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來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-10-21

    128K)**大容量1G。超大規(guī)模集成電路(VeryLargeScaleIntegratedcircuits:VLSI)在一塊芯片上集成的元件數(shù)超過10萬個(gè),或門電路數(shù)超過萬門的集成電路,稱為超大規(guī)模集成電路。超大規(guī)模集成電路是20世紀(jì)70年代后期研制成功的,主要用于制造存儲(chǔ)器和微處理機(jī)。64k位隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是***代超大規(guī)模集成電路,大約包含15萬個(gè)元件,線寬為3微米。超大規(guī)模集成電路的集成度已達(dá)到600萬個(gè)晶體管,線寬達(dá)到。用超大規(guī)模集成電路制造的電子設(shè)備,體積小、重量輕、功耗低、可靠性高。利用超大規(guī)模集成電路技術(shù)可以將一個(gè)電子分系統(tǒng)乃至整個(gè)電子系統(tǒng)“集成”在一塊芯片上,完成信息采集、處理、存儲(chǔ)等多種功能。例如,可以將整個(gè)386微處理機(jī)電路集成在一塊芯片上,集成度達(dá)250萬個(gè)晶體管。超大規(guī)模集成電路研制成功,是微電子技術(shù)的一次飛躍,**推動(dòng)了電子技術(shù)的進(jìn)步,從而帶動(dòng)了***技術(shù)和民用技術(shù)的發(fā)展。超大規(guī)模集成電路已成為衡量一個(gè)國家科學(xué)技術(shù)和工業(yè)發(fā)展水平的重要標(biāo)志,也是世界主要工業(yè)國家,特別是美國和日本競爭**激烈的一個(gè)領(lǐng)域。特大規(guī)模集成電路(UltraLarge-ScaleIntegration:ULSI)1993年隨著集成了1000萬個(gè)晶體管的16MFLASH和256MDRAM的研制成功。在技術(shù)開發(fā)過程中,應(yīng)市場需求的變化,所有的開發(fā)與研制過程都必須隨市場的變化而作相應(yīng)的調(diào)整。北京電子計(jì)算機(jī)服務(wù)誠信為本

    技術(shù)開發(fā)是新的科研成果被應(yīng)用于新產(chǎn)品、新材料、新工藝的生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)過程。其特點(diǎn)是:試驗(yàn)性強(qiáng)、時(shí)間較短、風(fēng)險(xiǎn)性較小、所需費(fèi)用較大。按開發(fā)的范圍,有國內(nèi)技術(shù)開發(fā)、國外技術(shù)引進(jìn);按開發(fā)的方向,有發(fā)展生產(chǎn)型、生活福利型、**設(shè)施型;按開發(fā)的內(nèi)容,有產(chǎn)品開發(fā)、工藝開發(fā)、資源開發(fā),等等。技術(shù)開發(fā)是把科學(xué)技術(shù)轉(zhuǎn)化為社會(huì)生產(chǎn)力的必要步驟。[1]中文名技術(shù)開發(fā)外文名TechnicalDevelopment含義新的科研成果被應(yīng)用于新產(chǎn)品、新材料、新工藝的生產(chǎn)、實(shí)驗(yàn)過程對象生產(chǎn)工藝的開發(fā)、能源的開發(fā)等特點(diǎn)試驗(yàn)性強(qiáng)、時(shí)間較短、風(fēng)險(xiǎn)性較小、所需費(fèi)用較大開發(fā)途徑**型的技術(shù)開發(fā)途徑、引進(jìn)型的技術(shù)開發(fā)途徑等目錄1概念2開發(fā)創(chuàng)新3開發(fā)對象4開發(fā)途徑5開發(fā)條件技術(shù)開發(fā)概念編輯語音技術(shù)開發(fā):是指利用從研究和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)中獲得的現(xiàn)有知識(shí)或從外部引進(jìn)技術(shù),為生產(chǎn)新的產(chǎn)品、裝置,建立新的工藝和系統(tǒng)而進(jìn)行實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)工作。國外一些大的企業(yè)或公司,像IBM、松下、西門子、微軟等公司都成立了專門的技術(shù)開發(fā)機(jī)構(gòu),在激烈競爭中,搶得先機(jī),形成自己的人力積累,使別人難以模仿和超越,確保企業(yè)的競爭優(yōu)勢。技術(shù)開發(fā)開發(fā)創(chuàng)新編輯語音技術(shù)開發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新沒有本質(zhì)的區(qū)別。吉林一站式計(jì)算機(jī)服務(wù)鑄造輝煌技術(shù)開發(fā)與技術(shù)創(chuàng)新沒有本質(zhì)的區(qū)別。

    綜合與延伸型的技術(shù)開發(fā)途經(jīng)雖然是在現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行的,但也是一種創(chuàng)新,相對于從基礎(chǔ)研究搞起的**型技術(shù)開發(fā)途經(jīng)而言,它有開發(fā)難度小,耗費(fèi)資金少,時(shí)間短、見效快的明顯優(yōu)勢。因此,一般企業(yè)在從事技術(shù)開發(fā)中應(yīng)注重綜合與延伸型的技術(shù)開發(fā)途經(jīng)??偨Y(jié)提高型的技術(shù)開發(fā)途徑這是指通過生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)、提高來開發(fā)新技術(shù)。一般是指以小革新、小建議、小發(fā)明等為主體的小改小革活動(dòng)。這類活動(dòng)大多建立在生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)總結(jié)的基礎(chǔ)之上。雖然,現(xiàn)代技術(shù)的原理是在科學(xué)指導(dǎo)下形成的,但是,實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)依然是不可缺少的重要因素,隨著廣大職工**文化科學(xué)知識(shí)水平的提高,**性的小改小革活動(dòng)所涌現(xiàn)的技術(shù)成果必將逐步增多,達(dá)到一定程度,必將帶來企業(yè)整體技術(shù)素質(zhì)的提高。因此,生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的總結(jié)與提高應(yīng)納入企業(yè)技術(shù)開發(fā)的正常途徑,它有利于激發(fā)廣大職工的積極性,鍛煉提高他們的創(chuàng)造能力。技術(shù)開發(fā)開發(fā)條件編輯語音企業(yè)開展技術(shù)開發(fā)活動(dòng),要想取得預(yù)期效果,必須具備一定的條件??茖W(xué)技術(shù)工隊(duì)伍這是開展技術(shù)開發(fā)的**基本的條件。一支合格的科技隊(duì)伍應(yīng)滿足兩個(gè)基本要求,即要有一定的數(shù)量,有一個(gè)合理的隊(duì)伍結(jié)構(gòu)。1。企業(yè)中從事技術(shù)開發(fā)的科技人員應(yīng)有一定數(shù)量。

    進(jìn)入了特大規(guī)模集成電路ULSI(UltraLarge-ScaleIntegration)時(shí)代。特大規(guī)模集成電路的集成組件數(shù)在107~109個(gè)之間。ULSI電路集成度的迅速增長主要取決于以下兩個(gè)因素:一是晶體生長技術(shù)已達(dá)到極高的水平;二是制造設(shè)備不斷完善,加工精度、自動(dòng)化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進(jìn)入深亞微米級(jí)領(lǐng)域。硅單晶制備技術(shù)可使晶體徑向參數(shù)均勻,體內(nèi)微缺陷減少,。對電路加工過程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認(rèn)識(shí),由此發(fā)展了一整套晶體的加工工藝。生產(chǎn)電路用的硅片直徑的不斷增大,導(dǎo)致生產(chǎn)效率大幅度提高,硅片的直徑尺寸已達(dá)到12英寸。微缺陷的減少使芯片成品率增加,DRAM的成品率達(dá)到80~90%。巨大規(guī)模集成電路(GigaScaleIntegration:GSI)1994年由于集成1億個(gè)元件的1GDRAM的研制成功,進(jìn)入巨大規(guī)模集成電路GSI(GigaScaleIntegration)時(shí)代。巨大規(guī)模集成電路的集成組件數(shù)在109以上。[1]超大規(guī)模集成電路發(fā)展現(xiàn)狀編輯語音截至2012年晚期,數(shù)十億級(jí)別的晶體管處理器已經(jīng)得到商用。隨著半導(dǎo)體制造工藝從32納米水平躍升到下一步22納米,這種集成電路會(huì)更加普遍,盡管會(huì)遇到諸如工藝角偏差之類的挑戰(zhàn)。值得注意的例子是英偉達(dá)的GeForce700系列的***顯示**。技術(shù)創(chuàng)新必須建立在規(guī)范化科研管理的基礎(chǔ)上。

    電子學(xué)的研究方向從真空管轉(zhuǎn)向到了固態(tài)電子器件。晶體管在當(dāng)時(shí)看來具有小型、高效的特點(diǎn)。1950年代,一些電子工程師希望以晶體管為基礎(chǔ),研制比以前更高級(jí)、復(fù)雜的電路充滿了期待。然而,隨著電路復(fù)雜程度的提升,技術(shù)問題對器件性能的影響逐漸引起了人們的注意。像計(jì)算機(jī)主板這樣復(fù)雜的電路,往往對于響應(yīng)速度有較高的要求。如果計(jì)算機(jī)的元件過于龐大,或者不同元件之間的導(dǎo)線太長,電信號(hào)就不能夠在電路中以足夠快的速度傳播,這樣會(huì)造成計(jì)算機(jī)工作緩慢,效率低下,甚至引起邏輯錯(cuò)誤。1958年,德州儀器的杰克·基爾比找到了上述問題的解決方案。他提出,可以把電路中的所有元件和芯片用同一半導(dǎo)體材料塊制成。當(dāng)時(shí)他的同事們正在度假,他們結(jié)束度假后,基爾比立即展示了他的新設(shè)計(jì)。隨后,他研制了一個(gè)這種新型電路的測試版本。1958年9月,***個(gè)集成電路研制成功。盡管這個(gè)集成電路看來還非常粗糙,而且存在一些問題,但集成電路在電子學(xué)史上確實(shí)是個(gè)創(chuàng)新的概念。通過在同一材料塊上集成所有元件,并通過上方的金屬化層連接各個(gè)部分,就不再需要分立的**元件了,這樣,就避免了手工組裝元件、導(dǎo)線的步驟。此外,電路的特征尺寸**降低。隨著電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化的逐步發(fā)展。企業(yè)開展技術(shù)開發(fā)活動(dòng),要想取得預(yù)期效果,必須具備一定的條件。吉林管理計(jì)算機(jī)服務(wù)鑄造輝煌

試驗(yàn)性強(qiáng)、時(shí)間較短、風(fēng)險(xiǎn)性較小、所需費(fèi)用較大。北京電子計(jì)算機(jī)服務(wù)誠信為本

    代號(hào)‘GK110’的圖形處理器,采用了全部71億個(gè)晶體管來處理數(shù)字邏輯。而Itanium的大多數(shù)晶體管是用來構(gòu)成其3千兩百萬字節(jié)的三級(jí)緩存。IntelCorei7處理器的芯片集成度達(dá)到了14億個(gè)晶體管。所采用的設(shè)計(jì)與早期不同的是它廣泛應(yīng)用電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具,設(shè)計(jì)人員可以把大部分精力放在電路邏輯功能的硬件描述語言表達(dá)形式,而功能驗(yàn)證、邏輯仿真、邏輯綜合、布局、布線、版圖等可以由計(jì)算機(jī)輔助完成。[2]超大規(guī)模集成電路不足編輯語音由于技術(shù)規(guī)模不斷擴(kuò)大,微處理器的復(fù)雜程度也不斷提高,微處理器的設(shè)計(jì)者已經(jīng)遇到了若干挑戰(zhàn)。1功耗、散熱:隨著元件集成規(guī)模的提升,單位體積產(chǎn)生的熱功率也逐漸變大,然而器件散熱面積不變,造成單位面積的熱耗散達(dá)不到要求。同時(shí),單個(gè)晶體管微弱亞閾值電流造成的靜態(tài)功耗由于晶體管數(shù)量的大幅增加而變得日益***。人們提出了一些低功耗設(shè)計(jì)技術(shù),例如動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)節(jié)(dynamicvoltageandfrequencyscaling(DVFS)),來降低耗散總功率。2工藝偏差:由于光刻技術(shù)受限于光學(xué)規(guī)律,更高精確度的摻雜以及刻蝕會(huì)變得更加困難,造成誤差的可能性會(huì)變大。設(shè)計(jì)者必須在芯片制造前進(jìn)行技術(shù)仿真。3更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)律:由于光刻和刻蝕工藝的問題。北京電子計(jì)算機(jī)服務(wù)誠信為本

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