選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時,相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容,整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。蘇州10兆晶振廠商
晶振的主要參數(shù):晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率、負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等,這些參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。因此,在實際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?,如通信網(wǎng)絡(luò)、無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要精度高的晶振。不過,由于性能越高的晶振價格也越貴,所以購買時選擇符合要求的晶振即可。標(biāo)稱頻率。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同,標(biāo)稱頻率大都標(biāo)注在晶振外殼上。負載特性。其他條件保持不變時,負載在規(guī)定變化范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率相對于標(biāo)稱負載下的輸出頻率的較大允許頻偏。 無錫無源晶振供應(yīng)商負載電容不同,振蕩器的振蕩頻率不同。
晶振的振動模式與頻率關(guān)系:基頻1~35MHz;3次泛音10~75MHz;5次泛音 50~150MHz;7次泛音 100~200MHz;9次泛音 150~250MHz。晶體電阻:對于同一頻率,當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成;Ri、R0:儀器內(nèi)阻:一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求,應(yīng)按上圖連接。
晶體是一個14.318 MHz的石英諧振器,主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的頻率信號輸送給主板上的各種信號處理芯片。如圖7所示為時鐘芯片的晶振電路示意圖,振蕩電路在芯片內(nèi)部,諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器,簡稱晶振。晶振電路在電磁爐中的應(yīng)用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖,在電磁爐電路中,晶體振蕩器常用作微處理器(或微控制器)的時鐘信號源,時鐘信號是整機工作不可缺少的信號,如果沒有時鐘信號,那么微處理器將無法啟動和工作。非溫度補償式晶體振蕩器是較簡單的一種,在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中稱之為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器。
單片機晶振與速度的疑問,執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機和MSP430,給51接高速晶振,430接低速的,是不是51跑的要快?是不是速度單片機速度光光與晶振有關(guān),關(guān)鍵是單片機能不能支持那么大的晶振?每個單片機的速度是受到內(nèi)部邏輯門電平跳變速度的。對于一個51,給他用更高的晶振,速度會快些。但是對于高級的單片機就不一樣了。高級單片機內(nèi)部,一般都是有頻率控制寄存器的,所以,簡單的增加晶振,可能達到單片機的極限,導(dǎo)致跑飛。晶體與微處理器(CPU)相配合,形成晶體振蕩電路,為CPU電路提供時鐘振蕩信號。無錫晶振廠家推薦
晶片變形,則兩極上金屬片又會產(chǎn)生電壓。蘇州10兆晶振廠商
將石英晶體振子置于內(nèi)部的恒溫槽中,而將振蕩電路置于外部的恒溫槽中進行溫度補償,實行雙重恒溫槽控制法。利用比例控制的恒溫槽能把晶體的溫度穩(wěn)定度提高到5000倍以上,使振蕩器頻率穩(wěn)定度至少保持在1×10-9。OCXO主要用于移動通信基地站、**、導(dǎo)航、頻率計數(shù)器、頻譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備、儀表中。OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構(gòu)成的差動串聯(lián)放大器來實現(xiàn)溫度控制的。具有自動增益控制(AGC)的(Clapp)振蕩電路,是目前獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。近幾年中,OCXO的技術(shù)水平有了很大的提高。蘇州10兆晶振廠商
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