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MEMS可變光衰減器:利用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。例如,通過(guò)MEMS微鏡的傾斜角度,改變光信號(hào)的反射路徑,從而實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。12.液晶原理液晶可變光衰減器:利用液晶的電光效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。通過(guò)改變外加電壓,改變液晶的折射率,從而改變光信號(hào)的傳播特性,實(shí)現(xiàn)光衰減。13.電光效應(yīng)原理電光可變光衰減器:利用電光材料的電光效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。通過(guò)改變外加電場(chǎng),改變材料的折射率,從而改變光信號(hào)的傳播特性,實(shí)現(xiàn)光衰減。14.磁光效應(yīng)原理磁光可變光衰減器:利用磁光材料的磁光效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。通過(guò)改變外加磁場(chǎng),改變材料的折射率,從而改變光信號(hào)的傳播特性,實(shí)現(xiàn)光衰減。 光衰減器的衰減值波動(dòng)較小,且始終在允許的誤差范圍內(nèi),則說(shuō)明其穩(wěn)定性良好。廈門(mén)可調(diào)光衰減器IQS-3150
未來(lái)五年(2025-2030年),硅光衰減器技術(shù)的突破將對(duì)光通信、數(shù)據(jù)中心、AI算力等多個(gè)產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響,具體體現(xiàn)在以下方面:一、光通信產(chǎn)業(yè):加速高速化與集成化推動(dòng)800G/(±)和快速響應(yīng)(納秒級(jí))特性,將直接支持800G/,滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心和5G前傳的超高帶寬需求127。與CPO(共封裝光學(xué))技術(shù)結(jié)合,硅光衰減器可減少光模塊體積80%,功耗降低50%,助力光通信系統(tǒng)向超高速、低能耗方向發(fā)展3637。促進(jìn)全光網(wǎng)絡(luò)升級(jí)動(dòng)態(tài)可調(diào)硅光衰減器(EVOA)的遠(yuǎn)程控制能力,適配彈性光網(wǎng)絡(luò)(Flex-Grid)的實(shí)時(shí)功率均衡需求,提升城域網(wǎng)和骨干網(wǎng)的傳輸效率112。在量子通信領(lǐng)域,**噪聲硅光衰減器(噪聲指數(shù)<)可保障單光子信號(hào)的純度,推動(dòng)安全通信技術(shù)發(fā)展27。 無(wú)錫Agilent光衰減器N7762A及時(shí)發(fā)現(xiàn)光功率是否出現(xiàn)異常變化,如有過(guò)載趨勢(shì),及時(shí)調(diào)整光衰減器。
固定衰減器和可變衰減器在光纖通信中都有廣泛的應(yīng)用,但它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用場(chǎng)景上存在***的區(qū)別。以下是兩者的詳細(xì)對(duì)比:1.基本定義固定衰減器:提供固定的衰減量,衰減值在制造時(shí)已經(jīng)確定,不可調(diào)整。通常用于需要固定光功率衰減的場(chǎng)景,如網(wǎng)絡(luò)平衡、系統(tǒng)測(cè)試等。可變衰減器(VOA):提供可調(diào)節(jié)的衰減量,用戶(hù)可以根據(jù)需要實(shí)時(shí)調(diào)整衰減量。通常用于需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)整光功率的場(chǎng)景,如網(wǎng)絡(luò)調(diào)優(yōu)、實(shí)驗(yàn)室測(cè)試等。2.工作原理固定衰減器:吸收原理:通過(guò)材料吸收光信號(hào)能量來(lái)實(shí)現(xiàn)衰減。例如,使用含有特定金屬離子或染料的玻璃。散射原理:利用材料的微觀結(jié)構(gòu)散射光信號(hào),減少光信號(hào)的功率。光纖彎曲原理:通過(guò)彎曲光纖,使部分光信號(hào)泄漏出去,從而實(shí)現(xiàn)衰減。
硅光衰減器技術(shù)在未來(lái)五年(2025-2030年)可能迎來(lái)以下重大突破,結(jié)合技術(shù)演進(jìn)趨勢(shì)、產(chǎn)業(yè)需求及搜索結(jié)果中的關(guān)鍵信息分析如下:一、材料與工藝創(chuàng)新異質(zhì)集成技術(shù)突破通過(guò)磷化銦(InP)、鈮酸鋰(LiNbO3)等材料與硅基芯片的異質(zhì)集成,解決硅材料發(fā)光效率低的問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)高性能激光器與衰減器的單片集成。例如,九峰山實(shí)驗(yàn)室已成功在8寸SOI晶圓上集成磷化銦激光器,為國(guó)產(chǎn)化硅光衰減器提供光源支持2743。二維材料(如MoS?)的應(yīng)用可能將驅(qū)動(dòng)電壓降至1V以下,***降低功耗2744。先進(jìn)封裝技術(shù)晶圓級(jí)光學(xué)封裝(WLO)和自對(duì)準(zhǔn)耦合技術(shù)將減少光纖與硅光波導(dǎo)的耦合損耗(目標(biāo)<),提升量產(chǎn)良率1833。共封裝光學(xué)(CPO)中,硅光衰減器與電芯片的3D堆疊封裝技術(shù)可進(jìn)一步縮小體積,適配AI服務(wù)器的高密度需求1844。 光衰減器以低成本、高穩(wěn)定性見(jiàn)長(zhǎng),而可調(diào)/可編程型則適用于動(dòng)態(tài)場(chǎng)景。
光纖彎曲衰減器:通過(guò)彎曲光纖來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減。當(dāng)光纖彎曲時(shí),部分光信號(hào)會(huì)從光纖中泄漏出去,從而降低光信號(hào)的功率。通過(guò)調(diào)整光纖的彎曲半徑和長(zhǎng)度,可以控光信號(hào)的衰減量。34.光柵原理光纖光柵衰減器:利用光纖光柵的反射特性來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減。光纖光柵可以將特定波長(zhǎng)的光信號(hào)反射回去,從而減少光信號(hào)的功率。通過(guò)設(shè)計(jì)光纖光柵的周期和長(zhǎng)度,可以實(shí)現(xiàn)特定波長(zhǎng)的光衰減。35.微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)原理MEMS可變光衰減器:利用微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。例如,通過(guò)控MEMS微鏡的傾斜角度,改變光信號(hào)的反射路徑,從而實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。36.液晶原理液晶可變光衰減器:利用液晶的電光效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)光衰減量的調(diào)節(jié)。通過(guò)改變外加電壓,改變液晶的折射率,從而改變光信號(hào)的傳播特性,實(shí)現(xiàn)光衰減。 在長(zhǎng)距離光通信中,可能需要較大范圍的衰減量來(lái)調(diào)節(jié)光信號(hào)強(qiáng)度;成都EXFO光衰減器品牌排行
光衰減器使接收光功率在接收范圍內(nèi)方可進(jìn)行,否則容易導(dǎo)致接收器過(guò)載。廈門(mén)可調(diào)光衰減器IQS-3150
在光傳感器應(yīng)用中,光衰減器精度不足會(huì)導(dǎo)致傳感器輸入光信號(hào)功率的不確定性增加。例如,在光敏傳感器用于光照強(qiáng)度測(cè)量時(shí),如果光衰減器不能精確地輸入光信號(hào),傳感器測(cè)量得到的光照強(qiáng)度值就會(huì)出現(xiàn)誤差。假設(shè)光衰減器的精度誤差為5%,那么傳感器測(cè)量結(jié)果的誤差也會(huì)在5%左右,這對(duì)于需要精確測(cè)量光照強(qiáng)度的應(yīng)用場(chǎng)景(如植物生長(zhǎng)環(huán)境監(jiān)測(cè)等)是不可接受的。傳感器工作狀態(tài)異常如果光衰減器精度不足,可能會(huì)使光傳感器工作在非線(xiàn)性區(qū)域。例如,對(duì)于一些具有非線(xiàn)性響應(yīng)特性的光傳感器,當(dāng)輸入光信號(hào)功率超出其線(xiàn)性工作范圍時(shí),傳感器的輸出信號(hào)與輸入光信號(hào)之間的關(guān)系不再是線(xiàn)性的,這會(huì)導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果失真。而且,如果光衰減器衰減后的光信號(hào)功率過(guò)高,可能會(huì)使光傳感器飽和,無(wú)法正常工作;如果光信號(hào)功率過(guò)低,可能會(huì)使傳感器無(wú)法檢測(cè)到信號(hào),影響傳感器的正常功能。 廈門(mén)可調(diào)光衰減器IQS-3150