廣東二極管全新

SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實(shí)現(xiàn)超快開(kāi)關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%（因臨界擊穿電場(chǎng)達(dá)3MV/cm），故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨(dú)特的JBS（結(jié)勢(shì)壘肖特基）結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián)，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時(shí)）。羅姆的SiC模塊實(shí)測(cè)顯示，其反向恢復(fù)電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開(kāi)關(guān)頻率提升至100kHz以上。 智能二極管模塊集成溫度保護(hù)和電流監(jiān)測(cè)功能，提升系統(tǒng)安全性，減少故障風(fēng)險(xiǎn)。廣東二極管全新

賽米控SEMiX系列二極管模塊**了功率領(lǐng)域的封裝**。該平臺(tái)采用創(chuàng)新的"三明治"結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，將DCB基板、芯片和散熱底板通過(guò)納米銀燒結(jié)工藝一體化集成。以SEMiX 453GB12E4s為例，該1200V/450A模塊的寄生電感*7nH，比傳統(tǒng)模塊降低50%。獨(dú)特的壓力接觸系統(tǒng)（PCS）技術(shù)消除了焊接疲勞問(wèn)題，使模塊在ΔTj=80K的功率循環(huán)條件下壽命超過(guò)30萬(wàn)次。在電梯變頻器應(yīng)用中，實(shí)測(cè)顯示采用該模塊的系統(tǒng)效率提升至98.8%，溫升降低15K。賽米控還提供模塊化設(shè)計(jì)套件（MDK），支持客戶(hù)快速實(shí)現(xiàn)不同拓?fù)渑渲?。吉林二極管質(zhì)量哪家好英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術(shù)，簡(jiǎn)化安裝流程，降低工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的維護(hù)成本。

P型和N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。
因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。
N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。
因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極；負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通， 加上反向電壓時(shí)，二極管截止。 二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi) 。二極管具有單向?qū)щ娦阅埽瑢?dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子流向陰極。二極管是老早誕生的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接，構(gòu)成不同功能的電路，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電整流、對(duì)調(diào)制信號(hào)檢波、限幅和鉗位以及對(duì)電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能 。Infineon的二極管模塊支持高電流密度設(shè)計(jì)，散熱性能優(yōu)異，是電動(dòng)汽車(chē)充電樁的理想選擇。

快恢復(fù)二極管（FRD）模塊的逆向恢復(fù)特性（trr<100ns）源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過(guò)電子輻照或鉑摻雜，將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級(jí)縮短至ns級(jí)。以1200V/50A FRD模塊為例，其反向恢復(fù)電流（Irr）與軟度因子（S=ta/tb）直接影響IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)di/dt=100A/μs時(shí)，優(yōu)化后的模塊Irr<30A，且S>0.8，可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路，利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量，抑制電磁干擾（EMI）。 碳化硅（SiC）二極管模塊具有耐高溫、低導(dǎo)通損耗等優(yōu)勢(shì)，助力新能源汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)高效運(yùn)行。河北變?nèi)荻O管

英飛凌二極管模塊集成快速恢復(fù)二極管，優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能，大幅降低EMI干擾，提升系統(tǒng)效率。廣東二極管全新

二極管在電路保護(hù)方面發(fā)揮著重要作用，可防止反向電流或電壓尖峰損壞敏感電子元件。例如，在繼電器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，當(dāng)線圈斷電時(shí)會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)（感應(yīng)電壓），可能損壞晶體管或集成電路。此時(shí)，并聯(lián)一個(gè)續(xù)流二極管（又稱(chēng)“飛輪二極管”）可以提供一個(gè)低阻抗路徑，使感應(yīng)電流安全釋放，從而保護(hù)其他元件。此外，在電源輸入端加入防反接二極管，可避免因電池或電源極性接反而燒毀電路。這種保護(hù)機(jī)制在汽車(chē)電子、工業(yè)控制及消費(fèi)電子產(chǎn)品中極為常見(jiàn)。 廣東二極管全新