晶體振蕩器用法，測(cè)量?jī)x器，厚度計(jì)：真空蒸鍍沉積被用作由于變化的頻率連接到在振動(dòng)器表面時(shí)增加的質(zhì)量的膜厚度測(cè)量?jī)x。石英晶體微天平：一種將非常少量的分子質(zhì)量應(yīng)用于測(cè)量的設(shè)備，因?yàn)楫?dāng)物體粘附到石英晶體表面時(shí)，傳輸頻率會(huì)發(fā)生變化。石英壓電壓力傳感器，無(wú)線通信（振蕩電路，濾波電路）在無(wú)線通信中，可以將晶體諧振器用作濾波器電路的一部分。它被稱為晶體濾波器或晶體濾波器。特別是在需要窄帶濾波器電路時(shí)使用。SAW濾波器正越來(lái)越多地用于較窄的頻帶，并且產(chǎn)量正在下降。另一方面，由于許多業(yè)余無(wú)線電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)宣布了基于晶體諧振器測(cè)量數(shù)據(jù)的濾波器設(shè)計(jì)方法和評(píng)估，所以自制的晶體濾波器通常主要用于業(yè)余無(wú)線電。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。直插晶振貴不貴
一種是皮爾斯振蕩器配置晶振，適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡(jiǎn)單的分立RC振蕩器?；诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數(shù)。RC振蕩器能夠快速啟動(dòng)，成本也比較低，但通常在整個(gè)溫度和工作電源電壓范圍內(nèi)精度較差，會(huì)在標(biāo)稱輸出頻率的5%至50%范圍內(nèi)變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認(rèn)真對(duì)待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時(shí)，陶瓷諧振槽路和相應(yīng)的負(fù)載電容必須根據(jù)特定的邏輯系列進(jìn)行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對(duì)放大器的選擇并不敏感，但在過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)很容易產(chǎn)生頻率漂移（甚至可能損壞）。金華25兆晶振廠家推薦非溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器是較簡(jiǎn)單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中稱之為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器。
晶振的工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時(shí)，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對(duì)溫度頻差要求很高，同時(shí)空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。負(fù)載電容與頻率牽引：在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來(lái)牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時(shí)，則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí)，相對(duì)頻率牽引為：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。
晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來(lái)表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過(guò)的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。晶振利用一種能把電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的晶體，在共振的狀態(tài)下工作可以提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。
晶振的指標(biāo)，標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差：在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。標(biāo)稱頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。16兆晶振批發(fā)
晶振一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。直插晶振貴不貴
周期性輸出信號(hào)的標(biāo)稱頻率（Normal Frequency），就是晶體元件規(guī)格書中所指定的頻率，也是工程師在電路設(shè)計(jì)和元件選購(gòu)時(shí)首要關(guān)注的參數(shù)。晶振常用標(biāo)稱頻率在1～200MHz之間，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的輸出頻率也常用PLL（鎖相環(huán)）將低頻進(jìn)行倍頻至1GHz以上。輸出信號(hào)的頻率不可避免會(huì)有一定的偏差，我們用頻率誤差或頻率穩(wěn)定度，用單位ppm來(lái)表示，即百萬(wàn)分之一（1/106），是相對(duì)標(biāo)稱頻率的變化量，此值越小表示精度越高。直插晶振貴不貴
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