低溫鍵合機(jī)中芯在用嗎

來源: 發(fā)布時間:2020-07-26

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。EVG鍵合機(jī)鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。低溫鍵合機(jī)中芯在用嗎

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 EVG560鍵合機(jī)優(yōu)惠價格鍵合機(jī)晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實(shí)用的技術(shù)。

GEMINI®FB特征:

新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對準(zhǔn)精度

多達(dá)六個預(yù)處理模塊,例如:

清潔模塊

LowTemp?等離子基活模塊

對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊

解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

可選功能:

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸)

200、300毫米

蕞高處理模塊數(shù):6+的SmartView

®NT

可選功能:

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準(zhǔn)和涂敷精度,適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準(zhǔn)器,該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的。

EVG?850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實(shí)現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加,烘焙,將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣,設(shè)備布局是模塊化的,這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進(jìn)行優(yōu)化??蛇x的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺,因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑,例如旋涂熱塑性塑料,熱固性材料或膠帶。EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)

旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域:?4.0mm

材質(zhì):聚四氟乙烯



兆聲區(qū)域傳感器

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性

材質(zhì):不銹鋼和藍(lán)寶石

刷子

材質(zhì):PVA

可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)

可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)



烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。EVG6200鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

業(yè)內(nèi)主流鍵合機(jī)使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。低溫鍵合機(jī)中芯在用嗎

      一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。 低溫鍵合機(jī)中芯在用嗎

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