寶山區(qū)制造驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E，然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）驅(qū)動集成芯片：在數(shù)字電源中應用，許多驅(qū)動芯片自帶保護和隔離功能。寶山區(qū)制造驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

光耦的特點光耦基本電路1. 參數(shù)設計簡單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動電源3. 驅(qū)動功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合：用于傳送較低頻信號時—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點:1.既可傳遞信號又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應用比較好驅(qū)動特性和驅(qū)動電流波形比較好驅(qū)動1.開通時： 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通，減小開通損耗；2.導通期間：足夠的基極電流，使晶體管任意負載飽和導通—低導通損耗；關斷前調(diào)整基極電流，使晶體管處于臨界飽和導通—減小 ， 關斷快;寶山區(qū)制造驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)根據(jù)具體的應用場景和需求，還有推挽驅(qū)動、隔離驅(qū)動、加速關斷驅(qū)動等多種設計方案。

如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認為Cin=2.2Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 2.2 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 2.2Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計算負象限的門極電荷會更接近實際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 4.5-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 2.2 = QG(on) + [ 0 - VG(off) ] · Cies · 2.2

-- 適用于Cies 的測試條件為 VCE = 10 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz 的IGBT當為各個應用選擇IGBT驅(qū)動器時，必須考慮下列細節(jié)：· 驅(qū)動器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動功率PG。驅(qū)動器的比較大平均輸出電流必須大于計算值?！?驅(qū)動器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計算得到的比較大峰值電流?！?驅(qū)動器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動器時必須要考慮。傳感器檢測到的物理量（如溫度、壓力等）可以通過驅(qū)動電路轉換為電信號，以便進行后續(xù)處理和分析。

IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對N 一層進行電導調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動電路是驅(qū)動IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時對其進行保護的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經(jīng)得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動器的作用對整個換流系統(tǒng)來說同樣至關重要。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT 和驅(qū)動器損壞。以下總結了一些關于IGBT驅(qū)動器輸出性能的計算方法以供選型時參考。優(yōu)良的驅(qū)動電路能夠減少器件的開關損耗，提高能量轉換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）。楊浦區(qū)好的驅(qū)動電路現(xiàn)價

驅(qū)動電路是用于控制和驅(qū)動其他電路或設備的電路。寶山區(qū)制造驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

實驗及結果根據(jù)以上分析，本文設計一臺基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負載;RC時間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實驗波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導通角為115°時阻抗匹配開關驅(qū)動電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當可控硅導通瞬間，由于驅(qū)動器輸入端有差模濾波電容導致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當輸入電流小于一定值時，阻抗匹配開關開通以保證流過可控硅的電流大于其維持電流。寶山區(qū)制造驅(qū)動電路生產(chǎn)企業(yè)

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