3月10日-12日華東國際先進陶瓷展覽會

半導體情報 (SC-IQ) 估計，2024 年半導體資本支出 (CapEx) 為 1550 億美元，比 2023 年的 1640 億美元下降 5%。我們對 2025 年的預測為 1600 億美元，增長 3%。2025 年的增長主要由兩家公司推動。比較大的代工公司臺積電計劃 2025 年的資本支出在 380 億美元至 420 億美元之間。使用中間值，這將增加 100 億美元或 34%。美光科技預計其截至 8 月的 2025 財年的資本支出為 140 億美元，比上一財年增加 60 億美元或 73%。不包括這兩家公司，2025 年半導體總資本支出將比 2024 年減少 120 億美元或 10%。資本支出比較大的三家公司中有兩家計劃在 2025 年大幅削減開支，英特爾下降 20%，三星下降 11%。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！2025華南國際先進陶瓷展領航東南亞智造新浪潮！9月，深圳見！3月10日-12日華東國際先進陶瓷展覽會

深圳匯聚汽車、3C電子、新能源、醫(yī)療器械等萬億級產業(yè)集群，2025年深圳工業(yè)總產值預計突破5.2萬億元。作為全球比較大商業(yè)化試驗場，深圳坐擁華為、比亞迪、大疆等本土巨頭，形成消費電子+新能源汽車+無人機三大千億級應用場景。以比亞迪為例，其年產量430萬輛新能源汽車（占全國33.4%），直接帶動陶瓷軸承、氮化硅覆銅基板等材料的定制化研發(fā)需求激增。鵬城實驗室、國家超算中心等47個重大科技基礎設施皆布局在深圳，研發(fā)投入強度達5.8%（超全國均值2.5倍）。在先進陶瓷領域，能夠有效推動先進陶瓷技術快速商業(yè)化。例如，華為-哈工大聯(lián)合實驗室的陶瓷基復合材料研發(fā)成果，可在6個月內完成從實驗室到生產線的轉化，這種速度優(yōu)勢使深圳成為新材料應用的“***落點”，是開拓華南市場版圖的重要區(qū)域。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！上海國際先進陶瓷及粉末冶金展覽會2025買家中心關注點，就在9月10-12日，深圳福田會展中心，2025華南先進陶瓷展！

2月11日17點30分，我國在文昌航天發(fā)射場，運用長征八號改運載火箭（以下簡稱“長八改火箭”），將衛(wèi)星互聯(lián)網低軌02組衛(wèi)星送入預定軌道，長八改火箭的首飛任務取得圓滿成功。在航天航空高技術產業(yè)快速發(fā)展，技術成果接連涌現的背后，誰在助力這場大國競賽？科學家們在對高溫陶瓷材料熱運輸和微觀結構的理論研究進程中發(fā)現，碳化硅和氮化硼陶瓷材料具有耐高溫,熱導率高和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)點，正是航天市場所需的高性能材料。從“天和”空間站應用于**艙電推進系統(tǒng)中的霍爾推力器腔體采用的陶瓷基復合材料，到嫦娥五號著陸器鉆取采樣機構中采用的碳化硅顆粒增強鋁基復合材料，亦或是英國航天局（AEA）用于新型航天飛行器上的連續(xù)SiCf增強陶瓷基復合材料，皆可窺見高質量的先進陶瓷材料在航空航天中的應用。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！

先進陶瓷材料憑借其精細的結構組成以及**度、高硬度、耐高溫、抗腐蝕、耐磨等一系列***特性，在航空航天、電子、機械、生物醫(yī)學等眾多領域得到廣泛應用。陶瓷燒結技術的發(fā)展對先進陶瓷材料的進步起著直接影響，是陶瓷制品成品過程中至關重要的關鍵環(huán)節(jié)。生坯在經過初步干燥后，需進行燒結以提升坯體的強度、熱穩(wěn)定性以及化學穩(wěn)定性。在燒結過程中，陶瓷內部會發(fā)生一系列物理和化學變化，如體積減小、密度增加、強度和硬度提高、晶粒發(fā)生相變等，從而使陶瓷坯體達到所需的物理性能和力學性能。相同化學組成的陶瓷坯體，采用不同的燒結工藝將會產生顯微結構及性能差異極大的陶瓷材料。按研究對象劃分，燒結可分為固相燒結及液相燒結；按照工藝具體可分為常壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結、氣氛燒結、微波燒結、放電等離子體燒結等。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展，就在9月10-12日，深圳會展中心（福田）2號館！2025華南先進陶瓷展，9月10日邀您見證材料產業(yè)新勢能！就在深圳福田會展中心！

隨著半導體技術的不斷發(fā)展，先進封裝作為后摩爾時代全球集成電路的重要發(fā)展趨勢，正日益受到***關注。受益于AI、服務器、數據中心、汽車電子等下游強勁需求，半導體封裝朝著多功能、小型化、便攜式的方向發(fā)展，先進封裝市場有望加速滲透。據Yole的數據，全球先進封裝市場規(guī)模預計將從2023年的378億美元增長至2029年的695億美元，復合年增長率達到10.7%。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片，然后對芯片進行封裝；而晶圓級封裝則是先在晶圓上進行部分或全部封裝，之后再將其切割成單件。晶圓級封裝方法能夠進一步細分為以下四種不同類型：其一，晶圓級芯片封裝（WLCSP），能夠直接在晶圓的頂部形成導線和錫球（SolderBalls），且無需基板。其二，重新分配層（RDL），運用晶圓級工藝對芯片上的焊盤位置進行重新排列，焊盤與外部通過電氣連接的方式相連接。其三，倒片（FlipChip）封裝，在晶圓上形成焊接凸點，以此來完成封裝工藝。其四，硅通孔（TSV）封裝，借助硅通孔技術，在堆疊芯片的內部實現內部連接。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！國產替代：熱界面材料供需分析與國產化，了解熱界面材料，就在9月華南國際先進陶瓷展！2025年3月10至12日華東區(qū)國際先進陶瓷技術展

陶瓷基板的制作知識，有哪些是您所不了解的？9月華南國際先進陶瓷展誠邀您來進一步探究了解！3月10日-12日華東國際先進陶瓷展覽會

在現代工業(yè)中，陶瓷材料因其獨特的物理化學性質扮演著重要角色。鋁基陶瓷中的氮化鋁（AlN）和氧化鋁（Al?O?）是兩類備受關注的材料，但兩者的市場地位卻截然不同：氧化鋁占據主流，而氮化鋁的普及率不足30%。為何性能更優(yōu)的氮化鋁未能取代氧化鋁？本文將深入探討其背后的科學邏輯與產業(yè)現實。氮化鋁的熱導率（170-200 W/(m·K)）是氧化鋁（20-30 W/(m·K)）的7-10倍。氮化鋁的介電常數（8.8）低于氧化鋁（9.8），且在高溫（>500℃）或高濕環(huán)境下，其絕緣電阻穩(wěn)定性更優(yōu)。氮化鋁對熔融金屬（如鋁、銅）的耐腐蝕性遠強于氧化鋁，且在強輻射環(huán)境下（如核工業(yè)），其晶體結構更不易被破壞。氮化鋁的產業(yè)化之路，始于一場與物理極限的較量。其合成工藝需在1800℃以上的高溫氮氣環(huán)境中完成，鋁粉純度必須高于99.99%，任何細微的氧雜質（超過0.1%）都會引發(fā)AlON雜相的生成，如同在純凈的晶體中埋下“導熱**”，使熱導率驟降30%以上。氧化鋁的制備，則是一曲工業(yè)化的成熟樂章。其原料成本低廉，工藝窗口寬泛，1500℃以下的常規(guī)燒結即可獲得致密陶瓷，生產成本*為氮化鋁的1/3至1/2。這種“碾壓級”的成本優(yōu)勢，讓氧化鋁在工業(yè)化賽道上**。  2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展！3月10日-12日華東國際先進陶瓷展覽會