杭州熱加工件ODM/OEM代工

5G 基站用低損耗絕緣加工件，采用微波介質(zhì)陶瓷（MgTiO?）經(jīng)流延成型工藝制備。將陶瓷粉體（粒徑≤1μm）與有機(jī)載體混合流延成 0.1mm 厚生瓷片，經(jīng) 900℃燒結(jié)后介電常數(shù)穩(wěn)定在 20±0.5，介質(zhì)損耗 tanδ≤0.0003（10GHz）。加工時(shí)通過精密沖孔技術(shù)（孔徑精度 ±5μm）制作三維多層電路基板，層間對(duì)位誤差≤10μm，再經(jīng)低溫共燒（LTCC）工藝實(shí)現(xiàn)金屬化通孔互聯(lián)，通孔電阻≤5mΩ。成品在 5G 毫米波頻段（28GHz）下，信號(hào)傳輸損耗≤0.5dB/cm，且熱膨脹系數(shù)與銅箔匹配（6×10??/℃），滿足基站天線陣列的高密度集成與低損耗需求。注塑加工件的卡扣結(jié)構(gòu)經(jīng)疲勞測(cè)試，重復(fù)開合 5000 次仍保持彈性。杭州熱加工件ODM/OEM代工

航空航天輕量化注塑加工件采用碳纖維增強(qiáng) PEKK（聚醚酮酮）材料，通過高壓 RTM 工藝成型。將 T800 碳纖維（體積分?jǐn)?shù) 60%）預(yù)浸 PEKK 樹脂后放入模具，在 300℃、15MPa 壓力下固化 5 小時(shí)，制得密度 1.8g/cm3、拉伸強(qiáng)度 1500MPa 的結(jié)構(gòu)件。加工時(shí)運(yùn)用五軸聯(lián)動(dòng)數(shù)控銑削（轉(zhuǎn)速 50000rpm，進(jìn)給量 800mm/min），在 2mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的榫卯結(jié)構(gòu)，配合激光表面織構(gòu)技術(shù)（坑徑 50μm）提升界面結(jié)合力。成品在 - 196℃液氮環(huán)境中測(cè)試，尺寸變化率≤0.03%，且通過 10 萬次熱循環(huán)（-150℃~200℃）后層間剪切強(qiáng)度保留率≥92%，滿足航天器艙門密封件的輕量化與耐極端溫度需求。杭州RoHS環(huán)保加工件非標(biāo)定制該絕緣件的厚度公差控制嚴(yán)格，確保電氣間隙符合安全規(guī)范要求。

核聚變托克馬克裝置的偏濾器絕緣件，需承受兆瓦級(jí)熱負(fù)荷與等離子體沖刷，采用硼化鈦（TiB?）陶瓷經(jīng)熱等靜壓燒結(jié)。在 1800℃、200MPa 氬氣氛圍中燒結(jié) 6 小時(shí)，致密度達(dá) 99.5% 以上，抗熱震性（ΔT=1000℃）循環(huán)次數(shù)≥50 次。加工時(shí)使用電火花磨削技術(shù)，在 10mm 厚板材上制作 0.5mm 深的冷卻溝槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.8μm，配合微通道釬焊工藝（釬焊溫度 950℃）嵌入銅冷卻管，熱導(dǎo)率達(dá) 200W/(m?K)。成品在 10MW/m2 熱流密度下，表面溫度≤800℃，且體積電阻率≥10?Ω?cm，同時(shí)通過 10?次等離子體脈沖轟擊測(cè)試（能量 100eV），腐蝕速率≤0.1μm / 次，為核聚變堆的邊界等離子體控制提供關(guān)鍵絕緣部件。

礦用隔爆型電氣設(shè)備的絕緣加工件，必須滿足 MT/T 661 - 2011 標(biāo)準(zhǔn)要求，選用耐瓦斯腐蝕的三聚氰胺甲醛樹脂材料。加工時(shí)采用模壓成型工藝，在 170℃、18MPa 壓力下保壓 120 分鐘，使工件密度達(dá)到 1.5 - 1.6g/cm3，吸水率≤0.1%。成品需通過 1.5 倍額定電壓的工頻耐壓測(cè)試（持續(xù) 1 分鐘無擊穿），同時(shí)承受 50J 能量的沖擊試驗(yàn)不破裂，其表面電阻值≤1×10?Ω，防止摩擦產(chǎn)生靜電引燃瓦斯氣體。在井下濕度 95% RH 的環(huán)境中使用 12 個(gè)月后，絕緣電阻仍能保持≥1011Ω，保障煤礦安全生產(chǎn)。?該絕緣件經(jīng)過老化測(cè)試，在高溫環(huán)境下絕緣性能不衰減，使用壽命長。

光伏追蹤系統(tǒng)注塑加工件選用耐候性 ASA 與納米二氧化鈦復(fù)合注塑，添加 5% 金紅石型 TiO?（粒徑 50nm）經(jīng)雙螺桿擠出（溫度 220℃，轉(zhuǎn)速 280rpm）均勻分散，使材料紫外線吸收率≥99%，黃變指數(shù) ΔE≤3。加工時(shí)運(yùn)用低壓注塑工藝（注射壓力 80MPa），在追蹤支架連接件上成型加強(qiáng)筋結(jié)構(gòu)（筋高 4mm，壁厚 1.5mm），配合模內(nèi)貼膜技術(shù)（PET 膜厚度 50μm）提升表面耐磨度，摩擦系數(shù)降至 0.2。成品在 QUV 加速老化測(cè)試（4000 小時(shí)）后，拉伸強(qiáng)度保留率≥85%，且在 - 40℃~85℃溫度循環(huán) 1000 次后，連接孔尺寸變化率≤0.1%，滿足光伏電站 25 年戶外使用的耐候與結(jié)構(gòu)需求。絕緣加工件可根據(jù)客戶圖紙定制，滿足不同規(guī)格的電氣絕緣需求。絕緣加工件快速打樣

絕緣加工件通過超聲波清洗，表面無雜質(zhì)，確保絕緣性能不受影響。杭州熱加工件ODM/OEM代工

半導(dǎo)體封裝用注塑加工件，需達(dá)到 Class 10 級(jí)潔凈標(biāo)準(zhǔn)，選用環(huán)烯烴共聚物（COC）與氣相二氧化硅復(fù)合注塑。將 5% 疏水型二氧化硅（比表面積 300m2/g）混入 COC 粒子，通過真空干燥（溫度 80℃，時(shí)間 24h）去除水分，再經(jīng)熱流道注塑（模具溫度 120℃，注射壓力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 個(gè) /ft2 的封裝載體。加工時(shí)采用激光微雕技術(shù)，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的導(dǎo)電路徑槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金屬化過程中產(chǎn)生毛刺。成品在 150℃真空環(huán)境中放氣率≤1×10??Pa?m3/s，且通過 1000 次熱循環(huán)（-40℃~125℃）測(cè)試，翹曲量≤50μm，滿足高級(jí)芯片封裝的高精度與低污染要求。杭州熱加工件ODM/OEM代工