江門半導(dǎo)體二極管

二極管的分類：一、按半導(dǎo)體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管。三、按結(jié)構(gòu)分類，半導(dǎo)體二極管主要是依靠PN結(jié)而工作的。與PN結(jié)不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內(nèi)。包括這兩種型號在內(nèi)，根據(jù)PN結(jié)構(gòu)造面的特點，把晶體二極管分類如下：合金型二極管，在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結(jié)反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。二極管在電子電路中扮演著關(guān)鍵角色。江門半導(dǎo)體二極管

阻尼二極管，阻尼二極管英文名稱為Damping diode，它具有較高的反向工作電壓和峰值電流，較小的正向壓降，高頻高壓整流二極管，可用作電視線路掃描電路中的阻尼和升壓整流器。阻尼二極管主要用于黑白或彩電線路掃描電路的阻尼、整流電路，可以是硅二極管或鍺二極管。它具有類似于高頻高壓整流二極管的特性。它的反向恢復(fù)時間很短，能夠承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流。它可以工作在高頻(線路頻率)，并具有較低的正向壓降。佛山快恢復(fù)二極管制造商反向偏置時，PN結(jié)的耗盡區(qū)增大，導(dǎo)致電流截止。

大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管較普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現(xiàn)出如此完美的開與關(guān)的方向性，而是較為復(fù)雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術(shù)決定的。二極管使用上除了用做開關(guān)的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"Cat's Whisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（Thermionic Valves）”)?，F(xiàn)今較普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料（如硅或鍺）制作而成。

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發(fā)現(xiàn)了匪夷所思的事情那就是燈絲和銅片之間會有電流流過，而且加反向電壓的時候沒有電流流過！可是，銅片和燈絲之間沒有任何接觸，二者之間是真空！后來，人們把這種效應(yīng)叫愛迪生效應(yīng)。二極管的快速開關(guān)特性可用于電子開關(guān)、振蕩電路等。

在電子工程領(lǐng)域，二極管作為基礎(chǔ)的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨特的特性和應(yīng)用場景而備受關(guān)注。本文將詳細比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應(yīng)用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要功能是維持電路中的穩(wěn)定電壓值。它利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，在電流可在很大范圍內(nèi)變化時保持電壓基本不變，從而實現(xiàn)穩(wěn)壓功能。這種特性使得穩(wěn)壓二極管在電路中起到了關(guān)鍵的穩(wěn)定作用，為電子設(shè)備提供了可靠的電壓支撐。相比之下，普通二極管則主要作為一個開關(guān)器件或整流器使用。在正向電壓下，普通二極管導(dǎo)通，允許電流通過；而在反向電壓下，則截止，阻止電流通過。這種單向?qū)щ娦允沟闷胀ǘO管在開關(guān)電路和整流電路中發(fā)揮著重要作用。二極管還可以用于信號放大和頻率變換等電路，提高電路的性能。江門半導(dǎo)體二極管

二極管的正向壓降較小，有助于減少能量損耗。江門半導(dǎo)體二極管

二極管反向區(qū)也分兩個區(qū)域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、比較陡，反向飽和電流也很??；鍺二極管的反向擊穿特性比較軟，過渡比較圓滑，反向飽和電流較大。從擊穿的機理上看，硅二極管若|VBR|≥7 V時，主要是雪崩擊穿；若VBR≤4 V則主要是齊納擊穿，當在4 V～7 V之間兩種擊穿都有，有可能獲得零溫度系數(shù)點。江門半導(dǎo)體二極管