測試步驟:MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下:假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接柵極和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好。2、然后一根導線把MOS管的柵極和源極連接起來,假如指針立刻返回無限大,則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應該是無限大。4、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和漏極上,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時表針指示的值一般是0,這時是下電荷通過這個電阻對MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場,因為電場產(chǎn)生導致導電溝道致使漏極和源極導通,故萬用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。場效應管的電阻特性取決于柵極電壓,可實現(xiàn)精確控制。珠海金屬場效應管參考價
下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點,然后對1,2重點進行分析:1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2:SOA失效(電流失效),既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效,分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3:體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4:諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。5:靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6:柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導致柵極柵氧層失效。東莞半導體場效應管參考價場效應管的工作原理是利用電荷的寄主控制電流流動,具有與電阻不同的工作方式。
MOS管三個極分別是什么及判定方法:mos管的三個極分別是:G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導通。判斷柵極G,MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭,在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,MOS管發(fā)燒嚴峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號驅(qū)動能力不夠,將嚴峻影響波形跳變的時間。將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大,并且交換表筆后仍為無限大,則證實此腳為G極,由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢?本文將討論如何通過四步來選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設計選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電 壓上時,該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關。在低壓側(cè)開關中,應采用N溝道MOSFET,這是出于對關閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當MOSFET連接到 總線及負載接地時,就要用高壓側(cè)開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。場效應管需遵循正確的電路連接方式,通常包括源極、柵極和漏極三個引腳,根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。
MOS管開關電路圖:頭一種應用,由PMOS來進行電壓的選擇,當V8V存在時,此時電壓全部由V8V提供,將PMOS關閉,VBAT不提供電壓給VSIN,而當V8V為低時,VSIN由8V供電。注意R120的接地,該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低,確保PMOS的正常開啟,這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實際上該電路的DS接反,這樣由附生二極管導通導致了開關管的功能不能達到,實際應用要注意。JFET是一種可用作功率放大器或開關的場效應管。東莞半導體場效應管參考價
場效應管具有高頻響應特性,適用于高頻、高速電路,如雷達、衛(wèi)星通信等。珠海金屬場效應管參考價
場效應管由于它只靠半導體中的多數(shù)載流子導電,又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。場效應管分為結(jié)型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡型與增強型,結(jié)型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。珠海金屬場效應管參考價