MTAC20晶閘管智能模塊組件

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應(yīng)使用什么規(guī)格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負(fù)載×U比較大/U實(shí)際

K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=1點(diǎn)5，感性負(fù)載K=2

I負(fù)載：負(fù)載流過的比較大電流

U比較大：負(fù)載上的**小電壓

U實(shí)際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點(diǎn)35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點(diǎn)9倍，其余規(guī)格均為1點(diǎn)0倍）

I：需要選擇模塊的**小電流，模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗。MTAC20晶閘管智能模塊組件

    [1]單結(jié)管即單結(jié)晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結(jié)和兩個歐姆電極的負(fù)阻半導(dǎo)體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結(jié)晶體管。[2]單結(jié)晶體管可分為N型基極單結(jié)管和P型基極單結(jié)管兩大類。單結(jié)晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有：①分壓比η，指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結(jié)管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點(diǎn)電壓UP，是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流IP。③谷點(diǎn)電壓UV，是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流IV。[4]單結(jié)晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結(jié)晶體管的管腳電極。[5]單結(jié)晶體管**重要的特性是具有負(fù)阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結(jié)管為例）。當(dāng)發(fā)射極電壓UE大于峰點(diǎn)電壓UP時，PN結(jié)處于正向偏置，單結(jié)管導(dǎo)通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導(dǎo)致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負(fù)阻特性。[6]檢測單結(jié)晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。濱州MTAC75晶閘管智能模塊品牌以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。

    三相負(fù)載吸收的功率等于各相功率之和。上節(jié)已經(jīng)分析了，如果把電阻R的星接結(jié)構(gòu)改成角接結(jié)構(gòu)，更改后的角接結(jié)構(gòu)等效變換為星接結(jié)構(gòu)時，對應(yīng)的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負(fù)載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態(tài)電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運(yùn)行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導(dǎo)致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統(tǒng)運(yùn)行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結(jié)構(gòu)改為星接電阻結(jié)構(gòu)。2如果電阻絲連接結(jié)構(gòu)由星接變?yōu)榻墙?，要想保證設(shè)備能正常工作，需要更換耐流比現(xiàn)有晶閘管大3倍的晶閘管器件。或者更換耐流比現(xiàn)有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯(lián)。更換晶閘管后設(shè)備可以提高3倍功率運(yùn)行。3如果更換晶閘管后，設(shè)備還需要保持原有功率運(yùn)行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行，應(yīng)進(jìn)行輸出功率限幅，降低系統(tǒng)控制輸出力度。

    并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)?？申P(guān)斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點(diǎn)為，當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后，撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不僅使設(shè)備的體積重量增大，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺點(diǎn)，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣具有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)力量過硬的專業(yè)技術(shù)人才管理團(tuán)隊。

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對變壓器初級或次級的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚(yáng)，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報廢等，給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護(hù)方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi)，環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會對其產(chǎn)生影響，增加了可靠性。 正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。MTAC20晶閘管智能模塊組件

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    使C5上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二極管的轉(zhuǎn)折電壓，以保證在低輸出電壓下雙向晶閘管仍能導(dǎo)通。適當(dāng)調(diào)節(jié)R4，就可以得到較低的起調(diào)電壓。另一個缺點(diǎn)是雙向晶閘管導(dǎo)通瞬間的突變電流形成的脈沖干擾，會影響調(diào)幅收音機(jī)和一些通信設(shè)備的正常工作，簡易型調(diào)壓器不能這種脈沖干擾。怎么晶閘管導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的電磁干擾呢？可以利用濾波電路。電感L串聯(lián)在主電路上，對突變電流呈現(xiàn)很大的阻抗，起到了平滑濾波作用；R1、C1支路并聯(lián)在電源線上，將高頻干擾電流旁路。此外，與負(fù)載RL并聯(lián)的R2、C3支路進(jìn)一步濾除了負(fù)載電流突變產(chǎn)生的脈沖干擾。這樣，由于采用了雙重濾波電路，起到了較強(qiáng)的干擾的作用。調(diào)壓器的氖管閃光電路的原理我還不太明白。由二極管VD、氖管ND、電容器C2和電阻R3組成了氖管閃光指示電路，它并聯(lián)在負(fù)載兩端，負(fù)載RL兩端的交流電壓，經(jīng)二極管VD半波整流后得到的半波脈動直流電壓給C2充電，當(dāng)C2上的電壓達(dá)到氖管的導(dǎo)通電壓時，C2通過氖管迅速放電，使氖管閃亮一下。C2放電后又繼續(xù)被充電，氖管就會不停地閃亮。我提個問題。如果手頭上沒有雙向觸發(fā)二極管?？梢杂媚男┰骷鷵Q呢？雙向晶閘管觸發(fā)電路的形式是多種多樣的一種是用試電筆里的氖管替換雙向觸發(fā)二極管。MTAC20晶閘管智能模塊組件

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