山東電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

來源: 發(fā)布時間:2023-07-14

    所述工藝盤組件為前面所述的工藝盤組件,所述工藝盤組件的工藝盤設(shè)置在所述工藝腔中。在本實用新型提供的工藝盤組件以及半導(dǎo)體設(shè)備中,工藝盤轉(zhuǎn)軸通過驅(qū)動襯套、驅(qū)動連接部與驅(qū)動軸體部連接,驅(qū)動連接部的橫截面為非圓形,而驅(qū)動襯套的套孔與驅(qū)動連接部相匹配,工藝盤轉(zhuǎn)軸的安裝孔與驅(qū)動襯套相匹配。從而通過非圓柱體的驅(qū)動連接部與驅(qū)動襯套上的異形孔之間的配合將扭矩傳遞至驅(qū)動襯套,進而基于安裝孔與驅(qū)動襯套的配合關(guān)系傳遞至工藝盤轉(zhuǎn)軸,從而能夠避免驅(qū)動軸與驅(qū)動襯套之間發(fā)生相對滑動,提高了工藝盤轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)角度的控制精度,進而提高了工件的放置精度。附圖說明附圖是用來提供對本實用新型的進一步理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,與下面的具體實施方式一起用于解釋本實用新型,但并不構(gòu)成對本實用新型的限制。在附圖中:圖1是本實用新型提供的工藝盤組件的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是圖1所示的工藝盤組件的a-a向剖視圖;圖3是圖2中虛線圈出部分的放大示意圖;圖4是圖3的局部放大示意圖;圖5是本實用新型提供的工藝盤組件中驅(qū)動軸的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6是本實用新型提供的工藝盤組件中驅(qū)動襯套的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7是本實用新型提供的工藝盤組件中驅(qū)動襯套與驅(qū)動軸連接后的結(jié)構(gòu)示意圖。并其生產(chǎn)過程依照優(yōu)良制造標準(GMP)控制。山東電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

    所述***襯套部的外徑小于所述第二襯套部的外徑,所述定位凸起形成在所述第二襯套部的外壁上,且所述第二襯套部與所述工藝盤轉(zhuǎn)軸的安裝孔相配合。推薦地,所述工藝盤組件還包括傳動筒,所述驅(qū)動軸和所述驅(qū)動襯套設(shè)置在所述傳動筒內(nèi),且所述驅(qū)動軸背離所述工藝盤轉(zhuǎn)軸的一端與所述傳動筒固定連接,所述傳動筒用于帶動所述驅(qū)動軸轉(zhuǎn)動。推薦地,所述工藝盤組件還包括密封襯套,所述密封襯套環(huán)繞設(shè)置在所述傳動筒的外壁上;所述工藝盤組件還包括擋環(huán),所述傳動筒的外壁上形成有擋環(huán)槽,所述擋環(huán)環(huán)繞所述傳動筒設(shè)置在所述擋環(huán)槽中,所述擋環(huán)的外徑大于所述密封襯套朝向所述工藝盤一端的內(nèi)徑。推薦地,所述工藝盤組件還包括調(diào)平件,所述傳動筒的內(nèi)壁上形成有內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu),所述內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)環(huán)繞傳動筒的內(nèi)壁設(shè)置,所述調(diào)平件與所述驅(qū)動軸固定連接,且沿軸線方向分別設(shè)置在所述內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)的兩側(cè),以將所述內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)夾持在所述調(diào)平件與所述驅(qū)動軸之間,所述調(diào)平件能夠調(diào)整其自身與所述傳動筒之間的角度。推薦地,所述驅(qū)動軸與所述工藝盤轉(zhuǎn)軸中至少一者的材料為奧氏體不銹鋼。作為本實用新型的第二個方面,還提供一種半導(dǎo)體設(shè)備,包括工藝腔和工藝盤組件,其中。湖南CPVC半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工隔音嗎CMP環(huán)材料的制造商,包括Techtron? PPS(CMP應(yīng)用)。

    本發(fā)明涉及陶瓷領(lǐng)域,特別是涉及一種碳化硅陶瓷及其制備方法和半導(dǎo)體零件。背景技術(shù):反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷是由細顆粒sic和添加劑壓制成素坯,在高溫下與液態(tài)硅接觸,坯體中的碳與滲入的si反應(yīng),生成新的sic,并與原有顆粒sic相結(jié)合,游離硅填充了氣孔,從而得到高致密性的陶瓷材料。反應(yīng)燒結(jié)碳化硅在燒結(jié)過程中尺寸幾乎無變化,相比于常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)碳化硅材料來說,加工成本大幅降低,廣泛應(yīng)用于石油、化工、航空航天、核工業(yè)及半導(dǎo)體等領(lǐng)域。但是反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料存在力學性能較差的問題,從而限制了反應(yīng)燒結(jié)碳化硅材料的應(yīng)用。技術(shù)實現(xiàn)要素:基于此,有必要提供一種力學性能好的反應(yīng)燒結(jié)碳化硅陶瓷的制備方法。此外,還提供一種碳化硅陶瓷和半導(dǎo)體零件。一種碳化硅陶瓷的制備方法,包括如下步驟:將碳化硅微粉、金屬元素的氯化物、環(huán)氧丙烷、***分散劑及***溶劑混合并在真空條件、700℃~900℃下進行加熱處理,得到預(yù)處理顆粒,其中,所述金屬元素為稀土元素或鍶元素;將所述預(yù)處理顆粒與第二分散劑、粘結(jié)劑、第二溶劑和***碳源混合造粒,得到造粒粉;將所述造粒粉成型,得到***預(yù)制坯;將所述***預(yù)制坯與第二碳源混合加熱,使所述第二碳源呈液態(tài)。

    為提高上述包括工藝盤轉(zhuǎn)軸1、驅(qū)動襯套2和驅(qū)動軸3在內(nèi)的傳動結(jié)構(gòu)的密閉性,推薦地,工藝盤組件還包括傳動筒4,驅(qū)動軸3和驅(qū)動襯套2設(shè)置在傳動筒4內(nèi),且驅(qū)動軸3背離工藝盤轉(zhuǎn)軸1的一端與傳動筒4固定連接,傳動筒4用于帶動驅(qū)動軸3轉(zhuǎn)動。需要說明的是,上述傳動筒4的方案即為前面所述的“驅(qū)動軸體部320與其它在軸承中固定的轉(zhuǎn)軸結(jié)構(gòu)固定連接”的方案,如圖3、圖13所示,傳動筒4的外壁上可以包括外凸臺結(jié)構(gòu)42,外凸臺結(jié)構(gòu)42環(huán)繞設(shè)置在傳動筒4的外壁上,在實際使用中,外凸臺結(jié)構(gòu)42的上下兩面(這里的上下是指圖中的上下關(guān)系)分別用于與滾針軸承連接,以實現(xiàn)軸向定位;外凸臺結(jié)構(gòu)42的外側(cè)面用于與深溝球軸承的內(nèi)圈連接,從而實現(xiàn)對傳動筒4軸線角度的固定,減小傳動筒4的軸線在其轉(zhuǎn)動過程中的徑向跳動。在本實用新型的實施例中,采用傳動筒4代替驅(qū)動軸3與軸承接觸,并將驅(qū)動軸3和驅(qū)動襯套2設(shè)置在傳動筒4內(nèi)部,從而在保證驅(qū)動軸3的正常傳動功能的同時,提高了傳動結(jié)構(gòu)的密閉性,避免了潤滑液等物質(zhì)進入包括驅(qū)動軸3和驅(qū)動襯套2在內(nèi)的傳動結(jié)構(gòu)對其造成腐蝕,保證了傳動結(jié)構(gòu)的精度。本實用新型對如何定位傳動筒4及與其接觸的軸承不做具體限定,例如,可選地,如圖2至3所示。提高生產(chǎn)率及產(chǎn)品壽命。

    保證了傳動筒4運動的穩(wěn)定性。在工藝盤組件還包括波浪管6時,如圖3、圖4所示,密封襯套5設(shè)置在波浪管6與傳動筒4之間,密封襯套5與波浪管6固定連接。進一步推薦地,如圖3、圖4所示,密封襯套5與波浪管6之間還重疊設(shè)置有兩層彈簧蓄能密封圈,且兩層彈簧蓄能密封圈的密封殼開口均朝向軸承座10的方向。為實現(xiàn)工藝盤01的角度調(diào)整,推薦地,如圖3、圖14至圖16所示,工藝盤組件還包括調(diào)平件8,傳動筒4的內(nèi)壁上形成有內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41,內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41環(huán)繞傳動筒4的內(nèi)壁設(shè)置,調(diào)平件8與驅(qū)動軸3固定連接,且沿軸線方向分別設(shè)置在內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41的兩側(cè),以將內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41夾持在調(diào)平件8與驅(qū)動軸3之間,調(diào)平件8能夠調(diào)整其自身與傳動筒4之間的角度。在本實用新型的實施例中,工藝盤轉(zhuǎn)軸1、驅(qū)動襯套2和驅(qū)動軸3之間均存在配合關(guān)系,因此,*設(shè)置能夠調(diào)整其自身與傳動筒4之間的角度的調(diào)平件8,即可實現(xiàn)驅(qū)動軸3與傳動筒4之間的微調(diào),進而能夠通過工藝盤轉(zhuǎn)軸1、驅(qū)動襯套2和驅(qū)動軸3之間的緊密配合(推薦為過盈配合)實現(xiàn)工藝盤01角度的微調(diào),使工藝盤01保持水平,提高加工精度。本實用新型對調(diào)平件8與驅(qū)動軸3如何夾持內(nèi)凸臺結(jié)構(gòu)41不做具體限定,例如,如圖3、圖14所示,工藝盤組件還包括中心螺釘。由于該材料的線性熱膨脹系數(shù)(CLTE)較低、公差配置可更緊。湖北PC半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工多厚

降低材料摩擦及磨損。山東電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

    代替25Gbps設(shè)備投入大量使用。而這些設(shè)備中將大量使用磷化銦、砷化鎵、鍺硅等化合物半導(dǎo)體集成電路。5.移動通信技術(shù)正在不斷朝著有利于化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的方向發(fā)展。目前二代半()技術(shù)成為移動通信技術(shù)的主流,同時正在逐漸向第三代(3G)過渡。二代半技術(shù)對功放的效率和散熱有更高的要求,這對砷化鎵器件有利。3G技術(shù)要求更高的工作頻率,更寬的帶寬和高線性,這也是對砷化鎵和鍺硅技術(shù)有利的。目前第四代(4G)的概念已明確提出來了。4G技術(shù)對手機有更高的要求。它要求手機在樓內(nèi)可接入無線局域網(wǎng)(WLAN),即可工作到,在室外可在二代、二代半、三代等任意制式下工作。因此這是一種多功能、多頻段、多模式的移動終端。從系統(tǒng)小巧來說,當然會希望實現(xiàn)單芯片集成(SOC),但單一的硅技術(shù)無法在那么多功能和模式上都達到性能**優(yōu)。要把各種優(yōu)化性能的功能集成在一起,只能用系統(tǒng)級封裝(SIP),即在同一封裝中用硅、鍺硅、砷化鎵等不同工藝來優(yōu)化實現(xiàn)不同功能,這就為砷化鎵帶來了新的發(fā)展前景。山東電木半導(dǎo)體與電子工程塑料零件定制加工特質(zhì)

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