福建如何發(fā)展BOE蝕刻液

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    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。參照圖1，本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)包括：電解槽1、射流器2、再生液調(diào)配缸3、液體泵4，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口，且電解槽1中內(nèi)置有酸性蝕刻液，電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅，產(chǎn)生氯氣，得到電解后液，并且，產(chǎn)生的氯氣通過位于上方的出氣口排出，電解后液通過位于下方的出液口排出。射流器2包括混氣室21和擴散管22，混氣室21和擴散管22之間為喉管，混氣室21具有進氣口2a、進液口2b、出液口2c，擴散管22連接至出液口2c，進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴散管22深入到再生液調(diào)配缸3中。再生液調(diào)配缸3具有進液口和循環(huán)出液口，進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調(diào)配缸3的循環(huán)出液口，另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b，用于將再生液調(diào)配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b。電解槽1電解提銅后，陽極產(chǎn)生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內(nèi)，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合。江蘇專業(yè)BOE蝕刻液按需定制蘇州博洋化學您正確的選擇，歡迎咨詢。

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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BOE蝕刻液的溶液配比。福建如何發(fā)展BOE蝕刻液

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