這樣一來,輸出高低電平時,T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導(dǎo)通電阻都很小,使 RC 常數(shù)很小,轉(zhuǎn)變速度很快。因此,推拉式輸出級既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個三極管分別受兩互補(bǔ)信號的控制,總是在一個三極管導(dǎo)通的時候另一個截止。要實現(xiàn)線與需要用 OC(open collector)門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合,廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中。這種放大作用確保了信號具有足夠的能量去控制其他電子器件,如電機(jī)、LED顯示屏、傳感器等。青浦區(qū)特點驅(qū)動電路設(shè)計
另外在IGBT驅(qū)動器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和dv/dt 能力。Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、柵極電阻Rg的作用1、消除柵極振蕩絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射(或柵源)極之間是容性結(jié)構(gòu),柵極回路的寄生電感又是不可避免的,如果沒有柵極電阻,那柵極回路在驅(qū)動器驅(qū)動脈沖的激勵下要產(chǎn)生很強(qiáng)的振蕩,因此必須串聯(lián)一個電阻加以迅速衰減。2、轉(zhuǎn)移驅(qū)動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅(qū)動功率就將絕大部分消耗在驅(qū)動器內(nèi)部的輸出管上,使其溫度上升很多。閔行區(qū)國產(chǎn)驅(qū)動電路服務(wù)熱線打印機(jī)驅(qū)動程序使計算機(jī)能夠識別和使用打印機(jī)。
實驗及結(jié)果根據(jù)以上分析,本文設(shè)計一臺基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動器,控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V,最大輸出功率為25W,比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時間系數(shù)選擇0.5,增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時阻抗匹配開關(guān)驅(qū)動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形,電路的輸出電流為470mA,功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出,當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間,由于驅(qū)動器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰,而當(dāng)輸入電流小于一定值時,阻抗匹配開關(guān)開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。
由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測量中也沒有被包括在內(nèi),在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實際應(yīng)用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計一個驅(qū)動器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù),那么我們就可以運用公式計算出:門極驅(qū)動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]由單個電子元器件連接起來組成的驅(qū)動電路,多用于功能簡單的小功率驅(qū)動場合。
3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小,開關(guān)器件通斷快,開關(guān)損耗??;反之則慢,同時開關(guān)損耗大。但驅(qū)動速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高,從而產(chǎn)生較大的干擾,嚴(yán)重的將使整個裝置無法工作,因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下,柵極電阻的選取會有很大的差異。初試可如下選取:不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求,可在其參數(shù)手冊的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動的功率決定,一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動功率的2倍。驅(qū)動電路,位于主電路和控制電路之間,主要作用是對控制電路的信號進(jìn)行放大,使其能夠驅(qū)動功率開關(guān)器件。徐匯區(qū)特點驅(qū)動電路量大從優(yōu)
繼電器驅(qū)動電路:通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動高功率負(fù)載,適用于需要隔離控制信號和負(fù)載的場合。青浦區(qū)特點驅(qū)動電路設(shè)計
IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時,也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時對其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,在實際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。青浦區(qū)特點驅(qū)動電路設(shè)計
祥盛芯城(上海)半導(dǎo)體有限公司是一家有著先進(jìn)的發(fā)展理念,先進(jìn)的管理經(jīng)驗,在發(fā)展過程中不斷完善自己,要求自己,不斷創(chuàng)新,時刻準(zhǔn)備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司,在上海市等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**,在業(yè)界也收獲了很多良好的評價,這些都源自于自身的努力和大家共同進(jìn)步的結(jié)果,這些評價對我們而言是比較好的前進(jìn)動力,也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強(qiáng)、一往無前的進(jìn)取創(chuàng)新精神,努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度,在全體員工共同努力之下,全力拼搏將共同祥盛芯城供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來,創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品,我們將以更好的狀態(tài),更認(rèn)真的態(tài)度,更飽滿的精力去創(chuàng)造,去拼搏,去努力,讓我們一起更好更快的成長!