu)組合，實(shí)現(xiàn)聯(lián)動(dòng)控制。例如，在機(jī)器人領(lǐng)域中，位移傳感器...

位移傳感器使用注意事項(xiàng)：1. 避免過度拉伸或壓縮：不能讓傳感器超負(fù)荷拉伸或壓縮，尤其是當(dāng)傳感器的測(cè)量范圍和安裝位置不匹配時(shí)。2. 避免變形：傳感器的構(gòu)造和工作原理需要保證其結(jié)構(gòu)不變形，在安裝和使用時(shí)應(yīng)注意不要用力錘或者鉗子夾緊傳感器。3. 避免強(qiáng)電場(chǎng)干擾：當(dāng)傳...

電容式位移傳感器具有哪些應(yīng)用優(yōu)勢(shì)？電容式位移傳感器應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：1. 測(cè)量精度高：電容式位移傳感器具有很高的測(cè)量精度，測(cè)量范圍適中，且可以達(dá)到亞微米級(jí)別的精度，適用于高精度測(cè)量場(chǎng)合。2. 靈敏度好：電容式位移傳感器對(duì)于被測(cè)量的微小變化有較高的靈敏度，甚至在亞微米或...

高精度電容位移傳感器：Microsense 有著成熟的電渦流使用技術(shù)以及紅外技術(shù)。Microsense是世界上為數(shù)不多的在線厚度測(cè)量、電阻率測(cè)量以及PN結(jié)檢測(cè)的模塊的非接觸的電容傳感器制造商，具有典型5mm直徑的厚度測(cè)量區(qū)域，依靠少于60nm-RMS的分辨率，...

使用位移傳感器的注意事項(xiàng)：1、傳感器的供電情況，如果位移傳感器供電電源容量不足，就會(huì)造成以下的情況：熔膠的運(yùn)動(dòng)會(huì)使合模電子尺的顯示變換，有波動(dòng)，或者合模的運(yùn)動(dòng)會(huì)使射膠電子尺的顯示波動(dòng)，造成測(cè)量誤差變大。如果電磁閥的驅(qū)動(dòng)電源與直線位移傳感器供電電源共用的時(shí)候，更...

ZiptronixInc.與EVGroup（簡(jiǎn)稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。...

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃...

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來測(cè)試它所攜帶的眾多芯片，這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會(huì)在ZUI終測(cè)試時(shí)被拒...

SmartView?NT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于通用對(duì)準(zhǔn)。全自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，采用微米級(jí)面對(duì)面晶圓對(duì)準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對(duì)準(zhǔn)。用于通用對(duì)準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級(jí)面對(duì)面晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的專有方法。這種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)于在lingxian技術(shù)的多個(gè)...

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)geming。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過...

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣，用晶圓級(jí)封裝...

EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)...

EVG?540自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)，適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動(dòng)化的單腔室生產(chǎn)鍵合機(jī)，設(shè)計(jì)用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級(jí)封裝，3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機(jī)基于模塊化設(shè)...

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對(duì)于3DIC，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片...