遼寧晶閘管觸發(fā)模塊生產(chǎn)廠家

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-03

假如在再次加上正朝陽極電壓之前使器件承受一定時(shí)間的反向偏置電壓,也不會(huì)誤導(dǎo)通,這說明晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時(shí)間恢復(fù)其阻斷能力。從電流過O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時(shí)聞間隔是可控硅的關(guān)斷時(shí)間tg,由反向恢復(fù)時(shí)間t和門極恢復(fù)時(shí)間t構(gòu)成,普通晶閘管模塊的tg約150-200μs,通常能滿足一般工頻下變流器的使用,但在大感性負(fù)載的情況下可作一些選擇。在中頻逆轉(zhuǎn)應(yīng)用,如中頻裝置、電機(jī)車斬波器,變頻調(diào)速等情況中使用,一定要對(duì)關(guān)斷時(shí)間參數(shù)作選擇,一般快速晶閘管模塊的關(guān)斷時(shí)間在10-50μs,其工作頻率可達(dá)到1K-4KHZ;中速晶閘管模塊的關(guān)斷時(shí)間在60-100μs,其工作頻率可達(dá)幾百至lKHZ,即電機(jī)車的變頻頻率。十個(gè)問題讓你深入了解晶閘管模塊!晶閘管模塊在現(xiàn)代使用的范圍很廣,相信很多人都聽說過晶閘管模塊,但是晶閘管模塊的相關(guān)知識(shí)你了解多少?是否深入了解了呢?下面的十個(gè)問題讓你深度了解晶閘管模塊的全部知識(shí)。一:晶閘管模塊的簡(jiǎn)介晶閘管模塊又叫可控硅模塊。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。淄博正高電氣創(chuàng)新發(fā)展,努力拼搏。遼寧晶閘管觸發(fā)模塊生產(chǎn)廠家

并且其工作過程可以控制、被應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。下面正高來詳細(xì)講解晶閘管模塊的發(fā)展歷史。半導(dǎo)體的出現(xiàn)成為20世紀(jì)現(xiàn)代物理學(xué)其中一項(xiàng)重大的突破,標(biāo)志著電子技術(shù)的誕生。而由于不同領(lǐng)域的實(shí)際需要,促使半導(dǎo)體器件自此分別向兩個(gè)分支快速發(fā)展,其中一個(gè)分支即是以集成電路為的微電子器件,特點(diǎn)為小功率、集成化,作為信息的檢出、傳送和處理的工具;而另一類就是電力電子器件,特點(diǎn)為大功率、快速化。1955年,美國通用電氣公司研發(fā)了世界上個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器(SR),1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優(yōu)勢(shì),尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上,晶閘管模塊迅速取代了Hg整流器(引燃管),實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點(diǎn)化,并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年代開始。廣東雙向晶閘管模塊哪家好淄博正高電氣是您可信賴的合作伙伴!

它的控制極G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開按鈕開關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。晶閘管模塊的特點(diǎn):是“一觸即發(fā)”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通。控制極的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關(guān)S)或使陽極電流小于維持導(dǎo)通的小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過零時(shí),晶閘管模塊會(huì)自行關(guān)斷。三、用萬用表可以區(qū)分晶閘管模塊的三個(gè)電極嗎?怎樣測(cè)試晶閘管的好壞呢?普通晶閘管模塊的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋Rx100擋位來測(cè)。大家知道,晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕,相當(dāng)于一個(gè)二極管,G為正極、K為負(fù)極,所以,按照測(cè)試二極管的方法,找出三個(gè)極中的兩個(gè)極,測(cè)它的正、反向電阻,電阻小時(shí),萬用表黑表筆接的是控制極G,紅表筆接的是陰極K,剩下的一個(gè)就是陽極A了。測(cè)試晶閘管模塊的好壞,可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S,按一下按鈕開關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。

采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開通時(shí)間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面,對(duì)正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹:一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管開通的影響晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時(shí),器件雖可開通,但器件開通時(shí)間延遲明顯,會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙,這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管開通的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管的開通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長,效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時(shí)間越短的情況下,晶閘管的開通時(shí)間也越短。三.晶閘管可靠觸發(fā)對(duì)門極觸發(fā)源要求(1)一般要求:觸發(fā)脈沖電流幅值:IG=10IGT;脈沖上升時(shí)間:tr≤1μs;(2)高di/dt下運(yùn)用:器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí),特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時(shí),在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過門極電壓,嚴(yán)重時(shí),甚至?xí)归T極電流倒流。這種負(fù)的門極電流會(huì)引起開通損耗增加,可能會(huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此,我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí),門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V。淄博正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好,收到廣大業(yè)主一致好評(píng)。

利用過零觸發(fā)電路控制雙向晶閘管模塊的通斷。這樣,可以在負(fù)載上獲得完整的正弦波,但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng),如恒溫裝置。過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成怎樣的損壞?過電壓會(huì)損壞晶閘管。如果要保護(hù)晶閘管不受損壞,應(yīng)了解過電壓產(chǎn)生的原因,以免損壞。對(duì)于以下正高電氣,過電壓會(huì)對(duì)晶閘管模塊造成什么樣的損壞?以及產(chǎn)生電壓過點(diǎn)的原因是什么呢?對(duì)過電壓非常敏感。當(dāng)正向電壓超過udrm的某個(gè)值時(shí),晶閘管會(huì)被誤導(dǎo)導(dǎo),導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過一定的urrm值時(shí),將立即損壞。因此,這么看來還是非常有必要去研究過電壓產(chǎn)生的原因以及控制過電壓的方法。1.過電壓保護(hù)過電的原因就是操作過電壓,并且根據(jù)過電壓保護(hù)的組成部分,分為交流保護(hù)還有直流以及元件保護(hù),晶閘管的裝置可以采用過電壓的保護(hù)措施。2.過流保護(hù)電流超過正常的工作的電流的時(shí)候,可以成為過電流如果沒有保護(hù)措施,在過流時(shí)會(huì)因過熱而損壞。因此,有必要采取過流保護(hù)措施,在損壞前迅速消除過流。晶閘管裝置的過流保護(hù)可根據(jù)實(shí)際情況選擇其中一種或多種。保護(hù)措施的作用如下:①采用串聯(lián)電抗器(無整流變壓器)中的(無整流變壓器)或交流進(jìn)線中漏抗大的變壓器。淄博正高電氣團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新、合作、共贏。遼寧晶閘管觸發(fā)模塊生產(chǎn)廠家

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簡(jiǎn)稱JFET;另一類是絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱IGFET。目前廣泛應(yīng)用的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOSFET。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極:源級(jí)(S)、柵極(G)、漏極(D),且可分為P溝道型與N溝道型兩種。正高講解晶閘管的導(dǎo)通條件晶閘管導(dǎo)通的條件是陽極承受正向電壓,處于阻斷狀態(tài)的晶閘管,只有在門極加正向觸發(fā)電壓,才能使其導(dǎo)通。門極所加正向觸發(fā)脈沖的極小寬度,應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的極小陽極電流,即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個(gè)小的數(shù)值,即維持電流IH以下。單相晶閘管的導(dǎo)通條件與阻斷條件單相晶閘管導(dǎo)通條件:1、晶閘管處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi),一般-10℃到60℃;2、晶閘管陽極和陰極之間施加了正向電壓,且電壓幅值至少應(yīng)超過;3、門極與陰極之間施加正向電壓,電壓幅值應(yīng)超過觸發(fā)門檻電壓,必須大于;4、晶閘管導(dǎo)通電流,至少應(yīng)大于其擎住電流,一般是維持電流的2倍左右;5、門極電壓施加的時(shí)間,必須超過開通時(shí)間,一般應(yīng)超過6μs.單相晶閘管阻斷條件:1、晶閘管處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi),一般-10℃到60℃;2、流過晶閘管的電流,必須小于維持電流。遼寧晶閘管觸發(fā)模塊生產(chǎn)廠家

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