EVG ® 6200 NT是SmartNIL
UV納米壓印光刻系統(tǒng)。
用UV納米壓印能力設(shè)有EVG's專有SmartNIL通用掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)®技術(shù)范圍達(dá)150m。這些系統(tǒng)以其自動化的靈活性和可靠性而著稱，以**小的占地面積提供了**
新的掩模對準(zhǔn)技術(shù)。操作員友好型軟件，**短的掩模和工具更換時間以及高 效的全球服務(wù)和支持使它們成為任何研發(fā)環(huán)境（半自動批量生產(chǎn)）的理想解決方案。該工具支持多種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，例如真空，軟，硬和接近曝光模式，并且可以選擇背面對準(zhǔn)。此外，該系統(tǒng)還為多功能配置提供了附加功能，包括鍵對準(zhǔn)和納米壓印光刻。此外，半自動和全自動系統(tǒng)配置均支持EVG專有的SmartNIL技術(shù)。
納米壓印是一種用于大規(guī)模制造微米級和納米級結(jié)構(gòu)的低成本的技術(shù)，大批量替代光刻技術(shù)。納米壓印中芯在用嗎
曲面基底上的納米結(jié)構(gòu)在許多領(lǐng)域都有著重要應(yīng)用，例如仿生學(xué)、柔性電子學(xué)和光學(xué)器件等。傳統(tǒng)的納米壓印技術(shù)通常采用剛性模板，可以實(shí)現(xiàn)亞10nm的分辨率，但是模板不能彎折，無法在曲面基底上壓印制備納米結(jié)構(gòu)。而采用彈性模板的軟壓印技術(shù)可以在無外界提供壓力下與曲面保形接觸，實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)在非平面基底上的壓印復(fù)制，但是由于彈性模板的楊氏模量較低，所以壓印結(jié)構(gòu)的分辨率和精度都受到限制?；谀壳凹{米壓印的發(fā)展現(xiàn)狀，結(jié)合傳統(tǒng)的納米壓印技術(shù)和軟壓印技術(shù)，中國科學(xué)院光電技術(shù)研究所團(tuán)隊發(fā)展了一種基于紫外光固化巰基-烯材料的亞100nm分辨率的復(fù)合軟壓印模板的制備方法，該模板包含剛性結(jié)構(gòu)層和彈性基底層。（來自網(wǎng)絡(luò)，侵權(quán)請聯(lián)系我們進(jìn)行刪除，謝謝?。?進(jìn)口納米壓印質(zhì)量怎么樣EVG?720/EVG?7200/EVG?7200LA是自動化的全場域納米壓印解決方案，適用于第3代基材。
HERCULES NIL 300 mm提供了市場上**的納米壓印功能，具有較低的力和保形壓印，快速的高功率曝光和平滑的壓模分離。該系統(tǒng)支持各種設(shè)備和應(yīng)用程序的生產(chǎn)，包括用于增強(qiáng)/虛擬現(xiàn)實(shí)（AR / VR）頭戴式耳機(jī)的光學(xué)設(shè)備，3D傳感器，生物醫(yī)學(xué)設(shè)備，納米光子學(xué)和等離激元學(xué)。
HERCULES ® NIL特征：
全自動UV-NIL壓印和低力剝離
**多300毫米的基材
完全模塊化的平臺，具有多達(dá)八個可交換過程模塊（壓印和預(yù)處理）
200毫米/ 300毫米橋接工具能力
全區(qū)域烙印覆蓋
批量生產(chǎn)**小40 nm或更小的結(jié)構(gòu)
支持各種結(jié)構(gòu)尺寸和形狀，包括3D
適用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取決于過程和模板
EVG610特征：
頂部和底部對準(zhǔn)能力
高精度對準(zhǔn)臺
自動楔形誤差補(bǔ)償機(jī)制
電動和程序控制的曝光間隙
支持***的UV-LED技術(shù)
**小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
分步流程指導(dǎo)
遠(yuǎn)程技術(shù)支持
多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權(quán)限，不同的用戶界面語言）
敏捷處理和光刻工藝之間的轉(zhuǎn)換
臺式或帶防震花崗巖臺的單機(jī)版
EVG610附加功能：
鍵對準(zhǔn)
紅外對準(zhǔn)
納米壓印光刻
μ接觸印刷
EVG610技術(shù)數(shù)據(jù)：
晶圓直徑（基板尺寸）
標(biāo)準(zhǔn)光刻：比較大150毫米的碎片
柔軟的UV-NIL：比較大150毫米的碎片
解析度：≤40 nm（分辨率取決于模板和工藝）
支持流程：柔軟的UV-NIL
曝光源：汞光源或紫外線LED光源
自動分離：不支持
工作印章制作：外部
EVG ? 7200是自動SmartNIL ? UV納米壓印光刻系統(tǒng)。
具體說來就是，MOSFET能夠有效地產(chǎn)生電流流動，因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)旺旺不能精確控制住摻雜的水平（硅中摻雜以帶來或正或負(fù)的電荷），以確保跨各組件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一層二氧化硅（SiO2）襯底上，然后沉積一層金屬或多晶硅制成的。然而這種方法可以不精確且難以完全掌控，摻雜有時會泄到別的不需要的地方，那樣就創(chuàng)造出了所謂的“短溝道效應(yīng)”區(qū)域，并導(dǎo)致性能下降。一個典型MOSFET不同層級的剖面圖。不過威斯康星大學(xué)麥迪遜分校已經(jīng)同全美多個合作伙伴攜手（包括密歇根大學(xué)、德克薩斯大學(xué)、以及加州大學(xué)伯克利分校等），開發(fā)出了能夠降低摻雜劑泄露以提升半導(dǎo)體品質(zhì)的新技術(shù)。研究人員通過電子束光刻工藝在表面上形成定制形狀和塑形，從而帶來更加“物理可控”的生產(chǎn)過程。（來自網(wǎng)絡(luò)。EVG的納米壓印設(shè)備已使納米圖案能夠在面板尺寸比較大為第三代（550 mm x 650 mm）的基板上實(shí)現(xiàn)。半導(dǎo)體納米壓印值得買
EV Group能夠提供混合和單片微透鏡成型工藝。納米壓印中芯在用嗎
EVG ® 520 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的熱壓印和納米壓印應(yīng)用
自動化壓花工藝
EVG專有的**對準(zhǔn)工藝，用于光學(xué)對準(zhǔn)的壓印和壓印
氣動壓花選項
軟件控制的流程執(zhí)行
EVG ® 520 HE技術(shù)數(shù)據(jù)
加熱器尺寸：150毫米，200毫米
比較大基板尺寸：150毫米，200毫米
**小基板尺寸：單芯片，100毫米
比較大接觸力：10、20、60、100 kN
比較高溫度：標(biāo)準(zhǔn)：350°C；可選：550°C
粘合卡盤系統(tǒng)/對準(zhǔn)系統(tǒng)
150毫米加熱器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200
200毫米加熱器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT
真空：
標(biāo)準(zhǔn)：0.1毫巴
可選：0.00001 mbar 納米壓印中芯在用嗎
岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司辦公設(shè)施齊全，辦公環(huán)境優(yōu)越，為員工打造良好的辦公環(huán)境。專業(yè)的團(tuán)隊大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉行業(yè)專業(yè)知識技能，致力于發(fā)展岱美儀器技術(shù)服務(wù)的品牌。公司以用心服務(wù)為重點(diǎn)價值，希望通過我們的專業(yè)水平和不懈努力，將磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】磁記錄、半導(dǎo)體、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù)，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù)。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動】等業(yè)務(wù)進(jìn)行到底。岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)，堅持“質(zhì)量保證、良好服務(wù)、顧客滿意”的質(zhì)量方針，贏得廣大客戶的支持和信賴。