以碳化硅、氮化鎵、鈮酸鋰為**的高性能半導(dǎo)體晶體廣泛應(yīng)用于信息傳輸、光存儲(chǔ)、光通訊、微波、LED、汽車電子、航空航天、高速列車、智能電網(wǎng)和超高壓輸變電、石油勘探、雷達(dá)與通信等國民經(jīng)濟(jì)和**領(lǐng)域。碳化硅單晶材料是目前發(fā)展**為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其禁帶寬度是硅的3倍，飽和電子漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿電場(chǎng)大于硅的10倍或砷化鎵的5倍，熱導(dǎo)率是藍(lán)寶石的20倍或砷化鎵的10倍，化學(xué)穩(wěn)定性好，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天**、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。 碳化硅是發(fā)展第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底
碳化硅sic的光學(xué)性質(zhì) 材料帶隙即禁帶的大小決定了器件的很多性質(zhì)，包括光譜響應(yīng)特性、抗輻射特性、工作溫度以及擊穿電壓等許多器件的重要特性。SiC的禁帶寬，如4H-SiC是3.2eV，6H-SiC是2.8eV，所以SiC具有良好的紫外光譜響應(yīng)特性，對(duì)紅外輻射不響應(yīng)，抗輻射特性好，可應(yīng)用于檢測(cè)紅熱背景下的微弱紫外信號(hào)。而且其暗電流很低，工作溫度高，故也可用于探測(cè)高溫環(huán)境中的紫外信號(hào)。 SiC在很寬的光譜范圍（2.2～3.2eV）內(nèi)也有良好的發(fā)光特性。不過，SiC的光學(xué)特性與晶體取向及同質(zhì)多型體的結(jié)構(gòu)有很密切的關(guān)系。天津4寸n型碳化硅襯底6H-SiC結(jié)構(gòu)**為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件。
隨著電力電子變換系統(tǒng)對(duì)于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會(huì)是越來越合適的半導(dǎo)體器件。尤其針對(duì)光伏逆變器和UPS應(yīng)用，SiC器件是實(shí)現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對(duì)于Si的一些獨(dú)特性，對(duì)于SiC技術(shù)的研究，可以追溯到上世界70年代。簡(jiǎn)單來說，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢(shì):擊穿電壓強(qiáng)度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導(dǎo)率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應(yīng)用在高功率密度、高開關(guān)頻率的場(chǎng)合。當(dāng)然，這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產(chǎn)。目前標(biāo)準(zhǔn)的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶片也要誕生，這會(huì)導(dǎo)致成本有顯著的下降。而相比之下，當(dāng)今12英寸的Si晶片已經(jīng)很普遍，如果預(yù)測(cè)沒有問題的話，接下來4到5年的時(shí)間18英寸的Si晶片也會(huì)出現(xiàn)。
碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計(jì)在今后5～10年將會(huì)快速發(fā)展和有***成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場(chǎng)是具體而實(shí)在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢(shì)非但不會(huì)改變，碳化硅行業(yè)還會(huì)進(jìn)一步向前發(fā)展。用戶正在嘗試碳化硅技術(shù)，以應(yīng)用于具體且具有發(fā)展前景的項(xiàng)目。碳化硅作為新興的戰(zhàn)略先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)，它是發(fā)展第3代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。
碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件在航空、航天探測(cè)、核能開發(fā)、衛(wèi)星、石油和地?zé)徙@井勘探、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等高溫（350～500oC）和抗輻射領(lǐng)域具有重要應(yīng)用； 高頻、高功率的碳化硅（SiC）器件在雷達(dá)、通信和廣播電視領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景；（目前航天和**下屬的四家院所已有兩家開始使用，訂貨1億/年，另兩家還在進(jìn)行測(cè)試，在航天宇航碳化硅器件是不可取代的，可以抵御太空中強(qiáng)大的射線輻射及巨大的差，在核戰(zhàn)或強(qiáng)電磁干擾作用的時(shí)候，碳化硅電子器件的耐受能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于硅基器件，雷達(dá)、通信方面有重要作用碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體。山東6寸sic碳化硅襯底
碳化硅（指半絕緣型）是射頻微波器件的理想襯底材料。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底
隨著我國經(jīng)濟(jì)社會(huì)邁入新時(shí)代，化工行業(yè)在增強(qiáng)供給、**供給和高質(zhì)量供給上持續(xù)發(fā)力，也將面臨如何努力正確探索平穩(wěn)健康運(yùn)行和高質(zhì)量發(fā)展的新機(jī)遇。世界各國對(duì)環(huán)境保護(hù)和綠色發(fā)展的重視程度日益提升，出臺(tái)了很多環(huán)境方面的政策、法規(guī)，同時(shí)環(huán)境執(zhí)法力度也在逐步提高，化工私營有限責(zé)任公司企業(yè)需要積極探索綠色低碳、安全環(huán)保的技術(shù)，加強(qiáng)與信息化技術(shù)融合，盡可能地發(fā)展環(huán)保型產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn)，并在節(jié)約能源和資源方面，采用工藝技術(shù)，降低原材料消耗；配備廢水、廢氣、廢固處理設(shè)備，極大限度地降低三廢排放量，增加節(jié)水措施，提高水的重復(fù)利用率等?？梢哉f，“綠色化工”已經(jīng)成為行業(yè)發(fā)展潮流。陶瓷研磨球，碳化硅，陶瓷精加工，拋光液領(lǐng)域市場(chǎng)前景好，發(fā)展成長(zhǎng)性好，技術(shù)含量高，具有帶領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的作用。是發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)，也是傳統(tǒng)石化和化工產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)和發(fā)展的重要方向。通過貿(mào)易型的優(yōu)化和升級(jí)，化工行業(yè)已經(jīng)從初期的以“三廢治理”為主，發(fā)展為包括環(huán)保產(chǎn)品、環(huán)境服務(wù)、潔凈產(chǎn)品、廢物循環(huán)利用，跨行業(yè)、跨地區(qū)，產(chǎn)業(yè)門類基本齊全的產(chǎn)業(yè)體系。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底
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