晶圓級封裝的實現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟利益。它允許晶圓制造，封裝和測試的集成，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。
晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。
岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機，可以實現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝，這對于當今和未來的器件制造是至關(guān)重要。新疆鍵合機服務為先
EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內(nèi)部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站高精密儀器鍵合機技術(shù)原理EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個型號用于研發(fā)的鍵合機。
在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆ＡУ碾x子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。
EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學，研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒。
半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。
imec 3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。北京EVG810 LT鍵合機
旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。新疆鍵合機服務為先
Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實際應用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準問題，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］，其鍵合強度可以達到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。新疆鍵合機服務為先
岱美儀器技術(shù)服務（上海）有限公司致力于儀器儀表，是一家其他型公司。公司業(yè)務分為磁記錄，半導體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)等，目前不斷進行創(chuàng)新和服務改進，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務。公司注重以質(zhì)量為中心，以服務為理念，秉持誠信為本的理念，打造儀器儀表良好品牌。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造***服務體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。