翻新工藝中可根據(jù)回收物情況不同設(shè)計(jì)多次清洗環(huán)節(jié)。在污染情況不是很嚴(yán)重的情況下,需在工藝設(shè)計(jì)清洗環(huán)節(jié)即可,去除自有污染物及翻新工藝污染物(如維修補(bǔ)焊、打磨、拋光工藝后的污染物殘留)。如回收來的線路板或芯片污染嚴(yán)重,需根據(jù)污染物組成設(shè)計(jì)第1次粗洗,去除大部分污染物,以利于其他翻新工藝的順利進(jìn)行,然后在工藝設(shè)計(jì)精洗環(huán)節(jié)。清洗方法主要有手工刷洗、超聲清洗、噴淋清洗、震蕩清洗等,需根據(jù)企業(yè)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。總體來講,超聲清洗的運(yùn)行成本、清潔度、清洗效率等綜合來比較優(yōu)。由多種進(jìn)口表面活性、緩蝕劑及其它助劑配制而成的水基清洗劑,針對(duì)去除切割工藝的膠粘合劑特別研制。蘇州IC除銹活化費(fèi)用
IC清潔劑流體與固體接觸時(shí),不帶任何表面張力,因此能滲透到晶圓內(nèi)部較深的光刻位囂,因而可以剝離更小的顆粒。流體的粘度很低,可以去除掉晶圓表面的無用固體。采用超臨界流體清洗給組合元件圖案造成的損傷少并可以壓制對(duì)基板的侵蝕和不純物的消費(fèi)??蓪?duì)注入離子的光敏抗腐蝕劑掩模用無氧工藝進(jìn)行剝離。引進(jìn)超臨界流體清洗技術(shù),清洗方法以不使用液體為主流,預(yù)計(jì)到2020年,可達(dá)到幾乎完全不使用液體的超臨界流體清洗或者針點(diǎn)清洗成為主要的清洗方法超臨界流體清洗的革新點(diǎn)在于可以解決現(xiàn)有清洗方法中的兩個(gè)弊端,即清洗時(shí),損傷晶片、或組合元件和污染環(huán)境的問題。蘇州芯片制程藥劑費(fèi)用IC封裝藥水無毒、無味等特點(diǎn),不含有害物質(zhì),環(huán)保型水性產(chǎn)品。
低固態(tài)含量助焊劑:免清洗技術(shù)具有簡(jiǎn)化工藝流程、節(jié)省制造成本和污染少的優(yōu)點(diǎn)。近十年來,免清洗焊接技術(shù)、免清洗焊劑和免清洗焊膏的普遍使用,是20世紀(jì)末電子產(chǎn)業(yè)的一大特點(diǎn)。取代CFCs的途徑是實(shí)現(xiàn)免清洗。PCB抄板之溶劑清洗技術(shù),溶劑清洗主要是利用了溶劑的溶解力除去污染物。采用IC清潔劑清洗,由于其揮發(fā)快,溶解能力強(qiáng),故對(duì)設(shè)備要求簡(jiǎn)單。根據(jù)選用的清洗劑,可分為可燃性清洗劑和不可燃性清洗劑,前者主要包括有機(jī)烴類和醇類(如有機(jī)烴類、醇類、二醇酯類等),后者主要包括氯代烴和氟代烴類(如HCFC和HFC類)等。
現(xiàn)代清洗技術(shù)中的關(guān)鍵要求:IC清潔劑在未來90~65nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)工藝中,除了要考慮清洗后的硅片表面的微粗糙度及自然氧化物去除率等技術(shù)指標(biāo)外,也要考慮對(duì)環(huán)境的污染以及清洗的效率其經(jīng)濟(jì)效益等。硅片清洗技術(shù)評(píng)價(jià)的主要指標(biāo)可以歸納為:微粗糙度(RMS);自然氧化物去除率;金屬沾污、表面顆粒度以及有機(jī)物沾污,其他指標(biāo)還包括:芯片的破損率;清洗中的再沾污;對(duì)環(huán)境的污染;經(jīng)濟(jì)的可接受:包括設(shè)備與運(yùn)行成本、清洗效率)等。金屬沾污在硅片上是以范德華引力、共價(jià)鍵以及電子轉(zhuǎn)移等三種表面形式存在的。這種沾污會(huì)破壞薄氧化層的完整性,增加漏電流密度,影響MOs器件的穩(wěn)定性,重金屬離子會(huì)增加暗電流,情況為結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。IC封裝藥水能通過硫化氫和鹽霧測(cè)試48小時(shí)以上。
處理之后的金屬工件表面附著了鈍化膜或者磷化膜(致密氧化層),厚度約為1微米、可防止工件被二次腐蝕,可以有效地切斷空氣和工件基體之間的接觸。加工的工件要使用單獨(dú)的擺放放置,以便干燥。除銹后的工件自然晾干或晾干。需要油漆的工件應(yīng)在干燥后使用磷化液涂上表面,然后上油漆。IC除銹劑也有保護(hù)作用,因此為了獲得較佳效果,可以根據(jù)工作條件選擇系列(油溶、水溶、硬膜、脫水)好的IC除銹劑。使用一段時(shí)間后,要及時(shí)清理表面的泡沫和沉淀物,進(jìn)行濃度測(cè)試分析,及時(shí)補(bǔ)充新的IC除銹劑,保證除銹效果。IC封裝藥水可以高效去除其表面的松香焊藥,吸塑膠以及墻上粘貼的膠紙,并且有很好的光亮效果。蘇州IC封裝表面處理液供貨商
IC封裝藥水膜成單獨(dú)相存在,通常是氧化金屬的化合物。蘇州IC除銹活化費(fèi)用
在執(zhí)行晶圓的前、后段工藝過程時(shí),晶圓需要經(jīng)過無數(shù)次的IC清潔劑清洗步驟,其次數(shù)取決于晶圓的設(shè)計(jì)和互連的層數(shù)。此外,由于清洗工藝過程要?jiǎng)冸x晶圓表面的光刻膠,同時(shí)還必須去除復(fù)雜的腐蝕殘余物質(zhì),金屬顆粒以及其他污染物等,所以清洗過程是及其復(fù)雜的過程。清洗介質(zhì)的選擇從濕法清洗的實(shí)踐中,越來越多出現(xiàn)難于解決的問題時(shí),迫使科技人員探索和尋找替代的技術(shù),除了如增加超聲頻率(采用MHz技術(shù))等補(bǔ)救方法之外,選擇的途徑就是選擇氣相清洗技術(shù)來替代(熱氧化法、等離子清洗法等)。蘇州IC除銹活化費(fèi)用
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