廣西高壓可控硅模塊

單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。

單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關(guān)。 淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。廣西高壓可控硅模塊

導通角與模塊輸出電流的關(guān)系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關(guān)系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。廣西高壓可控硅模塊淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。

可控硅模塊的應用領域

可控硅模塊應用于溫度控制、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護功能。

可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨立的學科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。

可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久，它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題，憑借它的優(yōu)勢，使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎，下面正高來詳細的說下可控硅模塊。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊（semiconductormodule）。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件。

可控硅模塊的優(yōu)點體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司團結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。

可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時，應注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素，同時，管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態(tài)，如有短路或斷路，應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應安裝散熱器，并保證規(guī)定的冷卻條件。同時，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據(jù)規(guī)定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質(zhì)內(nèi)容。上海大功率可控硅模塊哪家好

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任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規(guī)定時，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度

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