2025年3月10-12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10日中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，匯聚眾多國(guó)內(nèi)外杰出供應(yīng)商和制造商，誠(chéng)邀您蒞臨上海探索無(wú)限商機(jī)。2025年3月10-12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

注射成型過(guò)程中由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)，或者是喂料本身缺陷，以及模具設(shè)計(jì)不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結(jié)合具體過(guò)程，對(duì)常見的注射缺陷進(jìn)行分析，并加以控制，以提高生產(chǎn)率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過(guò)程中不能充滿整個(gè)模腔。一般在剛開始注射時(shí)產(chǎn)生，可能是由喂料溫度或模具溫度過(guò)低、加料量不足、喂料粘度過(guò)大等因素引起的。通過(guò)增加預(yù)塑時(shí)間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進(jìn)料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因?yàn)槟＞邷囟忍停蛘呤潜汉屠鋮s時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體緊緊箍在下部凸模上，在模具頂出機(jī)構(gòu)的強(qiáng)烈沖擊下，很容易引起脆斷。通過(guò)適當(dāng)升高模溫以及減少保壓和冷卻時(shí)間，在脫模過(guò)程中可以避免斷裂。3、孔洞缺陷，孔洞，指在生坯的橫截面上可以發(fā)現(xiàn)的孔隙。有的是一個(gè)近圓形的小孔，有的就發(fā)展為幾乎貫穿生坯坯體的中心通孔，這是常見的缺陷，注射成型樣品不同部位產(chǎn)生的氣孔的原因也不一樣?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。3月10日-12日中國(guó)上海市國(guó)際先進(jìn)陶瓷展匯中外優(yōu)秀企業(yè)，展前沿技術(shù)產(chǎn)品，“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日將于上海世博展覽館開幕。

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過(guò)調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率低于10%，是我國(guó)碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國(guó)際主流廠商包括美國(guó)亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購(gòu)?fù)呃锇玻?，日本愛發(fā)科及日清公司，國(guó)內(nèi)廠商主要有中國(guó)電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購(gòu)IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對(duì)器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點(diǎn)，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對(duì)SiC材料特性開發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實(shí)現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國(guó)Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國(guó)AMAT、英國(guó)牛津儀器、日本Samco及愛發(fā)科，及我國(guó)北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所、中微半導(dǎo)體、中科院微電子所、珠海恒格微電子、稷以科技等。北方華創(chuàng)在SiC器件領(lǐng)域具備完整的刻蝕解決方案，其SiC器件刻蝕機(jī)出貨量的市占率較高。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英：2025年3月10日上海見。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！

外延生長(zhǎng)技術(shù)是碳化硅器件的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，外延質(zhì)量對(duì)器件性能影響很大，碳化硅襯底無(wú)法直接制作器件，優(yōu)質(zhì)外延工藝可改進(jìn)微管（Micropipe）、多型、劃痕、層錯(cuò)、貫穿螺型位錯(cuò)（TSD）、貫穿刃型位錯(cuò)（TED）和基平面位錯(cuò)（BPD）等襯底缺陷，減少外延生長(zhǎng)缺陷，同時(shí)精確控zhi摻雜濃度，提升均勻性和器件良率。不同外延層厚度對(duì)應(yīng)不同耐壓等級(jí)的器件規(guī)格。通常，1μm的外延層對(duì)應(yīng)100V左右的耐壓；耐壓在600V左右時(shí)，需要6μm左右的外延層；耐壓高于10000V時(shí)，外延層厚度需在100μm以上?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)陶瓷行業(yè)精英齊聚上海、交流合作、共謀發(fā)展，中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展，3月10日我們共同見證盛會(huì)開幕！2024上海國(guó)際先進(jìn)陶瓷會(huì)議

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：2025年3月10-12日與您相聚上海，共襄行業(yè)盛會(huì)！2025年3月10-12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠(chéng)邀您蒞臨參觀！2025年3月10-12日中國(guó)上海市先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)